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密封构造以及处理装置

阅读：1发布：2020-11-29

专利汇可以提供密封构造以及处理装置专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本实用新型涉及一种密封构造以及处理装置。提供一种能够使构成真空容器的构件之间的接合部的气密性提高的技术。本公开的一个方式的密封构造用于对构成真空容器的构件之间的接合部进行密封，具有：内侧密封构件，其配置于所述接合部；以及外侧密封构件，其设置在所述接合部的与所述内侧密封构件相比更靠大气侧的位置，由气体透过率比所述内侧密封构件的气体透过率低的材料形成，其中，所述密封构造能够在所述真空容器内进行处理时在所述内侧密封构件与所述外侧密封构件之间形成密闭空间。，下面是密封构造以及处理装置专利的具体信息内容。

权利要求

1.一种密封构造，用于对构成真空容器的构件之间的接合部进行密封，所述密封构造的特征在于，具有：
内侧密封构件，其配置于所述接合部；以及
外侧密封构件，其设置在所述接合部的与所述内侧密封构件相比更靠大气侧的位置，由气体透过率比所述内侧密封构件的气体透过率低的材料形成，
所述密封构造能够在所述真空容器内进行处理时在所述内侧密封构件与所述外侧密封构件之间形成密闭空间。
2.根据权利要求1所述的密封构造，其特征在于，
通过构成所述真空容器的构件、所述内侧密封构件以及所述外侧密封构件而形成密闭空间。
3.根据权利要求1所述的密封构造，其特征在于，
所述密封构造具有：
气体导入管，其能够向所述内侧密封构件与所述外侧密封构件之间导入非活性气体；
以及
开闭阀，其插设于所述气体导入管，
通过构成所述真空容器的构件、所述内侧密封构件、所述外侧密封构件、所述气体导入管以及所述开闭阀而形成密闭空间。
4.根据权利要求1至3中的任一项所述的密封构造，其特征在于，
所述处理包括成膜处理、蚀刻处理以及清洁处理中的至少任一个处理。
5.根据权利要求1至3中的任一项所述的密封构造，其特征在于，
所述内侧密封构件是由全氟弹性体形成的O型密封圈，
所述外侧密封构件是由偏二氟乙烯类橡胶形成的O型密封圈。
6.根据权利要求4所述的密封构造，其特征在于，
所述内侧密封构件是由全氟弹性体形成的O型密封圈，
所述外侧密封构件是由偏二氟乙烯类橡胶形成的O型密封圈。
7.根据权利要求1至3中的任一项所述的密封构造，其特征在于，
所述内侧密封构件是由全氟弹性体形成的O型密封圈，
所述外侧密封构件是由聚偏二氯乙烯形成的薄膜。
8.根据权利要求4所述的密封构造，其特征在于，
所述内侧密封构件是由全氟弹性体形成的O型密封圈，
所述外侧密封构件是由聚偏二氯乙烯形成的薄膜。
9.一种处理装置，其特征在于，具有：
真空容器，其由多个构件构成；
处理气体导入部，其用于向所述真空容器内导入处理气体；
内侧密封构件，其配置于所述多个构件的接合部；以及
外侧密封构件，其设置在所述接合部的与所述内侧密封构件相比更靠大气侧的位置，由气体透过率比所述内侧密封构件的气体透过率低的材料形成，
所述处理装置能够在所述真空容器内进行处理时通过所述多个构件、所述内侧密封构件以及所述外侧密封构件来形成密闭空间。

说明书全文

密封构造以及处理装置

技术领域

[0001] 本公开涉及一种密封构造以及处理装置。

背景技术

[0002] 已知如下一种基板处理装置：在收容基板的腔室的底座与盖体之间双重地设置有密封构件，在双重地设置的密封构件之间设置有排气管，通过对密封构件之间进行排气来使底座与盖体紧密接合(例如，参照专利文献1)。

[0003] 现有技术文献

[0004] 专利文献

[0005] 专利文献1：日本特开2004-304139号公报实用新型内容

[0006] 实用新型要解决的问题

[0007] 本公开提供一种能够使构成真空容器的构件之间的接合部的气密性提高的技术。

[0008] 用于解决问题的方案

[0009] 本公开的一个方式的密封构造用于对构成真空容器的构件之间的接合部进行密封，所述密封构造的特征在于，具有：内侧密封构件，其配置于所述接合部；以及外侧密封构件，其设置在所述接合部的与所述内侧密封构件相比更靠大气侧的位置，由气体透过率比所述内侧密封构件的气体透过率低的材料形成，其中，所述密封构造能够在所述真空容器内进行处理时在所述内侧密封构件与所述外侧密封构件之间形成密闭空间。

[0010] 本公开的另一个方式的处理装置的特征在于，具有：真空容器，其由多个构件构成；处理气体导入部，其用于向所述真空容器内导入处理气体；内侧密封构件，其配置于所述多个构件的接合部；以及外侧密封构件，其设置在所述接合部的与所述内侧密封构件相比更靠大气侧的位置，由气体透过率比所述内侧密封构件的气体透过率低的材料形成，所述处理装置能够在所述真空容器内进行处理时通过所述多个构件、所述内侧密封构件以及所述外侧密封构件来形成密闭空间。

[0011] 实用新型的效果

[0012] 根据本公开，能够使构成真空容器的构件之间的接合部的气密性提高。附图说明

[0013] 图1是一个实施方式的成膜装置的概要截面图。

[0014] 图2是一个实施方式的成膜装置的概要立体图。

[0015] 图3是一个实施方式的成膜装置的概要俯视图。

[0016] 图4是一个实施方式的成膜装置中的沿着旋转台的同心圆的概要截面图。

[0017] 图5是表示一个实施方式的成膜装置的分离区域的概要截面图。

[0018] 图6是表示密封构造的一例的概要图。

[0019] 图7是表示密封构造的另一例的概要图。

[0020] 图8是表示变更了密封构造时的温度与透过流量的关系的图。

具体实施方式

[0021] 以下，参照附图来对并非用于限定本公开的示例性的实施方式进行说明。在所有附图中，对相同或对应的构件或零件标注相同或对应的参照附图标记，并省略重复的说明。

[0022] 〔处理装置〕

[0023] 关于一个实施方式的具备密封构造的处理装置，列举出半批量(Semi-batch)式的成膜装置为例来进行说明。半批量式的成膜装置是如下的装置：利用处理容器内的旋转台来使配置于旋转台之上的多个晶圆进行公转，使多个晶圆依次从被供给原料气体的区域和被供给与原料气体发生反应的反应气体的区域通过来在晶圆的表面形成膜。

[0024] 图1是一个实施方式的成膜装置的概要截面图。图2是一个实施方式的成膜装置的概要立体图。图3是一个实施方式的成膜装置的概要俯视图。此外，在图2和图3中，为了便于说明，省略了顶板的图示。

[0025] 当参照图1至图3时，成膜装置具备：扁平的真空容器1，其具有大致圆形的平面形状；以及旋转台2，其设置在真空容器1内，在真空容器1的中心处具有旋转中心。真空容器1是用于对收容在内部的作为基板的半导体晶圆(以下称为“晶圆W”。)的上表面进行成膜处理的处理室。真空容器1具有：容器主体12，其具有有底的圆筒形状；以及顶板11，其以能够经由密封构造13相对于容器主体12的上表面气密地进行装卸的方式配置。此外，在后文叙述密封构造13。

[0026] 旋转台2以能够旋转的方式设置在真空容器1内。旋转台2在中心部被固定于圆筒形状的芯部21。芯部21被固定在沿铅垂方向延伸的旋转轴22的上端。旋转轴22贯穿真空容器1的底部14，且下端被安装于驱动部23。驱动部23例如包括气压缸和步进电动机，通过使旋转轴22升降来使旋转台2升降，通过使旋转轴22绕铅垂轴旋转来使旋转台2旋转。旋转轴22和驱动部23被收纳在上表面开口的筒状的壳体20内。壳体20的设置在其上表面的凸缘部经由能够沿铅垂方向伸缩的波纹管16而被气密地安装于真空容器1的底部14的下表面。由此，能够维持壳体20的内部与外部之间的气密状态。在旋转台2升降的情况下，波纹管16与旋转台2的升降对应地进行伸缩，因此能够维持壳体20的内部与外部之间的气密状态。

[0027] 如图2和图3所示，在旋转台2的上表面，沿旋转台2的旋转方向(周向)形成有多个(在图示的例子中为六个)圆形的凹部2a。如图3所示，在各凹部2a中载置晶圆W。此外，在图3中示出了仅在一个凹部2a中载置有晶圆W的情况。

[0028] 如图2和图3所示，在旋转台2的上方，在真空容器1的周向(旋转台2的旋转方向(图3的箭头A)上以彼此隔开间隔的方式配置有例如由石英形成的反应气体喷嘴31、32以及分离气体喷嘴41、42。在图示的例子中，从后述的搬送口15起按顺时针(旋转台2的旋转方向)依次排列有分离气体喷嘴41、反应气体喷嘴31、分离气体喷嘴42以及反应气体喷嘴32。反应气体喷嘴31、32以及分离气体喷嘴41、42各自的作为基端部的气体导入端口31a、32a、41a、
42a固定在容器主体12的外周面。由此，反应气体喷嘴31、32以及分离气体喷嘴41、42被从真空容器1的外周面导入至真空容器1内，且沿着容器主体12的径向相对于旋转台2水平地延伸。

[0029] 反应气体喷嘴31经由配管110、流量控制器120等而连接于第一反应气体供给源130。反应气体喷嘴32经由配管111、流量控制器121等而连接于第二反应气体供给源131。分离气体喷嘴41、42均经由未图示的配管、流量控制阀等而连接于分离气体供给源(未图示)。

[0030] 在反应气体喷嘴31、32，沿着反应气体喷嘴31、32的长度方向以例如10mm的间隔排列有朝向旋转台2开口的多个气体喷出孔35(图4)。反应气体喷嘴31的下方区域为用于使第一反应气体吸附于晶圆W的第一处理区域P1。反应气体喷嘴32的下方区域为供给与在第一处理区域P1吸附于晶圆W的第一反应气体发生反应的第二反应气体来生成反应生成物的分子层的第二处理区域P2。此外，反应生成物的分子层构成要沉积(形成)的膜。

[0031] 第一反应气体可以是各种气体，但一般选择作为要形成的膜的原料的原料气体，例如在形成氧化硅膜的情况下，选择双叔丁基氨基硅烷(BTBAS)气体等含硅气体。

[0032] 关于第二反应气体，只要是能够与第一反应气体发生反应并生成反应生成物的反应气体，则能够采用各种反应气体，例如在形成氧化硅膜的情况下，选择臭氧(O3)气体等氧化气体。

[0033] 作为分离气体，例如能够采用氦(He)气、氩(Ar)气等稀有气体或氮(N2)气等非活性气体。在一个实施方式中，列举出使用氮气的例子来进行说明。

[0034] 当参照图2和图3时，在真空容器1内设置有两个凸状部4。凸状部4与分离气体喷嘴41、42一起构成分离区域D，因此以朝向旋转台2突出的方式安装于顶板11的下表面。凸状部
4具有顶部被切割为圆弧状的扇形的平面形状，在一个实施方式中，凸状部4的内圆弧连结于突出部5(后述)，凸状部4的外圆弧沿着真空容器1的容器主体12的内周面配置。

[0035] 图4是一个实施方式的成膜装置的沿着旋转台2的同心圆的概要截面图，示出了从反应气体喷嘴31到反应气体喷嘴32为止的沿着旋转台2的同心圆的真空容器1的截面。

[0036] 如图4所示，在顶板11的下表面安装有凸状部4。因此，在真空容器1内存在第一顶面44和第二顶面45，其中，该第一顶面44是作为凸状部4的下表面的平坦的低顶面，该第二顶面45是位于第一顶面44的周向两侧的比第一顶面44高的顶面。第一顶面44具有顶部被切割为圆弧状的扇形的平面形状。另外，如图4所示，在凸状部4中，在周向的中央，形成有以沿径向延伸的方式形成的槽部43，分离气体喷嘴42收容在槽部43内。在另一个凸状部4，也同样地形成有槽部43，分离气体喷嘴41收容在槽部43内。另外，反应气体喷嘴31、32分别设置在第二顶面45的下方的空间。反应气体喷嘴31、32以与第二顶面45分离的方式设置在晶圆W的附近。此外，如图4所示，反应气体喷嘴31设置在第二顶面45的下方的右侧的空间481，反应气体喷嘴32设置在第二顶面45的下方的左侧的空间482。

[0037] 另外，在收容于凸状部4的槽部43的分离气体喷嘴41、42，沿着分离气体喷嘴41、42的长度方向以例如10mm的间隔排列有朝向旋转台2开口的多个气体喷出孔42h(图4)。

[0038] 第一顶面44相对于旋转台2形成作为狭窄的空间的分离空间H。当从分离气体喷嘴42的气体喷出孔42h供给氮气时，氮气经由分离空间H向空间481、482流动。此时，由于分离空间H的容积比空间481、482的容积小，因此能够利用氮气使分离空间H的压力比空间481、
482的压力高。即，在空间481与空间482之间形成压力高的分离空间H。另外，从分离空间H向空间481、482流出的氮气作为与来自第一处理区域P1的第一反应气体和来自第二处理区域P2的第二反应气体相对的逆流(counter flow)来发挥作用。因而，来自第一处理区域P1的第一反应气体与来自第二处理区域P2的第二反应气体被分离空间H分离。由此，能够抑制第一反应气体和第二反应气体在真空容器1内混合并发生反应。

[0039] 第一顶面44相对于旋转台2的上表面的高度h1优选为，考虑成膜时的真空容器1内的压力、旋转台2的转速、分离气体的供给流量等，来设定为适于使分离空间H的压力比空间481、482的压力高的高度。

[0040] 另一方面，在顶板11的下表面设置有将用于固定旋转台2的芯部21的外周包围的突出部5(图2和图3)。在一个实施方式中，突出部5与凸状部4的处于旋转中心一侧的部位连续，且突出部5的下表面形成为高度与第一顶面44的高度相同。

[0041] 之前参照的图1是沿图3的I-I'线的截面图，示出了设置有第二顶面45的区域。另一方面，图5是表示设置有第一顶面44的区域的截面图。

[0042] 如图5所示，在扇形的凸状部4的周缘部(真空容器1的外边缘侧的部位)，形成有以与旋转台2的外端面相向的方式弯曲为L字形的弯曲部46。与凸状部4同样地，弯曲部46抑制反应气体从分离区域D的两侧侵入，从而抑制第一反应气体与第二反应气体的混合。扇形的凸状部4设置于顶板11，为了能够从容器主体12卸下顶板11，在弯曲部46的外周面与容器主体12之间存在少许间隙。弯曲部46的内周面与旋转台2的外端面之间的间隙以及弯曲部46的外周面与容器主体12之间的间隙例如被设定为与第一顶面44相对于旋转台2的上表面的高度同样的尺寸。

[0043] 容器主体12的内周面在分离区域D如图5所示那样与弯曲部46的外周面接近并形成为垂直面。另一方面，在分离区域D以外的区域，容器主体12的内周面如图1所示那样例如从与旋转台2的外端面相向的部位开始遍及底部14地向外方侧凹陷。以下，为了便于说明，将具有大致矩形的截面形状的凹陷的部分记为排气区域。具体地说，将与第一处理区域P1连通的排气区域记为第一排气区域E1，将与第二处理区域P2连通的区域记为第二排气区域E2。如图1至图3所示，在第一排气区域E1和第二排气区域E2的底部分别形成有第一排气口61和第二排气口62。第一排气口61和第二排气口62如图1所示那样分别经由排气管63而连接于作为真空排气单元的例如真空泵64。在真空泵64与排气管63之间设置有压力控制器
65。

[0044] 如图1和图5所示，在旋转台2与真空容器1的底部14之间的空间设置有作为加热单元的加热器单元7。由此，旋转台2上的晶圆W经由旋转台2被加热至由工艺制程(process recipe)决定的温度(例如200℃)。如图5所示，在旋转台2的周缘附近的下方侧设置有圆环状的罩构件71。

[0045] 罩构件71划分出从旋转台2的上方空间到第一排气区域E1、第二排气区域E2的环境和用于放置加热器单元7的环境来抑制气体向旋转台2的下方区域侵入。罩构件71具有内侧构件71a和外侧构件71b。

[0046] 内侧构件71a被设置为从下方侧面对旋转台2的外边缘部以及与外边缘部相比更靠外周侧的部分。内侧构件71a在旋转台2的外边缘部下方(以及与外边缘部相比略微靠外侧的部分的下方)遍及整周地包围加热器单元7。

[0047] 外侧构件71b设置在内侧构件71a与真空容器1的内周面之间。在分离区域D内，在形成于凸状部4的外边缘部的弯曲部46的下方，外侧构件71b与弯曲部46接近设置。

[0048] 底部14的与配置有加热器单元7的空间相比更靠旋转中心侧的部位以与旋转台2的下表面的中心部附近的芯部21接近的方式向上方侧突出而成为突出部12a。突出部12a与芯部21之间为狭窄的空间，另外，贯穿底部14的旋转轴22的贯穿孔的内周面与旋转轴22之的间隙窄，这些狭窄的空间与壳体20连通。在壳体20设置有吹扫气体供给管72。吹扫气体供给管72向狭窄的空间内供给作为吹扫气体的氮气来进行吹扫。在真空容器1的底部14，在加热器单元7的下方，沿周向以规定的角度间隔设置有用于对加热器单元7的配置空间进行吹扫的多个吹扫气体供给管73。此外，在图5中示出了一个吹扫气体供给管73。在加热器单元7与旋转台2之间设置有盖构件7a，该盖构件7a从外侧构件71b的内周面(内侧构件71a的上表面)开始遍及周向地覆盖与突出部12a的上端之间的空间，以抑制气体向设置有加热器单元7的区域侵入。盖构件7a例如由石英形成。

[0049] 在真空容器1的顶板11的中心部连接有分离气体供给管51。分离气体供给管51向顶板11与芯部21之间的空间52供给作为分离气体的氮气。供给到空间52的分离气体经由突出部5与旋转台2之间的狭窄的空间50沿着旋转台2的晶圆载置区域这一侧的上表面朝向周缘喷出。空间50能够通过分离气体而被维持为比空间481、482的压力高的压力。因而，利用空间50来抑制被供给到第一处理区域P1的BTBAS气体与被供给到第二处理区域P2的臭氧通过中心区域C混合。即，空间50(或中心区域C)发挥与分离空间H(或分离区域D)同样的功能。

[0050] 如图2至图4所示，在真空容器1的侧壁形成有用于在外部的搬送臂10与旋转台2之间进行晶圆W的交接的搬送口15。搬送口15通过闸阀(未图示)来开闭。在与搬送口15相向的位置，在旋转台2的作为晶圆载置区域的凹部2a与搬送臂10之间进行晶圆W的交接。因此，在旋转台2的下方侧，在与交接位置对应的部位，设置有用于贯穿凹部2a地从下面举起晶圆W的交接用的升降脚及其升降机构(均未图示)。

[0051] 另外，如图1所示，在成膜装置中设置有用于控制装置整体的动作的包括计算机的控制部100。在控制部100的存储器内存储有用于在控制部100的控制下使成膜装置实施各种处理的程序。关于程序，为了执行各种处理而编写有步骤组并存储于硬盘等介质102，利用规定的读取装置将程序读入至存储部101并安装到控制部100内。

[0052] 〔密封构造〕

[0053] 参照图6来对一个实施方式的密封构造的一例进行说明。图6是表示密封构造的一例的概要图。

[0054] 如图6所示，密封构造13是用于对构成真空容器1的构件之间的接合部例如顶板11与容器主体12的接合部J进行密封的密封构造。但是，构成真空容器1的构件之间的接合部并不限定于顶板11与容器主体12的接合部J。例如，也可以是设置于容器主体12的侧面且在对真空容器1内进行确认时使用的查看窗(未图示)与容器主体12的接合部、容器主体12与排气管63的接合部。

[0055] 密封构造13具有内侧密封构件13a和外侧密封构件13b。

[0056] 内侧密封构件13a沿着容器主体12的周向配置在顶板11与容器主体12的接合部J的靠真空侧的位置。内侧密封构件13a是例如由四氟乙烯-全氟甲基乙烯基醚橡胶(全氟弹性体/FFKM)等氟橡胶形成的O型密封圈。FFKM具有高耐热性、耐化学药品性，因此能够抑制由于内侧密封构件13a暴露在导入至真空容器1内的反应气体中而劣化。

[0057] 外侧密封构件13b沿着容器主体12的周向配置在顶板11与容器主体12的接合部J的、与内侧密封构件13a相比更靠大气侧的位置。外侧密封构件13b由气体透过率比内侧密封构件13a的气体透过率低的材料形成。外侧密封构件13b是例如由偏二氟乙烯类橡胶(FKM)等氟橡胶形成的O型密封圈。由于FKM的气体透过率比FKKM的气体透过率低，因此能够大幅地抑制大气中的氧(O2)气等从大气侧透过外侧密封构件13b进入真空侧。另外，外侧密封构件13b与内侧密封构件13a不同，由于外侧密封构件13b不会暴露在真空容器1内，因此不会直接暴露在导入至真空容器1内的反应气体中。因此，也可以不具有像FFKM那样的高耐化学药品性。

[0058] 另外，外侧密封构件13b也可以是由聚偏二氯乙烯(PVDC)形成的薄膜。在将薄膜用作外侧密封构件13b的情况下，外侧密封构件13b例如卷绕配置于顶板11的外周面11s和容器主体12的外周面12s，以堵塞顶板11与容器主体12的间隙。

[0059] 在密封构造13中，当在真空容器1内进行处理时，顶板11与容器主体12经由内侧密封构件13a和外侧密封构件13b而接合。由此，通过顶板11、容器主体12、内侧密封构件13a以及外侧密封构件13b而形成密闭空间S1。在真空容器1内进行的处理例如是向真空容器1内导入反应气体来在晶圆W上形成膜的成膜处理。但是，在真空容器1内进行的处理并不限定于成膜处理，例如也可以是蚀刻处理、清洁处理。

[0060] 根据一个实施方式的密封构造13，具有：内侧密封构件13a，其配置于接合部J；以及外侧密封构件13b，其设置在接合部J的与内侧密封构件13a相比更靠大气侧的位置，由气体透过率比内侧密封构件13a的气体透过率低的材料形成。另外，当在真空容器1内进行处理时，通过顶板11、容器主体12、内侧密封构件13a以及外侧密封构件13b而形成密闭空间S1。由此，相比于外侧密封构件13b由与内侧密封构件13a相同的材料形成的情况，能够抑制大气中的氧气等从大气侧透过外侧密封构件13b进入真空侧。其结果是，能够提高顶板11与容器主体12的接合部J的气密性。

[0061] 另外，密封构造13不具有用于对内侧密封构件13a与外侧密封构件13b之间进行真空排气的真空排气构造、以及用于向内侧密封构件13a与外侧密封构件13b之间导入吹扫气体的吹扫气体导入构造。因此，能够利用简单的构造提高顶板11与容器主体12的接合部J的气密性。

[0062] 参照图7来对一个实施方式的密封构造的另一例进行说明。图7是表示密封构造的另一例的概要图。

[0063] 如图7所示，与图6所示的密封构造13的不同点在于，密封构造13A具有能够向内侧密封构件13a与外侧密封构件13b之间的空间导入非活性气体的气体导入管13c。另外，密封构造13A具有插设于气体导入管13c的开闭阀13d。此外，其它结构可以是与图6所示的密封构造13相同的结构。以下，以与图6所示的密封构造13不同的点为中心来进行说明。

[0064] 密封构造13A具有内侧密封构件13a、外侧密封构件13b、气体导入管13c以及开闭阀13d。

[0065] 气体导入管13c是用于向内侧密封构件13a与外侧密封构件13b之间的区域导入非活性气体的配管。作为非活性气体，例如能够采用氮气、Ar气。

[0066] 开闭阀13d插设于气体导入管13c。当关闭开闭阀13d时，内侧密封构件13a与外侧密封构件13b之间的区域同非活性气体导入部的连通被开闭阀13d切断。即，通过顶板11、容器主体12、内侧密封构件13a、外侧密封构件13b、气体导入管13c以及开闭阀13d而形成密闭空间S2。另一方面，当打开开闭阀13d时，内侧密封构件13a与外侧密封构件13b之间的区域同非活性气体导入部连通。即，不形成密闭空间。

[0067] 在密封构造13A中，当在真空容器1内进行处理时，顶板11与容器主体12经由内侧密封构件13a和外侧密封构件13b而接合，且开闭阀13d被关闭。由此，通过顶板11、容器主体12、内侧密封构件13a、外侧密封构件13b、气体导入管13c以及开闭阀13d而形成密闭空间S2。在真空容器1内进行的处理例如是向真空容器1内导入反应气体来在晶圆W上形成膜的成膜处理。但是，在真空容器1内进行的处理并不限定于成膜处理，例如也可以是蚀刻处理、清洁处理。

[0068] 根据一个实施方式的密封构造13A，具有：内侧密封构件13a，其配置于接合部J；以及外侧密封构件13b，其设置在接合部J的与内侧密封构件13a相比更靠大气侧的位置，由气体透过率比内侧密封构件13a的气体透过率低的材料形成。另外，当在真空容器1内进行处理时，通过顶板11、容器主体12、内侧密封构件13a、外侧密封构件13b、气体导入管13c以及开闭阀13d而形成密闭空间S2。由此，相比于外侧密封构件13b由与内侧密封构件13a相同的材料形成的情况，能够抑制大气中的氧气等从大气侧透过外侧密封构件13b进入真空侧。其结果是，能够提高顶板11与容器主体12的接合部J的气密性。

[0069] 另外，在密封构造13A中设置有气体导入管13c和开闭阀13d。由此，能够从气体导入管13c向内侧密封构件13a与外侧密封构件13b之间的区域导入非活性气体。因此，通过在相对于容器主体12打开顶板11时将开闭阀13d打开，能够向内侧密封构件13a与外侧密封构件13b之间的区域导入非活性气体而升压至大气压。其结果是，能够容易地相对于容器主体12打开顶板11。

[0070] 〔实施例〕

[0071] 接着，说明对利用了一个实施方式的密封构造13时的气体的透过性进行了评价的实施例。

[0072] 在实施例中，在大气环境的大气区域与利用涡轮分子泵减压后的真空区域之间设置三种密封构造，评价使温度变化为50℃～200℃时的从大气区域透过到真空区域的气体流量(以下称为“透过流量”。)。三种密封构造如以下的表1所示。

[0073] [表1]

[0074] 密封构造内侧密封构件外侧密封构件实施例1 双重密封 FFKM FKM
比较例1 单重密封 FFKM 无
比较例2 双重密封 FFKM FFKM

[0075] 如表1所示，实施例1的密封构造是具有由FFKM形成的O型密封圈作为内侧密封构件13a、以及具有由FKM形成的O型密封圈作为外侧密封构件13b的双重密封构造。比较例1的密封构造是具有由FFKM形成的O型密封圈作为内侧密封构件13a但不具有外侧密封构件13b的单重密封构造。比较例2的密封构造是具有由FFKM形成的O型密封圈作为内侧密封构件13a和外侧密封构件13b的双重密封构造。

[0076] 图8是表示变更密封构造时的温度与透过流量的关系的图。在图8中，横轴表示温度[℃]，纵轴表示透过流量[Pa·m3/s]。另外，用三角(▲)标记表示实施例1的结果，用方块(■)标记表示比较例1的结果，用菱形(◆)标记表示比较例2的结果。

[0077] 如图8所示，在温度为50℃的情况下，在实施例1、比较例1以及比较例2之间没发现透过流量有较大的差异。另一方面，可知在温度为100℃、150℃、200℃的情况下，实施例1中的透过流量比比较例1及比较例2中的透过流量小。

[0078] 根据这些结果可以说，通过形成具有由FFKM形成的O型密封圈作为内侧密封构件13a、以及具有由FKM形成的O型密封圈作为外侧密封构件13b的双重密封构造，能够抑制气体从大气区域向真空区域透过。

[0079] 此外，在上述的实施方式中，第一反应气体和第二反应气体是处理气体的一例，反应气体喷嘴31、32是处理气体导入部的一例。

[0080] 此外，应当理解的是，本次公开的实施方式的所有点是示例性的，而并非用于进行限制。上述的实施方式可以在不脱离所附权利要求书及其主旨的范围内以各种方式进行省略、置换、变更。

[0081] 在上述的实施方式中，作为能够应用一个实施方式的密封构造的处理装置，列举出了半批量式的成膜装置为例来进行说明，但并不限定于此。例如，一个实施方式的密封构造也能够应用于例如一片一片地处理晶圆的单片式的成膜装置、以及一次对许多(例如50片～150片)晶圆进行处理的批量式的立式热处理装置。

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密封构造以及处理装置

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