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透镜调节结构及其光发射器件

阅读:330发布:2020-05-12

专利汇可以提供透镜调节结构及其光发射器件专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且本实用新型涉及光学通信技术领域,具体涉及光学器件。透镜调节结构由透镜调节结构上部和透镜调节结构下部组成,所述透镜调节结构上部的下端面为斜面,透镜调节结构下部有与透镜调节结构上部的下端面相匹配的斜面,透镜调节结构上部和透镜调节结构下部通过斜面相 接触 ,所述透镜调节结构的顶部设置有透镜,透镜调节结构上部、透镜调节结构下部和透镜三者的宽度相同。本实用新型的透镜调节结构,可大大节省X方向的空间,满足 信号 通道间间距要求。本实用新型的 光发射器件 中采用上述透镜调节结构,可实现多信号通道并行的方式,提高总体传输速率,同时满足100Gbps(4×25G)或400Gbps(8×50G)的光发射器件的小型化封装要求。(ESM)同样的 发明 创造已同日 申请 发明 专利,下面是透镜调节结构及其光发射器件专利的具体信息内容。

1.透镜调节结构,其特征在于:所述透镜调节结构由透镜调节结构上部和透镜调节结构下部组成,所述透镜调节结构上部的下端面为斜面,透镜调节结构下部有与透镜调节结构上部的下端面相匹配的斜面,透镜调节结构上部和透镜调节结构下部通过斜面相接触,所述透镜调节结构的顶部设置有透镜,透镜调节结构上部、透镜调节结构下部和透镜三者的宽度相同。
2.采用权利要求1所述的透镜调节结构的光发射器件,包括若干个信号通道单元,信号通道单元并行设置在载体基板上,信号通道单元上设置有热沉,热沉上设置有半导体激光器芯片,其特征在于:所述信号通道单元上还设置有透镜调节结构,信号通道单元上的热沉、透镜调节结构沿光路依次设置在载体基板上。
3.根据权利要求2所述的光发射器件,其特征在于:相邻两信号通道单元的半导体激光器芯片的中心距均相等。

说明书全文

透镜调节结构及其光发射器件

技术领域

[0001] 本实用新型涉及光学通信技术领域,具体涉及光学器件。

背景技术

[0002] 随着信息技术传输速度日益更新,光通信技术得到广泛的重视和应用,光学器件的应用也随之增多,现有光发射器件中,高速信号的传输速率从几百Mbps提高到了几十甚至上百Gbps。在光发射器件中,通常采用多信号通道并行的方式来提高总体传输速率,随着封装尺寸越来越小,信号通道数量越来越多,信号通道的间距也越来越小,这使得透镜耦合和固定的难度越来越高。
[0003] 如图1-5所示,目前,传统的透镜调节结构大多采用U型透镜调节结构,该结构是透镜设置在U型调节结构内部,通过U型结构连带透镜在平方向的移动,实现透镜在X轴和Y轴方向的调节,通过透镜在U型结构内部的上下移动,实现透镜在Z轴方向的调节,通过上述方式的调节实现了透镜在三维方向的调节。在密度越来越高的光学器件中,信号通道的间距也越来越小,光发射器件多信号通道间的间距通常小于1mm,但也还能够设为与既存计算不同的宽度,目前透镜的宽度通常为0.7mm,但也还能够设为与既存计算不同的宽度,U型透镜调节结构的U型立壁为保持一定强度,其宽度通常要大于0.2mm,但也还能够设为与既存计算不同的宽度,这样透镜宽度加上U型立壁的宽度,通常大于1.1mm,但也还能够设为与既存计算不同的宽度,因此,传统的U型透镜调节结构不能满足信号通道间间距要求,不能采用传统的U型透镜调节结构实现多信号通道并行的方式来提高总体传输速率,同时也不能满足光学器件的小型化封装要求。发明内容
[0004] 本实用新型的目的是为了解决传统的U型透镜调节结构不能满足信号通道间间距要求,从而提供一种透镜调节结构,可以满足信号通道间间距要求,实现多信号通道间间距小于1mm,并且可以应用在不同的光学器件中。本实用新型的另一目的是为了解决传统的光发射器件中采用U型透镜调节结构,不能实现多信号通道并行的方式来提高总体传输速率,从而提供一种光发射器件,采用上述发明中的透镜调节结构,可实现多信号通道并行的方式来提高总体传输速率,同时实现100Gbps(4×25G)或400Gbps(8×50G)的光发射器件的小型化封装。
[0005] 本实用新型为实现上述目的所采用的技术方案是:透镜调节结构由透镜调节结构上部和透镜调节结构下部组成,所述透镜调节结构上部的下端面为斜面,透镜调节结构下部有与透镜调节结构上部的下端面相匹配的斜面,透镜调节结构上部和透镜调节结构下部通过斜面相接触,所述透镜调节结构的顶部设置有透镜,透镜调节结构上部、透镜调节结构下部和透镜三者的宽度相同。
[0006] 本实用新型采用的另一技术方案是:采用上述透镜调节结构的光发射器件,包括若干个信号通道单元,信号通道单元并行设置在载体基板上,信号通道单元上设置有热沉,热沉上设置有半导体激光器芯片,所述信号通道单元上还设置有透镜调节结构,信号通道单元上的热沉、透镜调节结构沿光路依次设置在载体基板上。
[0007] 进一步地,相邻两信号通道单元的半导体激光器芯片的中心距均相等。
[0008] 本实用新型提供一种透镜调节结构,该透镜调节结构是分为两件式的,两件以斜面相接触,透镜调节结构顶部设置有透镜,同时透镜调节结构上部、透镜调节结构下部和透镜三者的宽度相同,可大大节省X方向的空间,可以满足信号通道间间距要求,同时该透镜调节结构可以应用在不同的光学器件中。
[0009] 本实用新型还提供了一种光发射器件,包括若干个并行设置的信号通道单元,信号通道单元上采用上述实用新型中的透镜调节结构,实现了多信号通道并行的方式,提高了总体传输速率,同时实现了100Gbps(4×25G)或400Gbps(8×50G)的光发射器件的小型化封装。附图说明
[0010] 图1为传统的U型透镜调节结构的构造分解立体图。
[0011] 图2为采用传统的U型透镜调节结构的光发射器件的构造分解立体图。
[0012] 图3为图2的主视图。
[0013] 图4为图2的俯视图。
[0014] 图5为图2的右视图。
[0015] 图6为本实用新型的透镜调节结构的构造分解立体图。
[0016] 图7为采用本实用新型透镜调节结构的一信号通道单元的光发射器件的分解立体图。
[0017] 图8为图7的主视图。
[0018] 图9为图7的俯视图。
[0019] 图10为采用本实用新型透镜调节结构的多信号通道单元的光发射器件的构造示意图。
[0020] 图11为图10的俯视图。
[0021] 图中:1-采用传统的U型透镜调节结构的光发射器件,101-载体基板,102-热沉,103-半导体激光器芯片,104-透镜,105- U型透镜调节结构,2-采用本实用新型的透镜调节结构的光发射器件,205-透镜调节结构上部,206-透镜调节结构下部,103a-信号通道1的半导体激光器芯片,103b-信号通道2的半导体激光器芯片,103c-信号通道3的半导体激光器芯片,103d-信号通道4的半导体激光器芯片,104a-信号通道1的透镜,104b-信号通道2的透镜,104c-信号通道3的透镜,104d-信号通道4的透镜,a-相邻两信号通道单元的半导体激光器芯片的中心距,b-透镜的宽度, X,Y,Z-表示三维坐标轴的3个方向。

具体实施方式

[0022] 下面结合附图和实施方式对本实用新型的透镜调节结构及其光发射器件进行详细说明,但本实用新型并不局限于具体实施方式。
[0023] 在本实用新型的描述中,需要说明的是,术语“上”、“下”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本实用新型和简化描述,而不是指示或暗示所指的器件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本实用新型的限制。
[0024] 实施方式1
[0025] 如图6所示的本实用新型的透镜调节结构,透镜调节结构是分为两件式的,由透镜调节结构上部205和透镜调节结构下部206组成,透镜调节结构上部205的下端面为斜面,透镜调节结构下部206有与透镜调节结构上部205的下端面相匹配的斜面,透镜调节结构上部205和透镜调节结构下部206通过斜面相接触,透镜调节结构的顶部设置有透镜104,透镜调节结构连带着透镜104在水平方向移动,实现透镜104在X轴和Y轴方向的调节;透镜调节结构上部205沿着透镜调节结构下部206的斜面上下移动,实现透镜104在Z轴方向的调节,通过上述方式实现了透镜104在三维方向的调节,同时透镜调节结构上部205、透镜调节结构下部206和透镜104三者的宽度相同,可大大节省X方向的空间,满足信号通道间间距要求。
[0026] 实施方式2
[0027] 如图7-9所示采用本实用新型透镜调节结构的一信号通道单元的光发射器件,是以载体基板101为基础,信号通道单元上设置有热沉102、在热沉102的上部设置有半导体激光器芯片103,半导体激光器芯片103用来作为发射调制信号的光源,热沉102用以使半导体激光器芯片103的位置达到特定的高度并起到散热作用,还设置有实施方式1中的透镜调节结构,透镜调节结构顶部设置的透镜104用来将半导体激光器芯片103发射出来的光转换成平行光或汇聚光,热沉102和透镜调节结构沿光路方向依次设置在载体基板101上。
[0028] 实施方式3
[0029] 如图10-11所示采用本实用新型透镜调节结构的多信号通道单元的光发射器件,是以载体基板101为基础,在其上部并行设置有若干个实施方式2中所述的信号通道单元,相邻两信号通道单元的半导体激光器芯片的中心距a均相等。目前,光发射器件信号通道间间距通常小于1mm,但也还能够设为与既存计算不同的宽度,透镜宽度b通常为0.7mm,但也还能够设为与既存计算不同的宽度,由于本实用新型中的光发射器件采用了实施方式1中的透镜调节结构,因此可满足信号通道间间距小于1mm的要求,实现了多信号通道并行的方式,提高了总体传输速率,同时实现了100Gbps(4×25G)或400Gbps(8×50G)光发射器件的小型化封装。
[0030] 以上仅为本实用新型的实施方式,但并不限制本实用新型的专利范围,尽管参照前述实施方式对本实用新型进行了详细的说明,对本领域的技术人员而言,依然可以对前述具体实施方式所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分技术特征进行等效替换。凡是利用本实用新型说明书及附图内容所做的等效结构,直接或间接运用在其他相关的技术领域,均视为在本实用新型专利保护范围之内。
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