抑制输入冲击电流的电路装置
专利汇可以提供抑制输入冲击电流的电路装置专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且一种抑制输入冲击 电流 的 电路 装置，包括：MOSFET场效应管（M1），其源极连接到输入 电压 的正 端子 ，带内阻的电压 信号 源给MOSFET场效应管提供 门 极驱动电压，电压信号源的正输出端连接输入电压的正端子，电压信号源负输出连接MOSFET场效应管的门极；总线储能电容器（C1），其正极连接到MOSFET场效应管（M1）的漏极，负极连接到输入电压的负端子；第二 电阻 器 （R2），其一端连接到总线储能电容器（C1）的正极；以及光电 耦合器 （OP1），其内含的光电 二极管 的负极连接到第二 电阻器 （R2）的另一端，其内含的 光电二极管 的正极连接到输入电压的正端子，其内含的 三极管 的集 电极 连接到输入电压的正端子，其内含的三极管的发射极连接到MOSFET场效应管（M1）的门极。，下面是抑制输入冲击电流的电路装置专利的具体信息内容。
1.一种抑制输入冲击电流的电路装置，其特征在于包括：
MOSFET场效应管（M1），其源极连接到输入电压的正端子，带内阻的电压信号源给MOSFET场效应管提供门极驱动电压，电压信号源的正输出端连接输入电压的正端子，电压信号源负输出连接MOSFET场效应管的门极；
总线储能电容器（C1），其正极连接到MOSFET场效应管（M1）的漏极，负极连接到输入电压的负端子；
第二电阻器（R2），其一端连接到总线储能电容器（C1）的正极；以及光电耦合器（OP1），其内含的光电二极管的负极连接到第二电阻器（R2）的另一端，其内含的光电二极管的正极连接到输入电压的正端子，其内含的三极管的集电极连接到输入电压的正端子，其内含的三极管的发射极连接到MOSFET场效应管（M1）的门极。
2.如权利要求1所述的抑制输入冲击电流的电路装置，其特征在于：MOSFET场效应管（M1）为P型MOSFET场效应管。
3.如权利要求1所述的抑制输入冲击电流的电路装置，其特征在于：所述的抑制输入冲击电流的电路装置以单独的集成电路产品来实现。
4.如权利要求1所述的抑制输入冲击电流的电路装置，其特征在于：还包括串联在输入电压的正端子与总线储能电容器（C1）正极之间的第三电阻器（R3）。
5.如权利要求4所述的抑制输入冲击电流的电路装置，其特征在于：
所述第三电阻器（R3）为负温度系数电阻器或定值电阻器。
6.如权利要求1所述的抑制输入冲击电流的电路装置，其特征在于：
所述电压信号源包括：
稳压管（Z1），其负极连接到输入电压的正端子，正极连接到MOSFET场效应管（M1）的门极；以及
第一电阻器（R1），其一端连接到稳压管（Z1）的正极，另一端连接到输入电压的负端子。
7.一种抑制输入冲击电流的电路装置，其特征在于包括：
MOSFET场效应管（M1），其源极连接到输入电压的负端子，带内阻的电压信号源给MOSFET场效应管提供门极驱动电压，电压信号源的负输出端连接输入电压的负端子，电压信号源正输出连接MOSFET场效应管的门极；
总线储能电容器（C1），其负极连接到MOSFET场效应管（M1）的漏极，正极连接到输入电压的正端子；
第二电阻器（R2），其一端连接到总线储能电容器（C1）的负极；以及光电耦合器（OP1），其内含的光电二极管的正极连接到第二电阻器（R2）的另一端，其内含的光电二极管的负极连接到输入电压的负端子，其内含的三极管的发射极连接到输入电压的负端子，其内含的三极管的集电极连接到MOSFET场效应管（M1）的门极。
8.如权利要求7所述的抑制输入冲击电流的电路装置，其特征在于：MOSFET场效应管（M1）为N型MOSFET场效应管。
9.如权利要求7所述的抑制输入冲击电流的电路装置，其特征在于：所述的抑制输入冲击电流的电路装置以单独的集成电路产品来实现。
10.如权利要求7所述的抑制输入冲击电流的电路装置，其特征在于：还包括并联在输入电压的负端子与总线储能电容器（C1）负极之间的第三电阻器（R3）。
11.如权利要求10所述的抑制输入冲击电流的电路装置，其特征在于：
所述第三电阻器（R3）为负温度系数电阻器或定值电阻器。
12.如权利要求7所述的抑制输入冲击电流的电路装置，其特征在于：
所述电压信号源包括：
稳压管（Z1），其正极连接到输入电压的负端子，负极连接到MOSFET场效应管（M1）的门极；以及
第一电阻器（R1），其一端连接到稳压管（Z1）的负极，另一端连接到输入电压的正端子。
抑制输入冲击电流的电路装置
技术领域
背景技术
具体实施方式
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