成像传感器和成像模组
阅读：946发布：2020-05-08
专利汇可以提供成像传感器和成像模组专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且一种成像 传感器 和成像模组，其中成像传感器包括： 基板 ；位于所述基板上的多个 像素 单元，用于采集带有成像信息的光 信号 并将所述 光信号 转换为像素 电信号 ，所述像素单元呈阵列排布用于形成像素阵列；位于所述像素阵列四周的多个 偏压 伪像素单元，与所述像素单元相连，用于向所述像素单元提供偏置 电压 ；位于所述偏压伪像素单元远离所述像素单元一侧的至少一个感触伪像素单元，用于构成电容结构以感测触摸，形成触摸电信号。本 发明 技术方案能够有效减小所述偏压伪像素单元和所述感触伪像素单元与像素单元之间的色差，有利于改善所形成成像传感器的外观。，下面是成像传感器和成像模组专利的具体信息内容。
1.一种成像传感器，其特征在于，包括：
基板；
位于所述基板上的多个像素单元，用于采集带有成像信息的光信号并将所述光信号转换为像素电信号，所述像素单元呈阵列排布用于形成像素阵列；
位于所述像素阵列四周的多个偏压伪像素单元，与所述像素单元相连，用于向所述像素单元提供偏置电压；
位于所述偏压伪像素单元远离所述像素单元一侧的至少一个感触伪像素单元，用于构成电容结构以感测触摸，形成触摸电信号。
2.如权利要求1所述的成像传感器，其特征在于，所述成像传感器还包括：位于基板上的驱动电路，与所述像素单元相连，用于产生能够使所述像素电信号被读取的驱动信号；
所述感触伪像素单元位于所述驱动电路与所述偏压伪像素单元之间。
3.如权利要求2所述的成像传感器，其特征在于，所述成像传感器还包括：连接所述驱动电路和所述像素单元的多根扫描线，用于传输所述驱动信号，所述扫描线沿第一方向延伸；
沿所述第一方向排列的所述感触伪像素单元相连。
4.如权利要求1所述的成像传感器，其特征在于，所述成像传感器还包括：位于所述基板上的像素读出电路，与所述像素单元相连，用于读取所述像素电信号；
所述感触伪像素单元位于所述像素读出电路与所述偏压伪像素单元之间。
5.如权利要求4所述的成像传感器，其特征在于，所述成像传感器还包括：连接所述像素读出电路和所述像素单元的多根像素数据线，用于传输所述像素电信号，所述像素数据线沿第二方向延伸；
沿第二方向排列的所述感触伪像素单元相连。
6.如权利要求1所述的成像传感器，其特征在于，所述成像传感器还包括：位于基板上的多根像素数据线，与所述像素单元相连，用于传输所述像素电信号；
所述像素电信号通过一像素读出电路读取，所述多根像素数据线沿第二方向延伸且在所述像素阵列的一侧与所述像素读出电路相连；
所述感触伪像素单元位于所述像素阵列沿第二方向的另一侧。
7.如权利要求6所述的成像传感器，其特征在于，所述感触伪像素单元呈阵列排布用于形成感触阵列；
位于同行的所述感触伪像素单元相连；或者位于同列的所述感触伪像素单元相连；或者位于同行的所述感触伪像素单元相连且位于同列的所述感触伪像素单元相连。
8.如权利要求1所述的成像传感器，其特征在于，所述成像传感器还包括：位于所述基板上与所述感触伪像素单元相连的一个或多个感触数据线，用于传输所述触摸电信号；
所述触摸电信号通过一感触读出电路读取，所述感触读出电路通过所述感触数据线与所述感触伪像素单元相连。
9.如权利要求8所述的成像传感器，其特征在于，所述感触伪像素单元的数量为多个，所述多个所述感触伪像素单元呈阵列排布用于形成感触阵列；
一个感触阵列中的所述多个感触伪像素单元相连，通过一个感触数据线与所述感触读出电路相连。
10.如权利要求1所述的成像传感器，其特征在于，所述像素单元包括：光电二极管以及与所述光电二极管相连的开关器件，所述光电二极管具有用于采集光信号的感光区；
所述偏压伪像素单元包括：第一吸光导电结构和与所述第一吸光导电结构相连的伪开关，所述第一吸光导电结构包括第一吸光区，所述第一吸光区在所述基板表面的投影与所述感光区在所述基板表面的投影相同；
所述感触伪像素单元包括：第二吸光导电结构，所述第二吸光导电结构包括第二吸光区，所述第二吸光区在所述基板表面的投影与所述感光区在所述基板表面的投影相同。
11.如权利要求10所述的成像传感器，其特征在于，所述成像传感器还包括：
位于所述基板上沿第一方向延伸的扫描线，用于传输能够使所述像素电信号被读取的驱动信号；
位于所述基板上沿第二方向延伸的像素数据线，用于传输所述像素电信号；
所述光电二极管包括：位于所述基板上的底电极、位于所述底电极上的管芯以及位于所述管芯上的顶电极；所述开关器件包括：与所述扫描线相连的栅极、与所述底电极相连的源极、与所述像素数据线相连的漏极以及与所述源极和漏极相连且位于所述栅极上方对应位置处的半导体层；
所述第一吸光导电结构包括：位于所述基板上的第一中导电层、位于所述第一中导电层上的第一吸光层以及位于所述第一吸光层上的第一上导电层，所述第一中导电层在所述基板表面的投影与所述底电极在所述基板表面的投影相同，所述第一吸光层在所述基板表面的投影与所述管芯在所述基板表面的投影相同，所述第一上导电层在所述基板表面的投影与所述顶电极在所述基板表面的投影相同；所述伪开关包括：与所述扫描线相连的伪栅极、与所述第一中导电层相连的伪源极以及与所述伪源极相连且位于所述伪栅极上方对应位置处的伪沟道层，所述伪栅极在所述基板表面的投影与所述栅极在所述基板表面的投影相同，所述伪源极在所述基板表面的投影与所述源极在所述基板表面的投影相同，所述伪沟道层在所述基板表面的投影与所述半导体层在所述基板表面的投影相同；
所述第二吸光导电结构包括：位于所述基板上的第二中导电层、位于所述第二中导电层上的第二吸光层以及位于所述第二吸光层上的第二上导电层，所述第二吸光层在所述基板表面的投影与所述管芯在所述基板表面的投影相同。
12.如权利要求11所述的成像传感器，其特征在于，相邻像素单元中光电二极管的底电极之间电绝缘；
所述成像传感器还包括：
实现相邻所述偏压伪像素单元相连的偏压连接线，所述偏压连接线与所述偏压伪像素单元中第一吸光导电结构的第一中导电层相连；
实现相邻所述感触伪像素单元相连的感触连接线，所述感触连接线与相邻感触伪像素单元中第二吸光导电结构的第二中导电层相连。
13.如权利要求11所述的成像传感器，其特征在于，所述成像传感器还包括：位于所述像素阵列上的连接层，所述连接层与所述顶电极通过第一通孔实现电连接；
所述连接层延伸至所述偏压伪像素单元上，与所述第一上导电层通过第二通孔实现电连接。
14.如权利要求11所述的成像传感器，其特征在于，所述成像传感器还包括：位于所述基板上的介质层；
所述光电二极管位于所述介质层上；所述开关器件中，所述栅极位于所述基板和所述介质层之间，所述源极、所述漏极以及所述半导体层位于所述介质层上；
所述第一吸光导电结构位于所述介质层上，所述伪栅极位于所述基板和所述介质层之间，所述伪源极和所述伪沟道层位于所述介质层上；
所述第二吸光导电结构位于所述介质层上；
所述像素单元还包括：位于所述介质层和所述基板之间的存储电极，所述存储电极与所述底电极用于形成存储电容；
所述偏压伪像素单元还包括：位于所述介质层和所述基板之间的第一下导电层，所述第一下导电层在所述基板表面的投影与所述存储电极在所述基板表面的投影相同；所述第一下导电层与所述第一中导电层通过贯穿所述介质层的第三通孔相接触；
所述感触伪像素单元还包括：位于所述介质层和所述基板之间的第二下导电层，所述第二下导电层在所述基板表面的投影与所述存储电极在所述基板表面的投影相同。
15.如权利要求14所述的成像传感器，其特征在于，所述感触伪像素单元包括设置有第四通孔的第一感触伪像素单元和未设置有第四通孔的第二感触伪像素单元，所述第一感触伪像素单元的第二下导电层通过所述第四通孔与所述第二中导电层相连。
16.如权利要求15所述的成像传感器，其特征在于，沿所述第一方向排列的所述感触伪像素单元相连；
所述第一感触伪像素单元位于相连的所述第二感触伪像素单元靠近所述像素阵列的一侧；
或者，所述第一感触伪像素单元位于相连的第二感触伪像素单元远离所述像素阵列的一侧；
或者，所述第一感触伪像素单元位于相连的第二感触伪像素单元靠近所述像素阵列的一侧以及相连的第二感触伪像素单元远离所述像素阵列的一侧。
17.如权利要求15所述的成像传感器，其特征在于，所述成像传感器还包括：沿第二方向设置的多段伪数据线，所述伪数据线位于相邻第二感触伪像素单元之间且位于相邻扫描线之间，所述伪数据线与所述像素数据线平行且所述伪数据线的线宽与所述像素数据线的线宽相等。
18.如权利要求17所述的成像传感器，其特征在于，所述扫描线在基板表面的投影和所述像素数据线在基板表面的投影围成的区域为像素区；
所述扫描线在基板表面的投影与所述伪数据线在基板表面的投影围成的区域为感触伪像素区；
所述像素单元在所述像素区的投影和所述第二感触伪像素单元在所述感触伪像素区的投影相同。
19.如权利要求18所述的成像传感器，其特征在于，所述光电二极管的底电极、所述开关器件的源极、漏极、栅极以及半导体层用于形成遮光叠层；
所述第二吸光导电结构的第二中导电层在所述感触伪像素区的投影与所述遮光叠层在所述像素区的投影相同。
20.如权利要求1所述的成像传感器，其特征在于，位于基板上的所述至少一个感触伪像素单元在所述基板表面的投影面积之和在1mm2到30mm2范围内。
21.如权利要求1所述的成像传感器，其特征在于，所述成像传感器为指纹成像传感器；
所述像素单元用于采集带有指纹信息的光信号。
22.一种成像模组，其特征在于，包括：
如权利要求1至权利要求21任意一项权利要求所述的成像传感器；
外壳，所述外壳上具有贯穿所述外壳的通孔，贯穿所述外壳的通孔露出所述像素单元、所述偏压伪像素单元以及所述感触伪像素单元。
成像传感器和成像模组
技术领域
[0001] 本发明涉及成像传感器领域，特别涉及一种成像传感器和成像模组。
背景技术
[0002] 指纹识别技术通过成像传感器采集到人体的指纹图像，然后与指纹识别系统里已有指纹成像信息进行比对，以实现身份识别。由于使用的方便性，以及人体指纹的唯一性，指纹识别技术已经大量应用于各个领域，比如：公安局、海关等安检领域，楼宇的门禁系统，以及个人电脑和手机等消费品领域等等。
[0004] 唤醒技术是现有技术中的一种电源管理方法：在设备未被使用时，使设备进入休眠模式，以降低功耗；当设备被使用时，发送控制信号以唤醒设备，使设备从休眠状态转换为工作状态。在成像传感器中，引入触摸唤醒功能，有利于能够降低成像传感器的能耗。
[0005] 指纹识别技术应用于手机或其他电子设备时，成像模组成为了设备外观的一部分，需要露出成像传感器。但是现有技术中，引入触摸唤醒功能的成像传感器外观效果不佳，存在色差问题。
发明内容
[0006] 本发明解决的问题是提供一种成像传感器和成像模组，以减少色差，改善成像传感器的外观效果。
[0007] 为解决上述问题，本发明提供一种成像传感器，包括：
[0008] 基板；位于所述基板上的多个像素单元，用于采集带有成像信息的光信号并将所述光信号转换为像素电信号，所述像素单元呈阵列排布用于形成像素阵列；位于所述像素阵列四周的多个偏压伪像素单元，与所述像素单元相连，用于向所述像素单元提供偏置电压；位于所述偏压伪像素单元远离所述像素单元一侧的至少一个感触伪像素单元，用于构成电容结构以感测触摸，形成触摸电信号。
[0009] 可选的，所述成像传感器还包括：位于基板上的驱动电路，与所述像素单元相连，用于产生能够使所述像素电信号被读取的驱动信号；所述感触伪像素单元位于所述驱动电路与所述偏压伪像素单元之间。
[0010] 可选的，所述成像传感器还包括：连接所述驱动电路和所述像素单元的多根扫描线，用于传输所述驱动信号，所述扫描线沿第一方向延伸；沿所述第一方向排列的所述感触伪像素单元相连。
[0011] 可选的，所述成像传感器还包括：位于所述基板上的像素读出电路，与所述像素单元相连，用于读取所述像素电信号；所述感触伪像素单元位于所述像素读出电路与所述偏压伪像素单元之间。
[0012] 可选的，所述成像传感器还包括：连接所述像素读出电路和所述像素单元的多根像素数据线，用于传输所述像素电信号，所述像素数据线沿第二方向延伸；沿第二方向排列的所述感触伪像素单元相连。
[0013] 可选的，所述成像传感器还包括：位于基板上的多根像素数据线，与所述像素单元相连，用于传输所述像素电信号；所述像素电信号通过一像素读出电路读取，所述多根像素数据线沿第二方向延伸且在所述像素阵列的一侧与所述像素读出电路相连；所述感触伪像素单元位于所述像素阵列沿第二方向的另一侧。
[0014] 可选的，所述感触伪像素单元呈阵列排布用于形成感触阵列；位于同行的所述感触伪像素单元相连；或者位于同列的所述感触伪像素单元相连；或者位于同行的所述感触伪像素单元相连且位于同列的所述感触伪像素单元相连。
[0015] 可选的，所述成像传感器还包括：位于所述基板上与所述感触伪像素单元相连的一个或多个感触数据线，用于传输所述触摸电信号；所述触摸电信号通过一感触读出电路读取，所述感触读出电路通过所述感触数据线与所述感触伪像素单元相连。
[0016] 可选的，所述感触伪像素单元的数量为多个，所述多个所述感触伪像素单元呈阵列排布用于形成感触阵列；一个感触阵列中的所述多个感触伪像素单元相连，通过一个感触数据线与所述感触读出电路相连。
[0017] 可选的，所述像素单元包括：光电二极管以及与所述光电二极管相连的开关器件，所述光电二极管具有用于采集光信号的感光区；所述偏压伪像素单元包括：第一吸光导电结构和与所述第一吸光导电结构相连的伪开关，所述第一吸光导电结构包括第一吸光区，所述第一吸光区在所述基板表面的投影与所述感光区在所述基板表面的投影相同；所述感触伪像素单元包括：第二吸光导电结构，所述第二吸光导电结构包括第二吸光区，所述第二吸光区在所述基板表面的投影与所述感光区在所述基板表面的投影相同。
[0018] 可选的，所述成像传感器还包括：位于所述基板上沿第一方向延伸的扫描线，用于传输能够使所述像素电信号被读取的驱动信号；位于所述基板上沿第二方向延伸的像素数据线，用于传输所述像素电信号；所述光电二极管包括：位于所述基板上的底电极、位于所述底电极上的管芯以及位于所述管芯上的顶电极；所述开关器件包括：与所述扫描线相连的栅极、与所述底电极相连的源极、与所述像素数据线相连的漏极以及与所述源极和漏极相连且位于所述栅极上方对应位置处的半导体层；所述第一吸光导电结构包括：位于所述基板上的第一中导电层、位于所述第一中导电层上的第一吸光层以及位于所述第一吸光层上的第一上导电层，所述第一中导电层在所述基板表面的投影与所述底电极在所述基板表面的投影相同，所述第一吸光层在所述基板表面的投影与所述管芯在所述基板表面的投影相同，所述第一上导电层在所述基板表面的投影与所述顶电极在所述基板表面的投影相同；所述伪开关包括：与所述扫描线相连的伪栅极、与所述第一中导电层相连的伪源极以及与所述伪源极相连且位于所述伪栅极上方对应位置处的伪沟道层，所述伪栅极在所述基板表面的投影与所述栅极在所述基板表面的投影相同，所述伪源极在所述基板表面的投影与所述源极在所述基板表面的投影相同，所述伪沟道层在所述基板表面的投影与所述半导体层在所述基板表面的投影相同；所述第二吸光导电结构包括：位于所述基板上的第二中导电层、位于所述第二中导电层上的第二吸光层以及位于所述第二吸光层上的第二上导电层，所述第二吸光层在所述基板表面的投影与所述管芯在所述基板表面的投影相同。
[0019] 可选的，相邻像素单元中光电二极管的底电极之间电绝缘；所述成像传感器还包括：实现相邻所述偏压伪像素单元相连的偏压连接线，所述偏压连接线与所述偏压伪像素单元中第一吸光导电结构的第一中导电层相连；实现相邻所述感触伪像素单元相连的感触连接线，所述感触连接线与相邻感触伪像素单元中第二吸光导电结构的第二中导电层相连。
[0020] 可选的，所述成像传感器还包括：位于所述像素阵列上的连接层，所述连接层与所述顶电极通过第一通孔实现电连接；所述连接层延伸至所述偏压伪像素单元上，与所述第一上导电层通过第二通孔实现电连接。
[0021] 可选的，所述成像传感器还包括：位于所述基板上的介质层；所述光电二极管位于所述介质层上；所述开关器件中，所述栅极位于所述基板和所述介质层之间，所述源极、所述漏极以及所述半导体层位于所述介质层上；所述第一吸光导电结构位于所述介质层上，所述伪栅极位于所述基板和所述介质层之间，所述伪源极和所述伪沟道层位于所述介质层上；所述第二吸光导电结构位于所述介质层上；所述像素单元还包括：位于所述介质层和所述基板之间的存储电极，所述存储电极与所述底电极用于形成存储电容；所述偏压伪像素单元还包括：位于所述介质层和所述基板之间的第一下导电层，所述第一下导电层在所述基板表面的投影与所述存储电极在所述基板表面的投影相同；所述第一下导电层与所述第一中导电层通过贯穿所述介质层的第三通孔相接触；所述感触伪像素单元还包括：位于所述介质层和所述基板之间的第二下导电层，所述第二下导电层在所述基板表面的投影与所述存储电极在所述基板表面的投影相同。
[0022] 可选的，所述感触伪像素单元包括设置有第四通孔的第一感触伪像素单元和未设置有第四通孔的第二感触伪像素单元，所述第一感触伪像素单元的第二下导电层通过所述第四通孔与所述第二中导电层相连。
[0023] 可选的，沿所述第一方向排列的所述感触伪像素单元相连；所述第一感触伪像素单元位于相连的所述第二感触伪像素单元靠近所述像素阵列的一侧；或者，所述第一感触伪像素单元位于相连的第二感触伪像素单元远离所述像素阵列的一侧；或者，所述第一感触伪像素单元位于相连的第二感触伪像素单元靠近所述像素阵列的一侧以及相连的第二感触伪像素单元远离所述像素阵列的一侧。
[0024] 可选的，所述成像传感器还包括：沿第二方向设置的多段伪数据线，所述伪数据线位于相邻第二感触伪像素单元之间且位于相邻扫描线之间，所述伪数据线与所述像素数据线平行且所述伪数据线的线宽与所述像素数据线的线宽相等。
[0025] 可选的，所述扫描线在基板表面的投影和所述像素数据线在基板表面的投影围成的区域为像素区；所述扫描线在基板表面的投影与所述伪数据线在基板表面的投影围成的区域为感触伪像素区；所述像素单元在所述像素区的投影和所述第二感触伪像素单元在所述感触伪像素区的投影相同。
[0026] 可选的，所述光电二极管的底电极、所述开关器件的源极、漏极、栅极以及半导体层用于形成遮光叠层；所述第二吸光导电结构的第二中导电层在所述感触伪像素区的投影与所述遮光叠层在所述像素区的投影相同。
[0027] 可选的，位于基板上的所述至少一个感触伪像素单元在所述基板表面的投影面积之和在1mm2到30mm2范围内。
[0028] 可选的，所述成像传感器为指纹成像传感器；所述像素单元用于采集带有指纹信息的光信号。
[0029] 相应的，本发明还提供一种成像模组，包括：
[0030] 本发明的成像传感器；外壳，所述外壳上具有通孔，所述通孔露出所述像素单元、所述偏压伪像素单元以及所述感触伪像素单元。
[0031] 与现有技术相比，本发明的技术方案具有以下优点：
[0032] 本发明技术方案中，采用与像素单元结构类似的偏压伪像素单元向像素单元提供偏置电压；以及与像素单元结构类似的感触伪像素单元感测触摸。由于所述偏压伪像素单元和所述感触伪像素单元与所述像素单元结构类似，因此所述偏压伪像素单元和所述感触伪像素单元也能够吸收光线，所以与采用金属或透明氧化物导体形成偏置电压环和触碰层的技术方案相比，本发明技术方能够有效减小所述偏压伪像素单元和所述感触伪像素单元与像素单元之间的色差，有利于改善所形成成像传感器的外观。
[0033] 本发明可选方案中，所述像素单元包括位于基板上的光电二极管，所述光电二极管具有用于采集光信号的感光区；所述偏压伪像素单元包括位于所述基板上的第一吸光导电结构，所述第一吸光导电结构包括第一吸光区；所述感触伪像素单元包括位于所述基板上的第二吸光导电结构，所述第二吸光导电结构包括第二吸光区；所述第一吸光区、所述第二吸光区和所述感光区在所述基板表面的投影相同。将所述第一吸光区和所述第二吸光区设置成为在所述基板表面的投影与所述感光区在所述基板表面的投影相同的做法，能够有效的提高所述偏压伪像素单元和所述感触伪像素单元与所述像素单元对光线作用的相似程度，有利于减小所述偏压伪像素单元和所述感触伪像素单元与像素单元之间色差，有利于改善所述成像模组的外观。
[0034] 本发明可选方案中，扫描线在基板表面的投影和像素数据线在基板表面的投影围成的区域为像素区；扫描线在基板表面的投影与伪数据线在基板表面的投影或者所述感触数据线在所述基板表面的投影围成的区域为感触伪像素区；所述像素单元在所述像素区的投影和所述第二感触伪像素单元在所述感触伪像素区的投影相同。将所述第二感触伪像素单元设置为在所述感触伪像素区投影与所述像素单元在所述像素区投影相同的做法，能够利用所述第二感触伪像素单元的结构遮挡光线，从而减小所述偏压伪像素单元和所述感触伪像素单元与像素单元之间色差，有利于改善所述成像模组的外观。
[0035] 本发明可选方案中，所述像素单元中，光电二极管包括：底电极、管芯和顶电极，所述开关器件包括：源极、漏极、栅极以及半导体层；所述偏压伪像素单元中，第一吸光导电结构包括：第一中导电层、第一吸光层和第一上导电层，所述伪开关包括：伪栅极、伪源极和伪沟道层；所述感触伪像素单元中，第二吸光导电结构包括：第二中导电层、第二吸光层和第二上导电层。所述偏压伪像素单元和所述感触伪像素单元与所述像素单元结构类似，能够通过同一工艺过程形成，有利于减少工艺步骤，降低工艺成本，而且无需对现有产线进行较大改动即可生产制作，无需增加额外工艺和成本。附图说明
[0036] 图1是一种触摸唤醒成像传感器的结构示意图；
[0037] 图2是本发明成像传感器第一实施例俯视结构示意图；
[0038] 图3是本发明成像传感器第二实施例俯视结构示意图；
[0039] 图4是本发明成像传感器第三实施例俯视结构示意图；
[0040] 图5是本发明成像传感器第四实施例的俯视结构示意图；
[0041] 图6是图5所示实施例中方框460内结构的放大示意图；
[0042] 图7是图6所示实施例中像素单元410的俯视结构示意图；
[0043] 图8是图7所示实施例中沿AA线的剖视结构示意图；
[0044] 图9是图7所示实施例中沿BB线的剖视结构示意图；
[0045] 图10是图6所示实施例中偏压伪像素单元420的俯视结构示意图；
[0046] 图11是图10所示实施例中沿CC线的剖视结构示意图；
[0047] 图12是图10所示实施例中沿DD线的剖视结构示意图；
[0048] 图13是图6所示实施例中感触伪像素单元430的俯视结构示意图；
[0049] 图14是图13所示实施例中沿EE线的剖视结构示意图；
[0050] 图15是图13所示实施例中沿FF线的剖视结构示意图；
[0051] 图16是本发明成像模组一实施例的结构示意图。
具体实施方式
[0052] 由背景技术可知，现有技术中引入触摸唤醒功能的成像传感器存在色差问题。现结合一种触摸唤醒的成像传感器的结构分析其色差问题的原因：
[0053] 参考图1，示出了一种触摸唤醒成像传感器的结构示意图。
[0054] 所述成像传感器包括：
[0055] 基板10；位于基板10上的像素阵列11，包括呈阵列排布的像素单元，用于将带有指纹信息的光信号转换为电信号；位于基板10上的驱动电路12，用于产生能够使所述电信号被读出的驱动信号；位于基板10上的多根扫描线13，连接驱动电路12和像素单元，用于传输所述驱动信号；位于基板10上的触碰层14，用于作为电容结构的一个极板以感测触摸，所述触碰层14位于所述驱动电路12和所述像素阵列11之间。
[0056] 当进行指纹检测时，在受到触摸的前后，所述触碰层14与地端之间的电容值会发生变化，通过感测所述电容值的变化，可以判断是否受到触摸，从而实现触摸唤醒。
[0057] 所述成像传感器为光学式成像传感器，所述像素单元包括用于将带有指纹信息的光信号转换为电信号的光电器件以及与所述光电器件相连的开关器件。图1所示成像传感器中，所述光电器件为非晶硅光电二极管，所述开关器件为非晶硅薄膜晶体管。
[0058] 所以所述成像传感器还包括：位于所述基板10上的偏置电压环15，所述偏置电压环15与所述像素单元中的光电器件相连，用于向所述光电器件加载偏置电压信号。
[0059] 所述成像传感器用于构成成像模组时，所述成像传感器的基板10包括可视区16，所述像素阵列11、所述偏置电压环15以及所述触碰层14均位于所述可视区16的基板10上。
[0060] 所述成像模组还包括起保护作用的外壳(图中未示出)，所述外壳上具有通孔，所述通孔露出所述基板10的可视区16。所以在应用于手机或其他电子设备时，所述成像传感器可视区16基板10上的部分会成为电子设备外观的一部分。
[0061] 由于像素单元用于将光信号转换为电信号，也就是说，像素单元吸收光信号并转换为相应量的电信号，所以像素阵列11对光线具有吸收作用；而所述偏置电压环15和所述触碰层14通常为金属或透明氧化物导体，所以所述偏置电压环15和所述触碰层14对光线具有反射或者透射作用。所述像素阵列11、所述偏置电压环15和所述触碰层14对光线的不同作用，造成了所述像素阵列11、所述偏置电压环15和所述触碰层14之间出现色差，从而影响了所述成像模组的外观效果。
[0062] 为解决所述技术问题，本发明提供一种成像传感器，包括：
[0063] 基板；位于所述基板上的多个像素单元，用于采集带有成像信息的光信号并将所述光信号转换为像素电信号，所述像素单元呈阵列排布用于形成像素阵列；位于所述像素阵列四周的多个偏压伪像素单元，与所述像素单元相连，用于向所述像素单元提供偏置电压；位于所述偏压伪像素单元远离所述像素单元一侧的至少一个感触伪像素单元，用于构成电容结构以感测触摸，形成触摸电信号。
[0064] 本发明技术方案中，采用与像素单元结构类似的偏压伪像素单元向像素单元提供偏置电压；以及与像素单元结构类似的感触伪像素单元感测触摸。由于所述偏压伪像素单元和所述感触伪像素单元与所述像素单元结构类似，因此所述偏压伪像素单元和所述感触伪像素单元也能够吸收光线，所以与采用金属或透明氧化物导体形成偏置电压环和触碰层的技术方案相比，本发明技术方能够有效减小所述偏压伪像素单元和所述感触伪像素单元与像素单元之间的色差，有利于改善所形成成像传感器的外观。
[0065] 为使本发明的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施例做详细的说明。
[0066] 参考图2，示出了本发明成像传感器第一实施例俯视结构示意图。
[0067] 如图2所示，所述成像传感器包括：
[0068] 基板100；位于所述基板100上的多个像素单元110，用于采集带有成像信息的光信号并将所述光信号转换为像素电信号，所述像素单元110呈阵列排布用于形成像素阵列110m；位于所述像素阵列110m四周的多个偏压伪像素单元120，与所述像素单元110相连，用于向所述像素单元110提供偏置电压；位于所述偏压伪像素单元120远离所述像素单元110一侧的至少一个感触伪像素单元130，用于构成电容结构以感测触摸，形成触摸电信号。
[0069] 所述偏压伪像素单元120和所述感触伪像素单元130与所述像素单元110结构类似，因此所述偏压伪像素单元120和所述感触伪像素单元130也能够吸收光线，所以采用所述偏压伪像素单元120代替偏置电压环，采用所述感触伪像素单元130代替触碰层，既能够实现像素单元偏置电压的提供，能够实现触摸的感测，又能够有效的减小所述偏压伪像素单元120和所述感触伪像素单元130与像素单元110之间的色差，有利于改善所形成成像传感器的外观。
[0070] 需要说明的是，本实施例中，所述成像传感器为指纹成像传感器，用于采集指纹图像。所以所述像素单元110用于采集携带有指纹信息的光信号，并将所述光信号转换为电信号，以获得所述指纹图像。本发明其他实施例中，所述成像传感器也可以是其他用途的成像传感器。
[0071] 所述基板100为制造工艺提供操作平台。本实施例中，所述基板100的材料为玻璃。采用玻璃材质的基板100形成所述成像传感器的好处在于，成本低廉，能够降低所述成像传感器的制造成本，而且玻璃基板100良好的绝缘性也能够避免基板100上所述像素单元110之间的干扰，提高所形成成像传感器的信噪比，改善性能。
[0073] 所述像素单元110呈阵列排布，用于形成像素阵列110m。所述像素阵列110m用于采集光信号并将所述光信号转换为像素电信号。具体的，本实施例中，所述成像传感器为指纹成像传感器，所以所述像素单元110用于采集携带有指纹信息的光信号并将所述光信号转换为像素电信号。
[0074] 所述偏压伪像素单元120与所述像素单元110相连，用于向所述像素单元110提供偏置电压。本实施例中，所述多个偏压伪像素单元120分布于所述像素阵列110m四周，构成包围所述像素阵列110m的环状。
[0075] 感触伪像素单元130用于构成电容结构以感测触摸，形成触摸电信号。具体的，本实施例中，在进行指纹感测时，所述感触伪像素单元130作为电容的一个极板，所述手指作为另一个极板，通过感测所述感触伪像素单元130与大地之间电容值的变化实现对触摸的感测，从而形成触摸电信号。所述感触伪像素单元130位于所述偏压伪像素单元120远离所述像素单元110的一侧。
[0076] 需要说明的是，位于基板100上的所述至少一个感触伪像素单元130在所述基板100表面的投影面积之和在1mm2到30mm2范围内。所述感触伪像素单元130在所述基板100表面投影的总面积如果太大，则会使所述成像传感器面积过大，影响所述成像传感器的集成度；所述感触伪像素单元130在所述基板100表面投影的总面积如果太小，则所述感触伪像素单元130所构成电容结构的面积太小，可能会影响所述感触伪像素单元130对触摸的感测灵敏度。
[0077] 如图2所示，本实施例中，所述成像传感器还包括：位于基板100上的驱动电路140，与所述像素单元110相连，用于产生能够使所述像素电信号被读取的驱动信号；所述感触伪像素单元130位于所述驱动电路140与所述偏压伪像素单元120之间。
[0078] 具体的，所述像素阵列110m的行方向为第一方向，所述像素阵列110m的列方向为第二方向；所述基板100上设置有2个驱动电路140，分别位于沿第一方向所述像素阵列110m的两侧。所述感触伪像素单元130的数量为多个，所述多个感触伪像素单元130呈阵列排布用于形成感触阵列130m。本实施例中，基板100上所述多个感触伪像素单元130构成2个感触阵列130m，所述2个感触阵列130m分别位于沿第一方向所述像素阵列110m的两侧，且设置于所述驱动电路140和所述偏压伪像素单元120之间。
[0079] 所述成像传感器还包括：连接所述驱动电路140和所述像素单元110的多根扫描线140l，用于传输所述驱动信号，所述扫描线140l沿第一方向延伸；沿所述第一方向排列的所述感触伪像素单元130相连。
[0080] 由于所述驱动电路140位于所述像素阵列110m沿第一方向的两侧，所以所述扫描线140l沿第一方向延伸，实现所述驱动电路140和所述像素单元110之间的连接；所述感触伪像素单元130位于所述像素阵列110m和所述驱动电路140之间，所以本实施例中，沿第一方向排列的所述感触伪像素单元130相连，从而减小所述成像传感器内的寄生电容，以达到改善所述成像传感器性能的目的。
[0081] 具体的，所述感触阵列130m中的感触伪像素单元130与所述像素阵列110m中的像素单元110同行排布，所以位于同行的所述感触伪像素单元130相连。
[0082] 需要说明的是，所述成像传感器还包括：位于所述基板100上与所述感触伪像素单元130相连的一个或多个感触数据线130l，用于传输所述触摸电信号；所述触摸电信号通过一感触读出电路151读取，所述感触读出电路151通过所述感触数据线130l与所述感触伪像素单元130相连。
[0083] 本实施例中，所述感触数据线130l沿与第一方向垂直的第二方向延伸，与最靠近所述像素阵列110m的一列感触伪像素单元130相连。由于所述感触阵列130m中，同行的感触伪像素单元130相连；所以一个感触阵列130m中的所述多个感触伪像素单元130通过所述感触数据线130l实现相连，并且通过所述感触数据线130l与所述感触读出电路151相连。
[0084] 具体的，所述像素阵列130m沿第一方向的两侧分别设置有2个感触数据线130l。两个感触阵列130m内的感触伪像素单元130分别通过2个感触数据线130l实现连接，并实现与感触读出电路151的连接。
[0085] 参考图3，示出了本发明成像传感器第二实施例俯视结构示意图。
[0086] 本实施例中，所述成像传感器还包括：位于所述基板200上的像素读出电路252，与所述像素单元210相连，用于读取所述像素电信号；所述感触伪像素单元230位于所述像素读出电路252与所述偏压伪像素单元220之间。
[0087] 具体的，所述像素阵列210m的行方向为第一方向，所述像素阵列210m的列方向为第二方向；所述基板200上设置有1个像素读出电路252，位于所述像素阵列210m沿第二方向的一侧。所述多个感触伪像素单元230所构成1个感触阵列230m。所述感触阵列230m位于所述像素阵列210m沿第二方向的一侧，且设置于所述像素读出电路252和所述偏压伪像素单元220之间。
[0088] 所述成像传感器还包括：连接所述像素读出电路252和所述像素单元210的多根像素数据线252l，用于传输所述像素电信号，所述像素数据线252l沿第二方向延伸；沿第二方向排列的所述感触伪像素单元230相连。
[0089] 由于所述像素读出电路252位于所述像素阵列210m沿第二方向的一侧，所以像素数据线252l沿第二方向延伸，实现所述像素读出电路252与所述像素单元210之间的连接；所述感触伪像素单元230位于所述像素阵列210m和所述像素读出电路252之间，所以本实施例中，沿第二方向排列的所述感触伪像素单元230相连，从而减小所述成像传感器内的寄生电容，以达到改善所述成像传感器性能的目的。
[0090] 具体的，所述感触阵列230m中的感触伪像素单元230与所述像素阵列210m中的像素单元210同列排布，所以位于同列的所述感触伪像素单元230相连。
[0091] 参考图4，示出了本发明成像传感器第三实施例俯视结构示意图。
[0092] 本实施例中，所述成像传感器包括：位于基板300上的多根像素数据线352l，与所述像素单元310相连，用于传输所述像素电信号；所述像素电信号通过一像素读出电路352读取，所述多根像素数据线352l沿第二方向延伸且在所述像素阵列310m的一侧与所述像素读出电路352相连；所述感触伪像素单元330位于所述像素阵列310m沿第二方向的另一侧。
[0093] 具体的，所述像素阵列310m的行方向为第一方向，所述像素阵列310m的列方向为第二方向。所述像素数据线352l沿第二方向延伸，与位于所述像素阵列310m一侧基板300上的连接垫(图中未标示)相连；所述像素读出电路352通过所述连接垫与所述像素数据线352l实现连接，进而实现对所述像素电信号的读取。
[0094] 所述感触伪像素单元330位于沿第二方向所述像素阵列310m远离所述连接垫的一侧，也就是说，所述像素阵列310m位于所述感触伪像素单元330与所述连接垫之间。
[0095] 本实施例中，所述感触伪像素单元330在所述基板300上呈阵列排布，构成感触阵列330m；所以所述感触阵列330m位于沿第二方向所述像素阵列310m远离所述连接垫的一侧。
[0096] 具体的，所述感触阵列330m中，位于同行的所述感触伪像素单元330相连且位于同列的所述感触伪像素单元330相连；所述感触阵列330m通过所述感触数据线330l与一个连接垫(图中未标示)；感触读出电路351通过所述连接垫与所述感触数据线330l实现连接，进而实现对所述赶出电信号的读取。
[0097] 需要说明的是，本实施例中，位于同行的所述感触伪像素单元330相连且位于同列的所述感触伪像素单元330相连。但是这种做法仅为一示例。本发明其他实施例中，也可以位于同行的所述感触伪像素单元相连；或者位于同列的所述感触伪像素单元相连。位于同行的所述感触伪像素单元相连时，位于同行的感触伪像素单元通过一个感触数据线与一个连接垫相连，所述感触读出电路通过所述连接垫与对应感触数据线连接，进而实现对该行感触伪像素单元所产生的触摸电信号的读取；位于同列的所述感触伪像素单元相连时，位于同列的感触伪像素单元通过一个感触数据线与一个连接垫相连，所述感触读出电路通过所述连接垫与对应感触数据线连接，进而实现对该列感触伪像素单元所产生的触摸电信号的读取。
[0098] 参考图5至图15，示出了本发明成像传感器第四实施例的结构示意图。
[0099] 图5是本发明成像传感器第四实施例的俯视结构示意图。
[0100] 如图5所示，本实施例中，所述像素单元410构成像素阵列410m，所述驱动电路440位于所述像素阵列410m沿第一方向的两侧；偏压伪像素单元420呈环状排列，位于所述像素阵列410m四周，包围所述像素阵列410m；所述感触伪像素单元430构成感触阵列430m，位于环状排列的所述偏压伪像素单元420与所述驱动电路440之间。
[0101] 所以所述成像传感器还包括：位于所述基板400上沿第一方向延伸的扫描线440l，用于传输能够使所述像素电信号被读取的驱动信号。
[0102] 此外，所述成像传感器还包括：位于所述基板400上沿第二方向延伸的像素数据线452l，用于传输所述像素电信号。所述像素数据线452l与位于所述像素阵列410m沿第二方向一侧的连接垫(图中未标示)相连，用于与像素读出电路相连。
[0103] 本实施例中，所述第一方向与所述像素阵列410m的行方向平行；所述第二方向与所述像素阵列410m的列方向平行，所以所述第一方向与所述第二方向相垂直。但是本发明对此并不限定。
[0104] 结合参考图6，示出了图5所示实施例中方框460内结构的放大示意图。
[0105] 所述像素单元410包括：光电二极管410pd以及与所述光电二极管410pd相连的开关器件410sw，所述光电二极管410pd具有用于采集光信号的感光区410in；所述偏压伪像素单元420包括：第一吸光导电结构420pd和与所述第一吸光导电结构420pd相连的伪开关420sw，所述第一吸光导电结构420pd包括第一吸光区420in，所述第一吸光区420in在所述基板400(如图5所示)表面的投影与所述感光区410in在所述基板400表面的投影相同；所述感触伪像素单元430包括：第二吸光导电结构430pd，所述第二吸光导电结构430pd包括第二吸光区430in，所述第二吸光区430in在所述基板400表面的投影与所述感光区410in在所述基板400表面的投影相同。
[0106] 将所述第一吸光区420in和所述第二吸光区430in设置成为在所述基板400表面的投影与所述感光区410in在所述基板400表面的投影相同的做法，能够有效的提高所述偏压伪像素单元420和所述感触伪像素单元430与所述像素单元410对光线作用的相似程度，有利于减小所述偏压伪像素单元420和所述感触伪像素单元430与像素单元410之间色差，有利于改善所述成像模组的外观。
[0107] 所述光电二极管410pd用于采集光信号，并将所述光信号转换为电信号。具体的，本实施例中，所述成像传感器为指纹成像传感器，所以所述光电二极管410pd采集携带有指纹信息的光信号并将所述光信号转换为像素电信号。
[0108] 所述感光区410in为所述光电二极管410pd的光信号采集区域，入射到所述感光区410in内的光线会被所述光电二极管410pd采集。
[0109] 开关器件410sw用于控制所述光电二极管410pd所产生电信号的输出。本实施例中，所述开关器件410sw用于在所述驱动信号的控制下，控制所述光电二极管410pd与所述像素数据线452l之间的导通和截断，从而实现所述像素电信号的读取。
[0110] 具体的，参考图6，结合参考图7至图9，示出了图6所示实施例中像素单元410的结构示意图，其中图7是图6所示实施例中像素单元410的俯视结构示意图；图8是图7中沿AA线的剖视结构示意图，图9是图7中沿BB线的剖视结构示意图。
[0111] 所述光电二极管410pd包括位于基板400上的底电极411、位于所述底电极411上的管芯412以及位于所述管芯412上的顶电极413。
[0112] 所述顶电极413和所述底电极411用于加载偏置电压，所述偏置电压使所述光电二极管410pd实现反向偏置；所述管芯412用于采集光信号，并使所采集的光信号转换为相对应的像素电信号，所述像素电信号的强弱与所采集光信号的强弱相关。本实施例中，所述光电二极管410pd的底电极411还用于输出所述像素电信号。
[0113] 具体的，所述光电二极管410pd为非晶硅光电二极管，以控制成本，降低工艺难度。但是本发明其他实施例中，所述光电二极管也可以为其他类型的光电二极管。
[0114] 如图8和图9所示，为了向所述光电二极管410pd加载偏置电压，所述成像传感器还包括：位于所述像素阵列410m上的连接层416，所述连接层416与所述顶电极413通过所述第一通孔417实现电连接。
[0115] 具体的，所述基板400上还具有隔离层(图中未标示)，所述光电二极管410pd位于所述隔离层内；所述第一通孔417位于所述光电二极管410pd上的隔离层内，所述第一通孔417的底部露出所述顶电极413；所述连接层416位于所述隔离层上，且覆盖所述第一通孔
417的底部，在所述第一通孔417底部与所述顶电极413相接触实现电连接。需要说明的是，图7中省去了所述顶电极413及其以上的结构，以显示清晰。
417的底部，在所述第一通孔417底部与所述顶电极413相接触实现电连接。需要说明的是，图7中省去了所述顶电极413及其以上的结构，以显示清晰。
[0116] 此外，由于所述底电极411还用于输出所述像素电信号，所以在像素阵列410m中，相邻像素单元410中光电二极管410pd的底电极411之间电绝缘，从而避免相邻像素单元410之间发生短路，降低干扰。具体的，如图7所示，所述底电极411位于相邻扫描线440l之间，且所述底电极411与相邻像素数据线452l之间均有间隔。
[0117] 所述开关器件410sw包括：与所述扫描线440l相连的栅极418g、与所述底电极411相连的源极418s、与所述像素数据线452l相连的漏极418d以及与所述源极418s和漏极418d相连且位于所述栅极418g上方对应位置处的半导体层418a。
[0118] 所述源极418s与所述光电二极管410pd的底电极411相连，用于输入所述光电二极管410pd所产生的电信号；所述漏极418d与所述像素数据线452l相连用于在所述开关器件410sw导通时，输出所述光电二极管410pd所产生的电信号，使所述电信号被读取；所述半导体层418a为沟道层，所述开关器件导通时，所述半导体层418a内形成有沟道，以实现所述源极418s和所述漏极418d之间的导通；所述栅极418g与所述扫描线440l相连，用于接收所述扫描线440l传输的驱动信号，还用于在所述驱动信号控制下，使所述半导体层418a内形成沟道，从而实现所述源极418s和所述漏极418d之间的导通，实现所述电信号的读取。
[0119] 具体的，所述开关器件410sw为非晶硅薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)，所以所述半导体层418a的材料为非晶硅材料，以控制成本，降低工艺难度；此外，由于所述光电二极管410pd为非晶硅光电二极管，所以采用非晶硅薄膜晶体管作为开关器件410sw也可以提高所述开关器件410sw和所述光电二极管410pd的兼容性，有利于降低工艺难度，提高良率，降低制造成本。
[0120] 需要说明的是，结合参考图8和图9，所述连接层416延伸至所述开关器件410sw上，所以所述隔离层也延伸至所述开关器件410sw上，以实现所述连接层与所述开关器件410sw之间的电绝缘，避免出现短路现象。
[0121] 此外，所述成像传感器还包括：位于所述连接层416上的遮光层(图中未示出)，所述遮光层位于所述开关器件410sw对应位置处，从而减少所述开关器件410sw受到光照的几率，避免所述开关器件410sw功能退化，延长所述成像传感器的使用寿命。
[0122] 如图8和图9所示，所述成像传感器还包括：位于所述基板400上的介质层414，所述光电二极管410pd位于所述介质层414上，也就是说，所述介质层414位于所述基板400上，所述底电极411位于所述介质层414上，所述管芯412位于所述底电极411上，所述顶电极413位于所述管芯412上。
[0123] 需要说明的是，所述扫描线440l位于所述基板400和所述介质层414之间；所述像素数据线452l位于所述介质层414上。将所述扫描线440l和所述像素数据线452l分别设置于所述介质层414上下两侧，从而实现所述扫描线440l和所述像素数据线452l的绝缘，避免所述驱动信号和所述像素电信号之间的干扰。
[0124] 所述开关器件410sw中，所述栅极418g位于所述基板400和所述介质层414之间，所述源极418s、所述漏极418d以及所述半导体层418a位于所述介质层414上。所以所述介质层414还用于实现所述开关器件410sw中栅极418g与所述半导体层418a内开关器件410sw沟道之间的电绝缘。
[0125] 所述像素单元410还包括：位于所述介质层414和所述基板400之间的存储电极415，所说存储电极415和所述底电极411用于形成第一存储电容(图中未标示)。
[0126] 继续参考图6，结合参考图10至图12，所述第一吸光导电结构420pd用于吸收光线；第一吸光导电结构420pd与所述像素单元410相连，还用于实现导电，向所述像素单元410加载偏置电压。本实施例中，所述第一吸光导电结构420pd与所述像素单元410内光电二极管
410pd的顶电极413相连，用于向所述光电二极管410pd加载偏置电压。
410pd的顶电极413相连，用于向所述光电二极管410pd加载偏置电压。
[0127] 所述第一吸光区420in为所述第一吸光导电结构420pd的光线吸收区域，入射到所述第一吸光区420in内的光线会被所述第一吸光导电结构420pd吸收。
[0128] 伪开关420sw，用于遮挡光线，减少漏光，从而减少所述偏压伪像素单元420与所述像素单元410之间的色差；此外，所述伪开关420sw还用于实现所述第一吸光导电结构420pd与像素数据线452l之间的电绝缘，降低干扰。
[0129] 具体的，结合参考图10至图12，示出了图6所示实施例中偏压伪像素单元420的结构示意图，其中图10是图6所示实施例中偏压伪像素单元420的俯视结构示意图；图11是图10中沿CC线的剖视结构示意图，图12是图10中沿DD线的剖视结构示意图。
[0130] 本实施例中，所述第一吸光导电结构420pd采用与所述光电二极管410pd相同的结构，从而使所述偏压伪像素单元420对光线的吸收效果与所述像素单元410对光线的吸收效果相近，以减小所述偏压伪像素单元420与所述像素单元410之间的色差。
[0131] 具体的，所述第一吸光导电结构420pd包括：位于所述基板400上的第一中导电层421、位于所述第一中导电层421上的第一吸光层422以及位于所述第一吸光层422上的第一上导电层423，所述第一中导电层421在所述基板400表面的投影与所述底电极411(如图7至图9所示)在所述基板400表面的投影相同，所述第一吸光层422在所述基板400表面的投影与所述管芯412(如图7至图9所示)在所述基板400表面的投影相同，所述第一上导电层423在所述基板400表面的投影与所述顶电极413(如图7至图9所示)在所述基板400表面的投影相同。
[0132] 所述第一吸光导电结构420pd的第一中导电层421与所述光电二极管410pd的底电极411相对应，所以所述第一中导电层421在所述基板400表面的投影与所述底电极411在所述基板400表面的投影相同，且所述第一中导电层421和所述底电极411通过同层材料形成。
[0133] 需要说明的是，由于像素阵列410m中相邻像素单元410内光电二极管410pd的底电极411之间电绝缘，所以所述成像传感器还包括：实现相邻所述偏压伪像素单元420相连的偏压连接线，所述偏压连接线与所述偏压伪像素单元420中第一吸光导电结构420pd的第一中导电层421相连。
[0134] 具体的，参考图10，结合参考图11和图12，本实施例中，所述偏压连接线426的数量为两个，分别位于所述偏压伪像素单元420的两侧；所述偏压连接线426与所述第一中导电层421通过同层材料形成，且通过短线(如图11中圈426a所示结构)实现电连接。
[0135] 所述第一吸光导电结构420pd的第一吸光层422与所述光电二极管410pd的管芯412相对应，所以所述第一吸光层422在所述基板400表面的投影与所述管芯412在所述基板
400表面的投影相同，且所述第一吸光层422和所述管芯412通过同层材料形成。
400表面的投影相同，且所述第一吸光层422和所述管芯412通过同层材料形成。
[0136] 所述第一吸光导电结构420pd的第一上导电层423与所述光电二极管410pd的顶电极413相对应，所以所述第一上导电层423在所述基板400表面的投影与所述顶电极413在所述基板400表面的投影相同，且所述第一上导电层423和所述顶电极413通过同层材料形成。
[0137] 将所述第一吸光导电结构420pd的第一中导电层421、第一吸光层422以及第一上导电层423设置为与所述光电二极管410pd的底电极411、管芯412以及顶电极413一一对应的做法，能够使所述第一吸光导电结构420pd对光线的吸收效果尽量接近所述光电二极管410pd对光线的吸收效果，从而尽量减小所述偏压伪像素单元420与所述像素单元410之间的色差；而且这种做法还能够使所述偏压伪像素单元420与所述像素单元410通过同一工艺过程形成，减小对现有制程的改动，从而降低工艺成本，降低制造成本。
[0138] 需要说明的是，所述成像传感器还包括与所述光电二极管410pd顶电极413相连的连接层416，以向所述光电二极管410pd加载偏置电压；所以如图10和图12所示，所述连接层416延伸至所述偏压伪像素单元420上，与所述第一上导电层423通过第二通孔427实现电连接。
[0139] 具体的，所述隔离层也延伸至所述偏压伪像素单元420上，所述第一吸光导电结构420pd位于所述隔离层内；所述第二通孔427位于所述第一吸光导电结构420pd上的隔离层内，所述第二通孔427底部露出所述第一上导电层423；所述连接层416位于所述隔离层上，且覆盖所述第二通孔427底部，在所述第二通孔427底部与所述第一上导电层423相接触以实现电连接。需要说明的是，图10中省去了所述第一上导电层423及其以上的结构，以显示清晰。
[0140] 由于所述第一吸光导电结构420pd与所述光电二极管410pd各层一一对应，因此所述第一吸光导电结构420pd在吸收光线后，所述第一吸光层422也会将所吸收的光能转换为电能，从而产生光生载流子；为了避免所述第一吸光导电结构420pd所产生的光生载流子对所述像素单元410所形成的像素电信号造成干扰，所述伪开关420sw与所述像素数据线452l电绝缘，避免所述光生载流子的输出。
[0141] 具体的，所述伪开关420sw包括：与所述扫描线440l相连的伪栅极428g、与所述第一中导电层421相连的伪源极428s以及与所述伪源极428s相连且位于所述伪栅极428g上方对应位置处的伪沟道层428a，所述伪栅极428g在所述基板400表面的投影与所述栅极418g(如图7至图9所示)在所述基板400表面的投影相同，所述伪源极418s在所述基板400表面的投影与所述源极418s(如图7至图9所示)在所述基板400表面的投影相同，所述伪沟道层428a在所述基板400表面的投影与所述半导体层418a(如图7至图9所示)在所述基板400表面的投影相同。
[0142] 所述伪开关420sw的伪栅极428g与所述开关器件410sw的栅极418g相对应，所以所述伪栅极428g在所述基板400表面的投影与所述栅极418g在所述基板400表面的投影相同，且所述伪栅极428g和所述栅极418g通过同层材料形成。
[0143] 所述伪开关420sw的伪源极428s与所述开关器件410sw的源极418s相对应，所以所述伪源极428s在所述基板400表面的投影与所述源极418s在所述基板400表面的投影相同，且所述伪源极428s和所述源极418s通过同层材料形成。
[0144] 所述伪开关420sw的伪沟道层428a与所述开关器件410sw的半导体层418a相对应，所以所述伪沟道层428a在所述基板400表面的投影与所述半导体层418a在所述基板400表面的投影相同，且所述伪沟道层428a和所述半导体层418a通过同层材料形成。
[0145] 与所述像素单元410中的开关器件410sw(如图7至图9所示)相比较，所述伪开关420sw未设置有与所述像素数据线452l相连的漏极，从而实现与所述像素数据线452l的电隔离，降低所述第一吸光导电结构420pd的形成对所述像素电信号的影响。
[0146] 与所述像素单元410类似，所述连接层416也延伸至所述伪开关420sw上，所以所述隔离层也延伸至所述伪开关420sw上，减少短路现象的出现；此外，所述连接层416上也设置有遮光层(图中未示出)，所述遮光层位于所述伪开关420sw对应位置处，从而使所述偏压伪像素单元420的结构接近所述像素单元410的结构，从而有利于减小所述偏压伪像素单元420与所述像素单元410之间的色差。
[0147] 将所述伪开关420sw的伪栅极428g、伪源极428s以及伪沟道层428a设置为与所述开关器件410sw的栅极418g、源极418s以及半导体层418a一一对应，且通过去除漏极实现与所述像素数据线452l的电绝缘；这种做法，能够使所述偏压伪像素单元420的结构与所述像素单元410的结构惊喜，从而尽量减小所述偏压伪像素单元420与所述像素单元410之间的色差；而且还能够使所述偏压伪像素单元420与所述像素单元410通过同一工艺过程形成，减小对现有制程的改动，从而降低工艺成本，降低制造成本。
[0148] 所以，所述基板400上的介质层414延伸至所述偏压伪像素单元420所对应的位置处。由于所述第一吸光导电结构420pd的第一中导电层421、第一吸光层422以及第一上导电层423与所述光电二极管410pd的底电极411、管芯412以及顶电极413一一对应，因此所述第一吸光导电结构420pd也位于所述介质层414上，也就是说，所述介质层414位于所述基板400上，所述第一中导电层421位于所述介质层414上，所述第一吸光层422位于所述第一中导电层421上，所述第一上导电层423位于所述第一吸光层422上。
[0149] 所述伪开关420sw中，所述伪栅极428g位于所述基板400和所述介质层414之间，所述伪源极428s和所述伪沟道层428a位于所述介质层414上。
[0150] 需要说明的是，与所述像素单元410类似，所述偏压伪像素单元420还包括：位于所述介质层414和所述基板400之间的第一下导电层425，所述第一下导电层425在所述基板400表面的投影与所述存储电极415(如图7至图9所示)在所述基板400表面的投影相同；所述第一下导电层425与所述第一中导电层421通过贯穿所述介质层414的第三通孔429相接触。
[0151] 具体的，所述第一下导电层425与所述存储电极415相对应，所以所述第一下导电层425在所述基板400表面的投影与所述存储电极415在所述基板400表面的投影相同，且所述第一下导电层425与所述存储电极415通过同层材料形成。
[0152] 所述第三通孔429位于所述第一下导电层425和所述第一中导电层421之间的介质层414内，且贯穿所述介质层414，所述第三通孔429底部露出所述第一下导电层425；所述第一中导电层421覆盖所述第三通孔429的底部，在所述第三通孔429底部与所述第一下导电层425相接触实现电连接。
[0153] 通过第三通孔429实现所述第一下导电层425和所述第一中导电层421之间的电连接，能够使所述第一下导电层425也实现导电的功能，从而增加所述偏压伪像素单元420中用于导电的材料层数量，能够有效的减小所述偏压伪像素单元420的电阻，有利于提高所述成像传感器的性能。
[0154] 如图10至图12所示，本实施例中，在所述偏压伪像素单元420中，所述连接层416通过所述第二通孔427实现与所述第一上导电层423的电连接；所述第一上导电层423与所述第一中导电层421之间通过所述第一吸光层422实现电连接；所述第一中导电层421通过第三通孔429与所述第一下导电层425实现电连接。所以在一个所述偏压伪像素单元420中，垂直所述基底400表面的方向上，所有导电材料膜层(包括第一下导电层425、第一中导电层421、第一吸光层422、第一上导电层423、以及连接层416)均能够实现电连接。
[0155] 而相邻偏压伪像素单元420之间，所述偏压连接线426能够实现相邻第一上导电层423之间的电连接，因此所有的偏压伪像素单元420的导电材料膜层之间均能够实现电连接；此外所述偏压伪像素单元420与所述像素单元410之间通过所述连接层416实现电连接，所以所述多个偏压伪像素单元420能够替代偏置电压环的作用，实现偏置电压的加载。与采用金属或透明氧化物导体形成偏置电压环的技术方案相比，本发明技术方案，所述偏压伪像素单元420与所述像素单元410之间色差较小，能够有效的改善所形成成像传感器的外观。
[0156] 继续参考图6，结合参考图13至图15，所述第二吸光导电结构430pd用于吸收光线；此外，在进行指纹感测时，所述第二吸光导电结构430pd还用于构成电容结构以感测触摸。
[0157] 具体的，当没有受到触摸时，所述第二吸光导电结构430pd直接与地端构成电容结构；当受到触摸时，所述第二吸光导电结构430pd与地端之间的电容结构由所述第二吸光导电结构430pd与手指之间的电容结构以及人体与地端之间电容结构串联而成。因此在受到触摸的前后，所述第二吸光导电结构430pd与地端之间的电容值会发生变化，通过感测所述电容值的变化，可以判断是否受到触摸。
[0158] 所述第二吸光区430in为所述第二吸光导电结构430pd的光线吸收区域，入射到所述第二吸光区430in内的光线会被所述第二吸光导电结构430pd吸收。
[0159] 具体的，结合参考图13至图15，示出了图6所示实施例中感触伪像素单元430的结构示意图，其中图13是图6所示实施例中感触伪像素单元430的俯视结构示意图；图14是图13中沿EE线的剖视结构示意图，图15是图13中沿FF线的剖视结构示意图。
[0160] 为了使所述感触伪像素单元430对光线的吸收效果与所述像素单元410对光线的吸收效果相近，以减小所述感触伪像素单元430与所述像素单元410之间的色差，本实施例中，所述第二吸光导电结构430pd也采用与所述光电二极管410pd相同的结构。
[0161] 具体的，所述第二吸光导电结构430pd包括：位于所述基板400上的第二中导电层431、位于所述第二中导电层431上的第二吸光层432以及位于所述第二吸光层432上的第二上导电层433，所述第二吸光层432在所述基板400表面的投影与所述管芯412(如图7至图9所示)在所述基板400表面的投影相同。
[0162] 所述第二吸光导电结构430pd的第二中导电层431与所述光电二极管410pd的底电极411相对应，所以所述第二中导电层431在所述基板400表面的投影与所述底电极411在所述基板400表面的投影相同，且所述第二中导电层431和所述底电极411通过同层材料形成。
[0163] 需要说明的是，由于像素阵列410m中相邻像素单元410内光电二极管410pd的底电极411之间电绝缘，所以所述成像传感器还包括：实现相邻所述感触伪像素单元430相连的感触连接线438u，所述感触连接线438u与相邻感触伪像素单元430中第二吸光导电结构430pd的第二中导电层431相连。
[0164] 具体的，本实施例中，所述感触阵列430m位于所述像素阵列410m沿第一方向的两侧，因此沿第一方向排列的所述感触伪像素单元430相连(如图5所示)。所以所述感触连接线438u与所述第二中导电层431位于同层，设置于沿第一方向排列的相邻感触伪像素单元430之间，且所述感触连接线438u沿第一方向延伸，与所述扫描线440l相平行(如图6和图13所示，)。
[0165] 但是所述感触连接线438u的位置和形状与所述感触伪像素单元430的连接方式相关，本发明其他实施例中，沿第二方向排列的所述感触伪像素单元相连时，所述感触连接线也可以沿第二方向延伸，与所述像素数据线相平行。
[0166] 所述第二吸光导电结构430pd的第二吸光层432与所述光电二极管410pd的管芯412相对应，所以所述第二吸光层432在所述基板400表面的投影与所述管芯412在所述基板
400表面的投影相同，且所述第二吸光层432和所述管芯412通过同层材料形成。
400表面的投影相同，且所述第二吸光层432和所述管芯412通过同层材料形成。
[0167] 所述第二吸光导电结构430pd的第二上导电层433与所述光电二极管410pd的顶电极413相对应，所以所述第二上导电层433在所述基板400表面的投影与所述顶电极413在所述基板400表面的投影相同，且所述第二上导电层433和所述顶电极413通过同层材料形成。
[0168] 将所述第二吸光导电结构430pd的第二中导电层431、第二吸光层432以及第二上导电层433设置为与所述光电二极管410pd的底电极411、管芯412以及顶电极413一一对应的做法，能够使所述第二吸光导电结构430pd对光线的吸收效果尽量接近所述光电二极管410pd对光线的吸收效果，从而尽量减小所述感触伪像素单元430与所述像素单元410和所述偏压伪像素单元420之间的色差；而且这种做法还能够使所述感触伪像素单元430与所述像素单元410和所述偏压伪像素单元420通过同一工艺过程形成，减小对现有制程的改动，从而降低工艺成本，降低制造成本。
[0169] 需要说明的是，所述连接层416还延伸至所述感触伪像素单元430上，所述隔离层也延伸至所述感触伪像素单元430上，所以本实施例中，所述成像传感器还包括：位于所述隔离层内的连接通孔437，所述连接处416与所述第二上导电层433通过所述连接通孔437实现电连接，从而使所述连接层416与所述第二上导电层433一起，用于构成电容结构，以达到减小电阻，提高性能的目的。
[0170] 具体的，所述第二吸光导电结构430pd位于所述隔离层内，所述连接通孔437位于所述第二上导电层433上的隔离层内，且所述连接通孔437底部露出所述第二上导电层433；所述连接层416位于所述隔离层上，且覆盖所述连接通孔437底部，在所述连接通孔437底部与所述第二上导电层433相接触以实现电连接。需要说明的是，图10中省去了所述第一上导电层423及其以上的结构，以显示清晰。
[0171] 此外，本实施例中，所述介质层414也延伸至所述感触伪像素单元430对应位置处。由于所述第二吸光导电结构430pd的第二中导电层431、第二吸光层432以及第二上导电层
433与所述光电二极管410pd的底电极411、管芯412以及顶电极413一一对应，所以所述第二吸光导电结构430pd位于所述介质层414上，也就是说，所述第二中导电层431位于所述介质层414上，所述第二吸光层432位于所述第二中导电层431上，所述第二上导电层433位于所述第二吸光层432上。
433与所述光电二极管410pd的底电极411、管芯412以及顶电极413一一对应，所以所述第二吸光导电结构430pd位于所述介质层414上，也就是说，所述第二中导电层431位于所述介质层414上，所述第二吸光层432位于所述第二中导电层431上，所述第二上导电层433位于所述第二吸光层432上。
[0172] 所述感触伪像素单元430还包括：位于所述介质层414和所述基板400之间的第二下导电层435，所述第二下导电层435在所述基板400表面的投影与所述存储电极415(如图7至图9所示)在所述基板400表面的投影相同。
[0173] 所述第二下导电层435与所述存储电极415相对应，所以所述第二下导电层435在所述基板400表面的投影与所述存储电极415在所述基板400表面的投影相同，且所述第二下导电层435与所述存储电极415通过同层材料形成。
[0174] 为了减小所述感触伪像素单元430的电阻，改善所述感触伪像素单元430所构成感触阵列430m的性能，如图6所示，本实施例中，所述感触伪像素单元430包括设置有第四通孔439的第一感触伪像素单元430a和未设置有第四通孔的第二感触伪像素单元430b。所以图
13至图15示出的是图6所示实施例中第一感触伪像素单元430a的结构示意图。
13至图15示出的是图6所示实施例中第一感触伪像素单元430a的结构示意图。
[0175] 具体的，如图15所示，在所述第一感触伪像素单元430a内，所述第四通孔439位于所述第二下导电层435与所述第二中导电层431之间的介质层414内，且贯穿所述介质层414，所述第四通孔439底部露出所述第二下导电层435；所述第二中导电层431覆盖所述第四通孔439底部，在所述第四通孔439底部与所述第二下导电层435相接触实现电连接。
[0176] 所述第四通孔439的设置，能够使所述第二下导电层435与所述第二中导电层431之间实现电连接，从而达到减小所述感触伪像素单元430电阻的的目的。
[0177] 但是随着所述第四通孔439的设置，所述成像传感器的制造工艺难度也随之增大，也就是说，所述第四通孔439的设置会增加所述成像传感器的制造成本。所以为了控制成本，所述感触伪像素单元430还包括未设置有第四通孔的第二感触伪像素单元430b。
[0178] 需要说明的是，如图6所示，相邻感触伪像素单元430的所述第二下导电层435通过圈601内所示短线相连，也就是说，相邻所述第二感触伪像素单元430b的第二下导电层435相连，并且所述第二感触伪像素单元430b与相邻第一感触伪像素单元430a的第二下导电层435相连。
[0179] 本实施例中，沿第一方向排列的所述感触伪像素单元430相连(如图5所示)，所述第一感触伪像素单元430a位于相连的所述第二感触伪像素单元430b靠近所述像素阵列410m的一侧。
[0180] 具体的，本实施例中，所述第一方向与所述感触阵列430m的行方向相平行，也就是说，所述感触阵列430m中，位于同行的所述感触伪像素单元430相连。同行设置的感触伪像素单元430中，最靠近所述像素单元410的感触伪像素单元430的为具有第四通孔439的第一感触伪像素单元430a，也就是说，第一感触伪像素单元430a位于所述第二感触伪像素单元430b与所述像素单元410之间。
[0181] 本发明其他实施例中，所述第一感触伪像素单元也可以位于相连的第二感触伪像素单元远离所述像素阵列的一侧。例如，在所述第一方向与所述感触阵列的行方向相平行时，同行设置的感触伪像素单元中，最远离所述像素单元的感触伪像素单元的为具有第四通孔的第一感触伪像素单元，也就是说，所述第二感触伪像素单元位于所述第一感触伪像素单元与所述像素单元之间。
[0182] 本发明另一些实施例中，所述第一感触伪像素单元位于相连的第二感触伪像素单元靠近所述像素阵列的一侧以及相连的第二感触伪像素单元远离所述像素阵列的一侧。例如，在所述第一方向与所述感触阵列的行方向相平行时，同行设置的感触伪像素单元中，最远离所述像素单元的感触伪像素单元与最靠近所述像素单元的感触伪像素单元均为具有第四通孔的第一感触伪像素单元，也就是说，同行设置的感触伪像素单元中，至少两个感触伪像素单元为第一感触伪像素单元，且所述第二感触伪像素单元位于两个第一感触伪像素单元之间。
[0183] 继续参考图6，为了使所述感触伪像素单元430的结构尽量与所述像素单元410的结构相似，本实施例中，所述成像传感器还包括：沿第二方向设置的多段伪数据线437l，所述伪数据线437l位于相邻第二感触伪像素单元430b之间且位于相邻扫描线440l之间，所述伪数据线437l与所述像素数据线452l平行且所述伪数据线437l的线宽与所述像素数据线452l的线宽相等。
[0184] 所述伪数据线437l与所述像素数据线452l相对应，所以所述伪数据线437l的线宽与所述像素数据线452l的线宽相等，且所述伪数据线437l和所述像素数据线452l通过同层材料形成。
[0185] 所述伪数据线437l位于相邻扫描线440l之间，也就是说，所述伪数据线437l在所述基板400表面的投影与所述扫描线440l在所述基板400表面的投影不存在重叠。这种做法既能够使所述感触阵列430m的结构尽可能接近所述像素阵列410m的结构，以减小所述感触阵列430m与所述像素阵列410m之间的色差；又能够尽量减小所述伪数据线437l与所述扫描线440l之间的寄生电容，降低所述感触阵列430m对所述像素阵列410m的干扰，以提高所述成像传感器的信噪比。
[0186] 需要说明的是，扫描线440l在基板400表面的投影和所述像素数据线452l在所述基板400表面的投影围成的区域为像素区；所述扫描线440l在基板400表面的投影与所述伪数据线437l在基板400表面的投影围成的区域为感触伪像素区。所以所述像素单元410在所述像素区的投影和所述第二感触伪像素单元430b在所述感触伪像素区的投影相同。所述第二感触伪像素单元430b对光线的作用与所述像素单元410对所述光线的作用想接近，从而减小所述感触阵列430m与所述像素阵列410m的色差，以改善所述成像传感器的外观。
[0187] 本实施例中，所述像素阵列410m中，所述光电二极管410pd的底电极411、所述开关器件410sw的源极418s、漏极418d、栅极418g以及半导体层418a用于形成遮光叠层(如图7所示)。所述第二感触伪像素单元430b中，所述第二吸光导电结构430pd的第二中导电层431在所述感触伪像素区的投影与所述遮光叠层在所述像素区的投影相同。
[0188] 具体的，如图6中圈602中所示，所述第二中导电层431具有凸起，使所述第二中导电层431在所述基底400表面的投影与所述伪数据线437l在所述基底表面的投影相邻接，从实现与遮光叠层在所述基底400表面投影相同的目的。
[0189] 如图13至图15所示，本实施例中，在所述第一感触伪像素单元430a中，所述连接层416通过连接通孔437实现与所述第二上导电层423的电连接；所述第二上导电层433与所述第二中导电层431之间通过所述第二吸光层432实现电连接；所述第二中导电层431通过第四通孔439与所述第二下导电层435实现电连接。所以所述第一感触伪像素单元430a中，所有导电材料膜层(包括：第二下导电层435、第二中导电层431、第二吸光层432、第二上导电层433、以及连接层416)均能实现电连接。
[0190] 类似的，在所述第二感触伪像素单元430b，所述连接层416通过连接通孔437实现与所述第二上导电层433的电连接；所述第二上导电层433与所述第二中导电层431之间通过所述第二吸光层432实现电连接。
[0191] 所述相邻第二感触伪像素单元430b的第二下导电层435通过短线(如图6中圈601内结构所示)相连，并与所述第一感触伪像素单元430a相邻的第二感触伪像素单元430b中的第二下导电层435通过短线与所述第一感触伪像素单元430a的第二下导电层435相连(如图6中圈603内结构所示)。
[0192] 所以相邻第二感触伪像素单元430b之间，第二中导电层431、第二吸光层432、第二上导电层433、以及连接层416能够通过感触连接线438u实现电连接，通过感触连接线438u还能够实现与所述第一感触伪像素单元430a的导电材料膜层之间的电连接；相邻所述第二感触伪像素单元430b的第二下导电层435可以通过短线相连，并通过短线实现与所述第一感触伪像素单元430a的第二下导电层435实现电连接。
[0193] 所以本实施例中，沿第一方向排列的感触伪像素单元430(包括第一感触伪像素单元430a和第二感触伪像素单元430b)，所有的导电材料膜层均能够实现电连接。
[0194] 如图6所示，本实施例中，所述成像传感器还包括：位于所述第一感触伪像素单元430a和所述第二感触伪像素单元430b之间的感触数据线430l。所述感触数据线430l与相邻的第一感触伪像素单元430a和第二感触伪像素单元430b相连，用于实现触摸电信号的输出。
[0195] 所述感触数据线430l与所述像素数据线452l相对应，因此所述感触数据线430l的线宽与所述像素数据线452l线宽相等，且与所述像素数据线采用同层材料形成。
[0196] 本实施例中，所述感触数据线430l与所述第二中导电层431位于同层，与相邻感触伪像素单元430(包括第一感触伪像素单元430a和第二感触伪像素单元430b)的第二中导电层431接触相连。所以沿第一方向排列的感触伪像素单元430(包括第一感触伪像素单元430a和第二感触伪像素单元430b)，所有的导电材料膜层均能够实现电连接。
[0197] 此外，与所述像素数据线452l类似，所述感触数据线430l沿第二方向延伸，贯穿所述感触阵列430m；因此位于感触数据线430l沿第二方向两侧的感触伪像素单元430均能够与所述感触数据线430l相连；所以感触阵列430m中，所有感触伪像素单元430的导电材料膜层均能够与所述感触数据线430l实现连接。
[0198] 感触阵列430m中，所有感触伪像素单元430的导电材料膜层能够与所述感触数据线430l实现连接，所以所有感触伪像素单元430导电材料膜层所构成的叠层结构能够替代触碰层的作用，实现触摸的感测，形成触摸电信号。与采用金属或透明氧化物导体形成触碰层的技术方案相比，本发明技术方案，所述感触伪像素单元430与所述像素单元410之间色差较小，能够有效的改善所形成成像传感器的外观。
[0199] 相应的，本发明还提供一种成像模组。
[0200] 参考图16，示出了本发明成像模组一实施例的结构示意图。
[0201] 所述成像模组包括：本发明的成像传感器510；外壳520，所述外壳520上具有通孔521，所述通孔521露出所述像素单元、所述偏压伪像素单元以及所述感触伪像素单元。
[0202] 所述成像传感器510为本发明的成像传感器，所述成像传感器510的具体技术方案如前述实施例所述，本发明在此不再赘述。
[0203] 所述外壳520对所述成像传感器510起到保护或支撑的作用。
[0204] 需要说明的是，本实施例中，所述外壳520是所述成像模组的外壳，本发明其他实施例中，所述外壳也可以是装配有所述成像模组的电子设备的外壳。
[0205] 所述外壳520上设置有贯穿所述外壳520的通孔521，所述通孔521露出所述像素单元、所述偏压伪像素单元以及所述感触伪像素单元。由于偏压伪像素单元和感触伪像素单元与像素单元之间的色差较小，所述通孔521露出部分颜色均一性较好，有利于改善所述成像模组的外观，有利于提高装配有所述成像模组的电子设备的外观效果。
[0206] 需要说明的是，本实施例中，所述成像模组还包括：与所述成像传感器相连的外围电路530，包括与所述感触伪像素单元的检测单元，用于感测所述感触伪像素单元与地端之间电容值，还用于在所述电容值变化时使所述像素单元采集光信号并将光信号转换为电信号；以及，用于实现所述成像传感器510与所述外围电路530电连接的电路板531，所述电路板531包括印刷电路板或柔性电路板。
[0207] 综上，本发明技术方案中，采用与像素单元结构类似的偏压伪像素单元向像素单元提供偏置电压；以及与像素单元结构类似的感触伪像素单元感测触摸。由于所述偏压伪像素单元和所述感触伪像素单元与所述像素单元结构类似，因此所述偏压伪像素单元和所述感触伪像素单元也能够吸收光线，所以与采用金属或透明氧化物导体形成偏置电压环和触碰层的技术方案相比，本发明技术方能够有效减小所述偏压伪像素单元和所述感触伪像素单元与像素单元之间的色差，有利于改善所形成成像传感器的外观。而且，本发明可选方案中，所述像素单元包括位于基板上的光电二极管，所述光电二极管具有用于采集光信号的感光区；所述偏压伪像素单元包括位于所述基板上的第一吸光导电结构，所述第一吸光导电结构包括第一吸光区；所述感触伪像素单元包括位于所述基板上的第二吸光导电结构，所述第二吸光导电结构包括第二吸光区；所述第一吸光区、所述第二吸光区和所述感光区在所述基板表面的投影相同。将所述第一吸光区和所述第二吸光区设置成为在所述基板表面的投影与所述感光区在所述基板表面的投影相同的做法，能够有效的提高所述偏压伪像素单元和所述感触伪像素单元与所述像素单元对光线作用的相似程度，有利于减小所述偏压伪像素单元和所述感触伪像素单元与像素单元之间色差，有利于改善所述成像模组的外观。此外，本发明可选方案中，扫描线在基板表面的投影和像素数据线在基板表面的投影围成的区域为像素区；扫描线在基板表面的投影与伪数据线在基板表面的投影或者所述感触数据线在所述基板表面的投影围成的区域为感触伪像素区；所述像素单元在所述像素区的投影和所述第二感触伪像素单元在所述感触伪像素区的投影相同。将所述第二感触伪像素单元设置为在所述感触伪像素区投影与所述像素单元在所述像素区投影相同的做法，能够利用所述第二感触伪像素单元的结构遮挡光线，从而减小所述偏压伪像素单元和所述感触伪像素单元与像素单元之间色差，有利于改善所述成像模组的外观。另外，本发明可选方案中，所述像素单元中，光电二极管包括：底电极、管芯和顶电极，所述开关器件包括：源极、漏极、栅极以及半导体层；所述偏压伪像素单元中，第一吸光导电结构包括：第一中导电层、第一吸光层和第一上导电层，所述伪开关包括：伪栅极、伪源极和伪沟道层；所述感触伪像素单元中，第二吸光导电结构包括：第二中导电层、第二吸光层和第二上导电层。所述偏压伪像素单元和所述感触伪像素单元与所述像素单元结构类似，能够通过同一工艺过程形成，有利于减少工艺步骤，降低工艺成本，而且无需对现有产线进行较大改动即可生产制作，无需增加额外工艺和成本。
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