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一种显示面板及其制备方法

阅读:50发布:2023-12-27

专利汇可以提供一种显示面板及其制备方法专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且本 发明 提供一种 显示面板 及其制备方法,所述显示面板包括衬底 基板 以及 薄膜 封装层,其中薄膜封装层包括第一无机层、有机层以及叠膜层;所述显示面板制备方法包括衬底基板提供步骤以及薄膜封装层制备步骤;所述薄膜封装层制备步骤包括第一无机层制备步骤、叠膜层制备步骤、有机层制备步骤以及第二无机层制备步骤;本发明提供一种显示面板及其制备方法,通过在有机层表面设置图形化的表面,提高了图形化表面的膜层的应 力 释放能力,降低了薄膜封装层在显示面板弯折过程中产生断裂的 风 险,从而提高了薄膜封装层的可靠性以及提升显示面板的光学性能。,下面是一种显示面板及其制备方法专利的具体信息内容。

1.一种显示面板,其特征在于,包括:
衬底基板;以及
薄膜封装层,设于所述衬底基板一侧的表面;
其中,所述薄膜封装层包括:
第一无机层,设于所述衬底基板一侧的表面;
有机层,设于所述第一无机层远离所述衬底基板一侧的表面,所述有机层包括图形化表面;
第二无机层,设于所述有机层远离所述第一无机层一侧的表面;以及叠膜层,设于所述有机层与所述第一无机层之间或者所述有机层与所述第二无机层之间;
其中,每一叠膜层包括
致密膜层,设于所述第一无机层或所述第二无机层;以及
过渡层,其一侧面贴附于所述致密膜层,另一侧面贴附于所述有机层。
2.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述有机层包括
两个以上凸起,突出于所述图形化表面。
3.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,
所述图形化表面与所述叠膜层接触,或者与所述第二无机层接触。
4.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,
所述致密膜层的材质包括和/或氧化
5.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,
所述过渡层的材质包括氧化物和/或氮氧化硅。
6.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,
所述致密膜层的厚度小于200nm;
所述过渡层的厚度小于150nm,且折射率大于1.6。
7.一种显示面板的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
衬底基板提供步骤,提供一衬底基板;以及
薄膜封装层制备步骤,在所述衬底基板上表面制备一薄膜封装层;
其中,所述薄膜封装层制备步骤包括如下步骤:
第一无机层制备步骤,在所述衬底基板的上表面制备一第一无机层;
叠膜层制备步骤,在所述第一无机层上表面制备一叠膜层;
有机层制备步骤,在所述叠膜层上表面制备一有机层,且对所述有机层的表面进行图形化处理;以及
第二无机层制备步骤,在所述有机层上表面制备一第二无机层。
8.如权利要求7所述的显示面板的制备方法,其特征在于,
所述叠膜层制备步骤包括如下步骤:
致密膜层制备步骤,采用原子沉积方法在所述第一无机层上表面沉积一致密膜层;以及
过渡层制备步骤,采用化学气相沉积方法在所述致密膜层上表面沉积一过渡层;
在所述有机层制备步骤中,
在所述过渡层的上表面沉积一有机层,且对所述有机层的表面进行图形化处理。
9.一种显示面板的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
衬底基板提供步骤,提供一衬底基板;以及
薄膜封装层制备步骤,在所述衬底基板上表面制备一薄膜封装层;
其中,所述薄膜封装层制备步骤包括如下步骤:
第一无机层制备步骤,在所述衬底基板的上表面制备一第一无机层;
有机层制备步骤,在所述一无机层上表面制备一有机层,且对所述有机层的表面进行图形化处理;
叠膜层制备步骤,在所述有机层上表面制备一叠膜层;以及
第二无机层制备步骤,在所述有机层上表面制备一第二无机层。
10.如权利要求9所述的显示面板的制备方法,其特征在于,
所述叠膜层制备步骤,包括如下步骤:
过渡层制备步骤,采用化学气相沉积方法在所述第一无机层上表面沉积一过渡层;以及
致密膜层制备步骤,采用原子沉积方法在所述过渡层上表面沉积备一致密膜层;
在所述第二无机层制备步骤中,在所述叠膜层的上表面沉积一第二无机层。

说明书全文

一种显示面板及其制备方法

技术领域

[0001] 本发明涉及显示领域,尤其涉及一种显示面板及其制备方法。

背景技术

[0002] 显示面板因其较传统LCD相比具有重量轻巧,广视,响应时间快,耐低温,发光效率高等优点。因此,在显示行业一直被视其为下一代新型显示技术,特别是OLED可以在柔性基板上做成能弯曲的柔性器件,这是OLED所特有的巨大优势。为了实现OLED的该种优势(柔性显示),薄膜封装(TFE)技术是必不可少的核心技术。
[0003] 显示面板的致命杀手是外界环境中存在的。外界水氧的入侵途径可分为两类:途径一是水氧从上向下直接穿透TFE膜层进入显示面板内部;途径二是水氧从TFE膜层侧面进入侵蚀OLED。
[0004] 常见的显示面板,包括玻璃基底、阵列基板、发光层、薄膜封装层。其中,薄膜封装层包括第一无机层、有机层以及第二无机层,为三明治膜层结构,是目前行业内较常见的TFE膜层结构。这种三明治膜层结构的水蒸气透过率(water vapor transmission rate,WVTR)行业内能做到<5E-4g/m2/day。主要是通过第一无机层及第二无机层来阻隔外界水氧入侵到显示面板内部的有机层中。由于有机层的膜质疏松多孔,不具备任何阻隔水氧的能。因此,导致显示面板的阻水氧效果较差。
[0005] 现有技术中,薄膜封装结构采用氧化层与PP层形成叠膜层,这种叠膜层理论上具有较好的阻水氧性能,但是在实际工艺生产中,不能有效地包裹制程中不可避免的异物,因此实际的阻水氧效果往往较差。
[0006] 在专利US20150021565、US20150048331中,薄膜封装层的结构包括第一无机层/第一有机层/第二无机层/第二有机层/第三无机层,其中第一无机层为氧化铝。这种薄膜封装层的结构的主要缺点为无机层与有机层交叠设计的结构过厚,导致耐弯折性能相对较差,膜层往往应力过大,甚至有可能会导致显示面板下层发光膜层被抓起,不利于柔性显示面板的长期发展。

发明内容

[0007] 本发明提供一种显示面板及其制备方法,以解决现有技术中存在的阻水氧性能差、柔性性能差、影响显示面板光学性能的技术问题。
[0008] 为实现上述目的,本发明提供一种显示面板包括衬底基板以及薄膜封装层;其中,所述薄膜封装层包括第一无机层、有机层、第二无机层以及叠膜层;所述第一无机层设于所述衬底基板一侧的表面;所述有机层设于所述第一无机层远离所述衬底基板一侧的表面,所述有机层包括图形化表面;所述第二无机层设于所述有机层远离所述第一无机层一侧的表面;所述叠膜层设于所述有机层与所述第一无机层之间或者所述有机层与所述第二无机层之间;其中,每一叠膜层包括致密膜层、过渡层,所述致密膜层贴附于所述第一无机层或所述第二无机层;所述过渡层其一侧面贴附于所述致密膜层,另一侧面贴附于所述有机层。
[0009] 进一步地,所述有机层包括两个以上凸起,突出于所述图形化表面。
[0010] 进一步地,所述图形化表面与所述叠膜层接触,或者与所述第二无机层接触。
[0011] 进一步地,所述致密膜层的材质包括氧化铝和/或氧化。。
[0012] 进一步地,所述过渡层的材质包括氧化物和/或氮氧化硅。
[0013] 进一步地,所述致密膜层的厚度小于200nm;所述过渡层的厚度小于150nm,且折射率大于1.6。
[0014] 为实现上述目的,本发明还提供一种显示面板的制备方法,包括如下步骤衬底基板提供步骤,提供一衬底基板;以及薄膜封装层制备步骤,在所述衬底基板上表面制备一薄膜封装层;其中,所述薄膜封装层制备步骤包括如下步骤,第一无机层制备步骤,在所述衬底基板的上表面制备一第一无机层;叠膜层制备步骤,在所述第一无机层上表面制备一叠膜层;有机层制备步骤,在所述叠膜层上表面制备一有机层,且对所述有机层的表面进行图形化处理;以及第二无机层制备步骤,在所述有机层上表面制备一第二无机层。
[0015] 进一步地,所述叠膜层制备步骤包括如下步骤致密膜层制备步骤,采用原子沉积方法在所述第一无机层上表面沉积一致密膜层;以及过渡层制备步骤,采用化学气相沉积方法在所述致密膜层上表面沉积一过渡层;在所述有机层制备步骤中,在所述过渡层的上表面沉积一有机层,且对所述有机层的表面进行图形化处理。
[0016] 为实现上述目的,本发明还提供一种显示面板的制备方法,包括如下步骤衬底基板提供步骤,提供一衬底基板;以及薄膜封装层制备步骤,在所述衬底基板上表面制备一薄膜封装层;其中,所述薄膜封装层制备步骤包括如下步骤,第一无机层制备步骤,在所述衬底基板的上表面制备一第一无机层;有机层制备步骤,在所述一无机层上表面制备一有机层,且对所述有机层的表面进行图形化处理;叠膜层制备步骤,在所述有机层上表面制备一叠膜层;以及第二无机层制备步骤,在所述有机层上表面制备一第二无机层。
[0017] 进一步地,所述叠膜层制备步骤,包括如下步骤过渡层制备步骤,采用化学气相沉积方法在所述第一无机层上表面沉积一过渡层;致密膜层制备步骤,采用原子沉积方法在所述过渡层上表面沉积备一致密膜层;以及在所述第二无机层制备步骤中,在所述叠膜层的上表面沉积一第二无机层。
[0018] 本发明的技术效果在于,提供一种显示面板及其制备方法,一方面,通过在有机层设置图形化表面,提高了图形化表面的膜层的应力释放能力,降低了薄膜封装层在显示面板弯折过程中产生断裂的险,从而提高了薄膜封装层的可靠性以及提升显示面板的光学性能;另一方面,通过在相邻的有机层与无机层之间设置叠膜层,提高了相邻各层间的粘附力,提高了薄膜封装层的隔绝水氧的能力,从而进一步地提高了薄膜封装层的可靠性。附图说明
[0019] 图1为实施例1所述OLED显示器件的结构示意图一;
[0020] 图2为实施例1所述OLED显示器件的结构示意图二;
[0021] 图3为实施例1所述显示面板制备方法流程图
[0022] 图4为实施例1所述薄膜封装层制备步骤的流程图;
[0023] 图5为实施例1所述薄膜封装层光学透过率的曲线图;
[0024] 图6为实施例1所述薄膜封装层发光光谱的曲线图;
[0025] 图7为实施例2所述薄膜封装层的结构示意图;
[0026] 图8为实施例2所述薄膜封装层制备步骤的流程图。
[0027] 附图中部分标识如下:
[0028] 1衬底基板;2薄膜封装层;
[0029] 101玻璃基底;102PI基底;103像素定义层;104发光层;
[0030] 201有源层;202多晶硅层;203介电层;204源漏电极;205栅电极;206绝缘层;207平坦层;208阳极;2011掺杂区;
[0031] 200凸起;210第一无机层;211叠膜层;212有机层;213第二无机层;2111致密膜层;2112过渡层。

具体实施方式

[0032] 以下参考说明书附图介绍本发明的优选实施例,用以举例证明本发明可以实施,这些实施例可以向本领域中的技术人员完整介绍本发明的技术内容,使得本发明的技术内容更加清楚和便于理解。然而本发明可以通过许多不同形式的实施例来得以体现,本发明的保护范围并非仅限于文中提到的实施例。
[0033] 实施例1
[0034] 如图1所示,本实施提供一种显示面板,包括衬底基板1及薄膜封装层2,薄膜封装层2所述衬底基板1的上表面。
[0035] 如图2所示,衬底基板1包括玻璃基底101、PI基底102、薄膜晶体管、像素定义层103以及发光层104。
[0036] 玻璃基底101为现有技术中的玻璃基板。PI基底102为柔性基底,其材料主要为聚酰亚胺(Polyimide,PI),PI材料可以有效地提高透光度。每一薄膜晶体管包括有源层201(P型掺杂)、多晶硅层202、介电层203、源漏电极204、栅电极205、绝缘层206、平坦层207以及阳极208。具体地,在有源层201设有掺杂区2011,该掺杂区2011可以掺杂P型杂质或者N型杂质,用以形成MOS管的源漏电极的连接区域,连接至源漏电极204。多晶硅层202是形成MOS管的栅电极的连接区域,且连接至栅电极205。介电层203用以绝缘源漏电极204与栅电极205,避免两电极间接触,产生短路现象。绝缘层206设于有源层202、介电层203、栅极层205的上表面,且被源漏电极204贯穿。平坦层207设于源漏电极204、绝缘层206的上表面。阳极208设于平坦层207、阳极208的上表面。平坦化层207一般由聚甲基丙烯酸甲酯或纳米粒子复合材料制成,其耐热性能较好。像素定义层103设于平坦层207的上表面。发光层104设于像素定义层103的上表面,一阴极(图未示)设于发光层104内。其中,发光层104包括空穴注入层、空穴传输层、有机发光层、电子传输层以及电子注入层,从而使QLED器件具有稳定性好、色纯度高、色温佳、寿命长等特点。
[0037] 如图2所示薄膜封装层2包括第一无机层210、有机层212以及第二无机层213。第一无机层210设于衬底基板1的上表面,有机层212设于第一无机层210的上方,第二无机层213设于有机层212的上表面。在第一无机层210与有机层212之间设有一叠膜层211。
[0038] 每一叠膜层211包括致密膜层2111与过渡层(interlayer)2112。具体地,所述薄膜封装层从下至上依次包括第一无机层210、致密膜层2111、过渡层2112、有机层212以及第二无机层213。
[0039] 第一无机层210是采用化学气相沉积(CVD)、物理气相沉积(PVD)等方法形成于所述衬底基板的上表面。其厚度小于2μm,材质可以为氮化硅(SiN),氮氧化硅(SiON),一氧化硅(SiO)等无机化合物。第一无机层210可以阻隔外界入侵的水氧,并能提高显示面板的光学性能。
[0040] 致密膜层2111通过原子沉积的方式形成于第一无机层210上表面。致密膜层2111的材质包括氧化铝、氧化钛中的一种或两种,但不限于其他材质。致密膜层2111的厚度小于200nm,折射率大于1.6,具有良好的阻水氧性能以及极强的透光率。致密膜层2111的透光率大于99%,波长在400~800nm范围内。本实施例中,致密膜层2111的折射率大于第一无机层
210的折射率,可以有效地填充第一无机层210膜质的缺陷,可以有效地提高薄膜封装层的阻水氧效果。本实施例中,致密膜层2111的厚度优选为80nm,95nm,100nm,但不限于其他厚度,只要可以有效地提高薄膜封装层的阻水氧效果即可。
[0041] 过渡层2112通过化学气相沉积的方式贴附于致密膜层2111上表面。其厚度小于150nm,其材质包括硅氧化物、氮氧化硅中的一种或两种,但不限于其他材质。过渡层2112具有疏水效果,可以改善膜层间的力学性能,从而提升膜层间的粘附力。
[0042] 有机层212通过沉积的方式贴附于过渡层2112的上表面。有机层212包括图形化表面,所述图形化表面包括多个凸起200,且呈Z形、S形、圆弧形分布,提高了应力的释放能力,从而提高显示面板的光学性能。本实施例中,对所述凸起的形状不做限定,本领域技术人员可以根据实际需求进行设定,只要可以提高显示面板的光学性能即可。
[0043] 有机层212的材质可以为六甲基二甲硅醚(HMDSO),铝基有机无机复合物(Alucone),环氧树脂,亚克力体系,含硅有机物。因此,有机层212可以包裹沉积过程中出现的异物,缓解膜层间产生的应力,降低显示面板在弯折过程中产生断裂的风险,从而提高显示面板封装的柔性性能及光学性能。
[0044] 进一步地,本实施例,在致密膜层2111与有机层212之间设置过渡层2112,可以增强致密膜层2111与有机层212之间的粘附力,提高了薄膜封装层的隔绝水氧的能力,从而进一步地提高了薄膜封装层的可靠性。
[0045] 第二无机层213是采用化学气相沉积(CVD)、物理气相沉积(PVD)等方法形成于有机层212的上表面,即贴附于所述图形化表面。第二无机层213的厚度小于2μm,材质可以为氮化硅(SiN),氮氧化硅(SiON),一氧化硅(SiO)等无机化合物,第二无机层213具有隔绝水氧的作用。另外,由于有机层212包括图形化表面,一方面,可以增大第二无机层213与有机层212的接触面积,有效地隔绝水氧;另一方面,提高第二无机层213与有机层212的粘附力,缓解膜层间的应力,提高薄膜封装层的柔性性能,提高显示面板的光学性能。
[0046] 如图3所示,本实施例还提供一种显示面板制备方法,包括步骤S1~S2。S1衬底基板提供步骤,提供一衬底基板。S2薄膜封装层制备步骤,在所述衬底基板上表面制备一薄膜封装层。
[0047] 如图4所示,所述薄膜封装层制备步骤包括如下步骤S11~S15。
[0048] S11第一无机层制备步骤,在衬底基板的上表面制备一第一无机层。具体地,采用化学气相沉积(CVD)、物理气相沉积(PVD)等方法在所述衬底基板沉积第一无机层。所述第一无机层的厚度小于2μm,其材质可以为氮化硅(SiN),氮氧化硅(SiON),一氧化硅(SiO)等无机化合物。所述第一无机层可以阻隔外界入侵的水氧,并能提高显示面板的性能。
[0049] S12致密膜层制备步骤,采用原子沉积方法在所述第一无机层上表面制备一致密膜层。
[0050] 所述致密膜层材质包括氧化铝、氧化钛中的一种或两种,但不限于其他材质。所述致密膜层的厚度小于200nm,折射率大于1.6,具有良好的阻水氧性能以及极强的光透过率。所述致密膜层2111的透光率大于99%,波长在400~800nm范围内。所述致密膜层的折射率大于所述第一无机层的折射率,可以有效地填充所述第一无机层膜质的缺陷,可以有效地提高薄膜封装层的阻水氧效果。本实施例中,所述致密膜层的厚度优选为80nm,95nm,
100nm,但不限于其他厚度,只要可以有效地提高薄膜封装层的阻水氧效果即可。
[0051] S13过渡层制备步骤,采用化学气相沉积的方法在所述致密膜层上表面制备一过渡层。
[0052] 所述过渡层的材质包括硅氧化物、氮氧化硅中的一种或两种,但不限于其他材质。所述过渡层厚度小于150nm,其材质主要为氧化硅,但不限于其他材质。所述过渡层具有疏水效果,可以改善膜层间的力学性能,从而提升膜层间的粘附力。
[0053] S14有机层制备步骤,在所述叠膜层上表面沉积一有机层。
[0054] 采用喷墨打印(IJP),化学气相沉积(CVD)或蒸等方法在所述叠膜层上表面形成有机层。具体地,所述有机层形成于所述过渡层上表面,并利用掩膜板对所述有机层表面进行图形化处理,使所述有机层表面为图形化表面。所述图形化表面包括多个连续设置的凸起,且呈Z形、S形、圆弧形分布,提高了应力的释放能力,从而提高显示面板的光学性能。本实施例中,对所述凸起的形状不做限定,本领域技术人员可以根据实际需求进行设定,只要可以提高显示面板的光学性能即可。
[0055] 所述有机层的材质可以为六甲基二甲硅醚(HMDSO),铝基有机无机复合物(Alucone),环氧树脂,亚克力体系,含硅有机物。因此,所述有机层可以包裹沉积过程中出现的异物,缓解膜层间产生的应力,降低显示面板在弯折过程中产生断裂的风险,从而提高显示面板封装的柔性性能及光学性能。
[0056] S15第二无机层制备步骤,在所述有机层上表面沉积一第二无机层。
[0057] 采用化学气相沉积(CVD)、物理气相沉积(PVD)等方法在所述有机层的上表面沉积第二无机层。所述第二无机层的厚度小于2μm,其材质可以为氮化硅(SiN),氮氧化硅(SiON),一氧化硅(SiO)等无机化合物。所述第二无机层可以阻隔外界入侵的水氧,并能提高显示面板的光学性能。
[0058] 如图5所示,本实施例提供的第一薄膜封装层10的光学透过率与现有技术的第二薄膜封装层20的光学透过率相比较,可以明显看出本实施例的第一薄膜封装层10的光学透过率的波动范围较小,其光学透过率显著提升,使得薄膜封装层具有良好的阻隔水氧的效果,提高显示面板的封装效果。
[0059] 如图6所示,本实施例提供第一薄膜封装层10的发光光谱与现有技术的第二薄膜封装层20的发光光谱相比较,可以明显看出第一薄膜封装层10的发光效率较佳,本实施中通过在有机层设置图形化表面,提高了图形化表面的膜层的应力释放能力,降低了薄膜封装层在显示面板弯折过程中产生断裂的风险,从而提高了薄膜封装层的可靠性以及提升显示面板的光学性能。
[0060] 本实施例提供的显示面板及其制备方法,一方面,通过在有机层设置图形化表面,提高了图形化表面的膜层的应力释放能力,降低了薄膜封装层在显示面板弯折过程中产生断裂的风险,从而提高了薄膜封装层的可靠性以及提升显示面板的光学性能;另一方面,通过在相邻的有机层与无机层之间设置叠膜层,提高了相邻各层间的粘附力,提高了薄膜封装层的隔绝水氧的能力,从而进一步地提高了薄膜封装层的可靠性。
[0061] 实施例2
[0062] 如图7所示,本实施例提供一种显示面板,包括实施例1所述显示面板的大部分技术特征,其区别特征在于,在实施例2中,叠膜层211设于第二无机层210与有机层212之间,而不是设于第一无机层210与有机层212之间。
[0063] 如图7所示,显示面板中的所述薄膜封装层从下到上依次包括第一无机层210、有机层212、叠膜层211以及第二无机层213。
[0064] 每一叠膜层211包括致密膜层2111与过渡层(interlayer)2112。
[0065] 在本实施例中过渡层2112设于有机层212的上表面,致密膜层2111设于过渡层2112的上表面。由于致密膜层2111与有机层212的粘附力较弱,通过设置过渡层2112,可以增强致密膜层2111与有机层212之间的粘附力,提高了薄膜封装层的隔绝水氧的能力,从而进一步地提高了薄膜封装层的可靠性。
[0066] 本实施例还提供一种显示面板的制备方法,包括如下步骤S1~S2,参照图3。S1衬底基板提供步骤,提供一衬底基板。S2薄膜封装层制备步骤,在所述衬底基板上表面制备一薄膜封装层。
[0067] 如图8所示,所述薄膜封装层制备步骤包括如下步骤S21~S25。
[0068] S21第一无机层制备步骤,在所述衬底基板的上表面制备一第一无机层。
[0069] S22有机层制备步骤,在所述第一无机层的上表面制备一有机层,且对所述有机层的表面进行图案化处理。
[0070] S23过渡层制备步骤,采用化学气相沉积方法在所述第一无机层上表面制备一过渡层。
[0071] S24致密膜层制备步骤,采用原子沉积方法在所述致密膜层上表面制备一致密膜层。
[0072] S25第二无机层制备步骤,在所述吸水叠膜层的上表面制备一第二无机层。
[0073] 所述步骤S21~S25与实施例1所述步骤S11~15相比,其区别特征在于,实施例2所述显示面板的制备方法,在有机层制备步骤后,执行叠膜层制备步骤。各个步骤的技术效果与实施例1中相应步骤的技术效果基本相同,在此不做赘述。
[0074] 本实施例提供的显示面板及其制备方法,一方面,通过在有机层设置图形化表面,提高了图形化表面的膜层的应力释放能力,降低了薄膜封装层在显示面板弯折过程中产生断裂的风险,从而提高了薄膜封装层的可靠性以及提升显示面板的光学性能;另一方面,通过在相邻的有机层与无机层之间设置叠膜层,提高了相邻各层间的粘附力,提高了薄膜封装层的隔绝水氧的能力,从而进一步地提高了薄膜封装层的可靠性。
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