一种抑制串扰的影像传感器
阅读：631发布：2024-02-27
专利汇可以提供一种抑制串扰的影像传感器专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本实用新型涉及一种抑制串扰的影像 传感器 ，包括载片、器件 晶圆 、光电 二极管 、高介电层，金属遮蔽层，所述器件晶圆的 正面 与载片相 接触 ，所述器件晶圆的背面上有一层高介电层，所述金属遮蔽层位于高介电层上，所述金属遮蔽层上设有均匀连续的梯形凹槽，所述 光电二极管 内嵌于器件晶圆的背面且正对于梯形凹槽的下面，在金属遮蔽层的均匀连续的梯形凹槽的均匀连续的梯形凹槽的两个侧面上和两个凹槽的连接处淀积有一层高消光物质层，所述消光物质层的厚度范围为所述的消光物质层为氮化物，如氮 氧 化 硅 （SION），氮化硅(SiN),氮化 钛 （TiN）,氮化钽（TaN）等。金属遮蔽层上淀积一层消光物质，解决了串扰问题的产生，提高了影像传感器的成像 质量 。，下面是一种抑制串扰的影像传感器专利的具体信息内容。
一种抑制串扰的影像传感器
技术领域
[0001] 本实用新型涉及一种影像传感器，尤其涉及一种抑制串扰的影像传感器。
背景技术
[0002] 背照式影像传感器越来越多的应用于摄像头，然而背照式影像传感器的成像质量是摄像头摄像质量的一个重要制约因素，串扰是背照式影像传感器成像质量的一个重要影响因素，传统的工艺一般是采用金属遮蔽层来解决串扰问题，这虽然在一定程度上可以解决色彩串扰所带来的影像成像问题，然而由于金属遮蔽工艺本身的限制，遮蔽易形成锥状，所以会有串扰的问题产生。实用新型内容
[0003] 本实用新型所要解决的技术问题是提供一种抑制串扰的影像传感器，在金属遮蔽层的均匀连续的梯形凹槽的两个侧面上和两个凹槽的连接处淀积淀积一层消光物质来解决串扰问题的产生。
[0004] 本实用新型解决上述技术问题的技术方案如下：一种抑制串扰的影像传感器，包括载片、器件晶圆、光电二极管、高介电层，金属遮蔽层；所述高介电层为高介电常数的介质，影响影像传感器的灵敏；所述的金属遮蔽层为一层金属物质，在一定的程度上可以抑制串扰的产生；所述器件晶圆的正面与载片相接触，所述器件晶圆的背面上有一层高介电层，所述金属遮蔽层位于高介电层上，所述金属遮蔽层上设有均匀连续的梯形凹槽，所述光电二极管内嵌于器件晶圆的背面且正对于梯形凹槽的底部，在金属遮蔽层的均匀连续的梯形凹槽的两个侧面上和两个凹槽的连接处淀积有一层高消光物质层，凹槽的底部没有此高消光物质层，高消光物质可以吸收造成反射的入射光线，避免串扰的形成，所述消光物质层的厚度范围为 所述的消光物质层为氮化物，如氮氧化硅（SION），氮化硅(SiN),氮化钛（TiN）,氮化钽（TaN）等。
[0006] 图1为本实用新型一种抑制串扰的影像传感器的结构示意图。
[0007] 附图中，各标号所代表的部件列表如下：
[0008] 1、载片，2、器件晶圆，3、光电二极管，4、高介电层，5、金属遮蔽层，6、消光物质层。
具体实施方式
[0009] 以下结合附图对本实用新型的原理和特征进行描述，所举实例只用于解释本实用新型，并非用于限定本实用新型的范围。
[0010] 如图1所示，一种抑制串扰的影像传感器，包括载片1、器件晶圆2、光电二极管3、高介电层4，金属遮蔽层5，所述器件晶圆2的正面与载片1相接触，所述器件晶圆2的背面上有一层高介电层4，所述金属遮蔽层5位于高介电层4上，所述金属遮蔽层5上设有均匀连续的梯形凹槽，所述光电二极管3内嵌于器件晶圆2的背面且正对于金属遮蔽层5的梯形凹槽的下面，在金属遮蔽层5的均匀连续的梯形凹槽的均匀连续的梯形凹槽的两个侧面上和两个凹槽的连接处淀积淀积有一层高消光物质层6，金属遮蔽层5的梯形凹槽底部没有此高消光物质层6，所述消光物质层6的厚度范围为 所述的消光物质层6为氮化物，可以为氮氧化硅（SION），氮化硅(SiN),氮化钛（TiN）,氮化钽（TaN）等。
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