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一种顶发射型显示面板及制作方法

阅读：1025发布：2020-05-08

专利汇可以提供一种顶发射型显示面板及制作方法专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本发明提供了一种顶发射型显示面板及其制作方法。所述顶发射型显示面板包括TFT阵列基板、设置在TFT阵列基板上的发光器件和用于封装所述发光器件的封装层，其中，所述发光器件为顶发射发光器件，包括依次设置在所述TFT阵列基板上的底电极、发光层和顶电极；所述顶电极上设置有透明导电超疏水薄膜。，下面是一种顶发射型显示面板及制作方法专利的具体信息内容。

权利要求

1.一种顶发射型显示面板，其特征在于，包括TFT阵列基板、设置在TFT阵列基板上的发光器件和用于封装所述发光器件的封装层，其中，所述发光器件为顶发射发光器件，包括依次设置在所述TFT阵列基板上的底电极、发光层和顶电极；所述顶电极为透明电极，所述顶电极上设置有透明导电超疏水薄膜，所述透明导电超疏水薄膜由导电碳纳米管和疏水树脂复合组成的复合材料层，以所述透明导电超疏水薄膜的总量为100％计，所述导电碳纳米管的质量百分含量为5-20％。
2.如权利要求1所述的顶发射型显示面板，其特征在于，所述透明导电超疏水薄膜的厚度为100-1000nm。
3.如权利要求1-所述的顶发射型显示面板，其特征在于，所述透明导电超疏水薄膜为经过氟化疏水处理的透明导电超疏水薄膜。
4.如权利要求3所述的顶发射型显示面板，其特征在于，所述氟化疏水处理采用CF4 等离子体处理实现。
5.如权利要求1-4任一所述的顶发射型显示面板，其特征在于，所述透明导电超疏水薄膜表面具有微纳结构。
6.如权利要求1-4任一所述的顶发射型显示面板，其特征在于，所述发光器件为OLED或QLED。
7.如权利要求1-4任一所述的顶发射型显示面板，其特征在于，所述发光层为空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、光发射层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层的多层叠层。
8.一种顶发射型显示面板的制备方法，包括以下步骤：
提供一TFT阵列基板；
在所述TFT阵列基板上制作发光器件，且所述发光器件为顶发射发光器件，包括依次设置在所述TFT阵列基板上的底电极、发光层和顶电极，其中，所述顶电极为透明电极；
在所述顶电极上制作透明导电超疏水薄膜，所述透明导电超疏水薄膜由导电碳纳米管和疏水树脂复合组成的复合材料层，以所述透明导电超疏水薄膜的总量为100％计，所述导电碳纳米管的质量百分含量为5-20％；
进行封装处理。

说明书全文

一种顶发射型显示面板及制作方法

技术领域

[0001] 本发明属于显示技术领域，尤其涉及一种顶发射型显示面板及制作方法。

背景技术

[0002] 在信息社会的当代，作为可视信息传输媒介的显示器的重要性在进一步加强，为了在未来占据主导地位，显示器正朝着更轻、更薄、更低能耗、更低成本以及更好图像质量的趋势发展。

[0003] 有机电致发光二极管(OLED)由于具有自发光、反应快、视角广、亮度高、轻薄等优点，其潜在的市场前景被业界看好。量子点发光二极管(QLED)由于其光色纯度高、发光量子效率高、发光颜色易调等优点，近年来成了OLED的有力竞争者。因此，这两种显示技术是目前显示领域发展的两个主要方向。

[0004] 由于OLED以及QLED均为主动发光器件，因此其需要设计较为复杂的驱动电路进行驱动。然而，复杂的驱动电路导致制作的底发射发光器件开口率较小，不利于发光器件的功耗以及使用寿命。顶发射结构则可大幅提高发光器件的开口率，从而降低发光器件的功耗，提高使用寿命。但顶发射发光器件对顶部电极要求较高，既需要其具备良好的导电性，又需要满足良好的透明性。目前较为常用的顶部透明电极为较薄的金属薄膜(10-20nm)或导电金属氧化物(如ITO)。金属薄膜越薄，透光性越好，但导电性会相对降低，因此需要对其导电性和透明性进行平衡，目前仍无法达到理想效果。而ITO导电性相对有限，尤其是制作大面积器件时，其Rc(ITO自身电阻)形成的电压降会导致mura(显示器亮度不均匀，造成各种痕迹的现象)的形成，从而影响显示效果。另外，ITO通常采用溅射工艺制备，溅射工艺会对下层薄膜造成一定的损伤。此外，由于发光器件特别是OLED对水、氧比较敏感，使得顶电极需具有一定耐水氧性，且发光器件需严格的封装。因此，现有技术有待改进和进一步发展。

发明内容

[0005] 本发明的目的在于提供一种顶发射型显示面板，旨在解决由于现有顶发射发光器件的顶部透明电极难以兼顾良好的导电性和透明性、导致发光器件的性能和使用寿命不佳的问题。

[0006] 本发明的另一目的在于提供一种顶发射型显示面板的制备方法。

[0007] 本发明是这样实现的，一种顶发射型显示面板，包括TFT阵列基板、设置在TFT阵列基板上的发光器件和用于封装所述发光器件的封装层，其中，所述发光器件为顶发射发光器件，包括依次设置在所述TFT阵列基板上的底电极、发光层和顶电极；所述顶电极上设置有透明导电超疏水薄膜。

[0008] 以及，一种顶发射型显示面板的制备方法，包括以下步骤：

[0009] 提供一TFT阵列基板；

[0010] 在所述TFT阵列基板上制作发光器件，且所述发光器件为顶发射发光器件，包括依次设置在所述TFT阵列基板上的底电极、发光层和顶电极；

[0011] 在所述顶电极上制作透明导电超疏水薄膜；

[0012] 进行封装处理。

[0013] 本发明提供的顶发射型显示面板，在所述顶发射发光器件的顶部透明电极上端设置了透明导电超疏水薄膜。所述透明导电超疏水薄膜的引入，可以在保证所述顶电极导电性能的前提下，适当减小所述顶电极的厚度，进而提高整个所述顶电极的透光性。此外，由于在所述顶发射发光器件的外表面覆盖了透明导电超疏水薄膜，所述透明导电超疏水薄膜具有超疏水性，因此，可以有效地防止外部水分渗入发光器件，从而提高发光器件的使用寿命。

[0014] 本发明提供的顶发射型显示面板的制备方法，操作简单易控，易于实现显示面板的产业化生产。附图说明

[0015] 图1是本发明实施例提供的顶发射型显示面板的结构示意图；

[0016] 图2是本发明实施例提供的TFT阵列基板结构示意图；

[0017] 图3是本发明实施例提供的在TFT阵列基板上制作发光器件后的结构示意图；

[0018] 图4是本发明实施例提供的在发光器件的顶电极上制作透明导电超疏水薄膜后的结构示意图。

具体实施方式

[0019] 为了使本发明要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。

[0020] 结合图1，本发明实施例提供了一种顶发射型显示面板，包括TFT阵列基板1、设置在TFT阵列基板1上的发光器件2和用于封装所述发光器件2的封装层4，其中，所述发光器件2为顶发射发光器件，包括依次设置在所述TFT阵列基板1上的底电极21、发光层22和顶电极
23；所述顶电极23上设置有透明导电超疏水薄膜3。

[0021] 具体的，所述TFT阵列基板1具有用于驱动所述发光器件2的TFT阵列，本发明实施例可采用本领域常规的TFT阵列基板。

[0022] 本发明实施例所述发光器件2可为OLED或QLED，具体的，所述发光器件2包括依次设置在所述TFT阵列基板1上的底电极21、发光层22和顶电极23。由于所述发光器件2为顶发射发光器件，因此，所述底电极21为反射电极，用于反射从所述发光层22发射的光；所述顶电极23为透明电极，所述发光器件2的光由所述顶电极23射出。本发明实施例中，所述顶电极23为透明金属薄膜，具体包括Mg、Al、Ag或它们的合金，但不限于此。所述发光层22至少包括光发射层，优选的，为了提高所述发光器件2的发光效率，所述发光层22还包括空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层中的至少一层。作为最佳实施例，所述发光层22为包含空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、光发射层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层的多层叠层。所述发光层22中，各功能层的材料可采用本领域常规功能材料。

[0023] 本发明实施例在所述发光器件2的所述顶电极23上设置有透明导电超疏水薄膜3。所述透明导电超疏水薄膜3具有良好的导电性和超疏水性，从而可以在保证所述顶电极23导电性能的前提下，适当减小所述顶电极23的厚度，进而提高整个所述顶电极23的透光性。
作为优选实施例，所述透明导电超疏水薄膜3由导电碳纳米管和疏水树脂复合组成。其中，所述导电碳纳米管可以提供良好的导电性，所述疏水树脂提供超疏水性。进一步的，由于所述导电碳纳米管和所述疏水树脂的含量对所述透明导电超疏水薄膜3的性能有一定影响，具体的，若所述导电碳纳米管的含量太低(所述导电碳纳米管的含量相对过高)，则导电性不够；当所述导电碳纳米管的含量到一定程度后(所述导电碳纳米管的含量相对降低)，对所述透明导电超疏水薄膜3的导电性影响不大却反而影响其超疏水性。因此，优选的，以所述透明导电超疏水薄膜3的总量为100％计，所述导电碳纳米管的质量百分含量为5-20％。
作为另一个优选实施例，所述透明导电超疏水薄膜3的厚度为100-1000nm。厚度太低，所述透明导电超疏水薄膜3的导电性和超疏水性的提高有限。

[0024] 由于所述透明导电超疏水薄膜3具有良好的疏水性，因此，其可以有效抑制水分深入所述发光器件2中，从而提高其使用寿命。为了进一步提高所述透明导电超疏水薄膜3的疏水性，可以进一步对所述透明导电超疏水薄膜3进行优化处理。作为一个具体优选实施例，所述透明导电超疏水薄膜3为经过氟化疏水处理的透明导电超疏水薄膜，氟化疏水处理的所述透明导电超疏水薄膜3具有更好的超疏水性。更进一步的，所述氟化疏水处理可采用CF4 等离子体处理实现。作为另一个具体优选实施例，所述透明导电超疏水薄膜3为表面具有微纳结构的透明导电超疏水薄膜(即对所述透明导电超疏水薄膜3进行表面处理，在其表面形成微纳结构)，从而增强超疏水性。

[0025] 本发明实施例所述封装层4可采用本领域常规的封装层结构，具体的，可由封装盖板42和密封框41组成。

[0026] 本发明实施例提供的顶发射型显示面板，在所述顶发射发光器件的顶部透明电极上端设置了透明导电超疏水薄膜。所述透明导电超疏水薄膜的引入，可以在保证所述顶电极导电性能的前提下，适当减小所述顶电极的厚度，进而提高整个所述顶电极的透光性。此外，由于在所述顶发射发光器件的外表面覆盖了透明导电超疏水薄膜，所述透明导电超疏水薄膜具有超疏水性，因此，可以有效地防止外部水分渗入发光器件，从而提高发光器件的使用寿命。

[0027] 本发明实施例所述顶发射型显示面板可以通过下述方法制备获得。

[0028] 以及，结合图1-4，本发明实施例还提供了一种顶发射型显示面板的制备方法，包括以下步骤：

[0029] S01.提供一TFT阵列基板1；

[0030] S02.在所述TFT阵列基板1上制作发光器件2，且所述发光器件2为顶发射发光器件，包括依次设置在所述TFT阵列基板1上的底电极21、发光层22和顶电极23；

[0031] S03.在所述发光器件2的所述顶电极23上制作透明导电超疏水薄膜3；

[0032] S04.进行封装处理。

[0033] 具体的，如图2所示，上述步骤S01中，所述TFT阵列基板1可采用本领域常规的TFT阵列基板，其具有用于驱动所述发光器件2的TFT阵列。

[0034] 如图3所示，上述步骤S02中，在所述TFT阵列基板1上制作发光器件2的方法可采用常规方法实现。其中，所述发光器件2可为OLED或QLED，具体的，所述发光器件2包括依次设置在所述TFT阵列基板1上的底电极21、发光层22和顶电极23。

[0035] 如图4所示，上述步骤S03中，在所述发光器件2的所述顶电极23上制作透明导电超疏水薄膜3，使得所述透明导电超疏水薄膜3覆盖所述顶电极23表面，发挥提高导电性和防止水分渗入的功能。

[0036] 上述步骤S04中，所述封装处理可采用本领域常规的封装方法。进行封装处理后得到的所述顶发射型显示面板的结构如图1所示。

[0037] 本发明实施例提供的顶发射型显示面板的制备方法，操作简单易控，易于实现显示面板的产业化生产。

[0038] 以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

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