一种柔性氧化铟锌薄膜晶体管及其制备方法
专利汇可以提供一种柔性氧化铟锌薄膜晶体管及其制备方法专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 发明 公开了一种柔性金属 氧 化物 薄膜 晶体管及其制备方法，PET衬底上 镀 有 铝 薄膜和通过 阳极 氧化 形成的氧化铝薄膜分别作为栅极和栅极绝缘层，上面沉积有氧化铟锌薄膜，通过lift-off的方法制备氧化铟 锡 (ITO)源漏 电极 ，最后沉积 二氧化 硅 作为器件 钝化 层。柔性金属氧化物 薄膜晶体管 适用于柔性集成 电路 ，所述晶体管具有良好的性能以及较高的工作 频率 。并且该器件具有结构轻薄、可弯曲折叠，抗机械冲击能 力 强等优点，在柔性显示设备、智能穿戴以及光电器件领域具有广泛的应用前景。，下面是一种柔性氧化铟锌薄膜晶体管及其制备方法专利的具体信息内容。
1.一种柔性氧化铟锌薄膜晶体管，其特征在于，结构从下到上依次为：柔性衬底、作为栅极的铝薄膜、作为栅绝缘层的通过阳极氧化法形成的氧化铝膜、氧化铟锌薄膜和铟锡氧化物漏源电极，最上面覆盖有一层二氧化硅作为器件钝化层。
2.根据权利要求1所述柔性氧化铟锌薄膜晶体管，其特征在于，所述铝薄膜厚度为
350nm。
3.根据权利要求1所述柔性氧化铟锌薄膜晶体管，其特征在于，所述氧化铝膜厚度为
150nm。
4.根据权利要求1所述柔性氧化铟锌薄膜晶体管，其特征在于，所述氧化铟锌薄膜厚度为30nm。
5.根据权利要求1所述柔性氧化铟锌薄膜晶体管，其特征在于，所述氧化铟锡薄膜厚度为250nm。
6.根据权利要求1所述柔性氧化铟锌薄膜晶体管，其特征在于，所述二氧化硅厚度为
200nm。
7.根据权利要求1所述柔性氧化铟锌薄膜晶体管，其特征在于，所述柔性衬底包括聚对苯二甲酸乙二醇PET塑料基板，PET塑料基板上表面有一层基于环氧SU8树脂的光刻胶粘合层。
8.一种柔性氧化铟锌薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，PET衬底上通过磁控溅射的方法沉积铝薄膜和通过阳极氧化形成的氧化铝薄膜分别作为栅极和栅极绝缘层，上面沉积有氧化铟锌薄膜，通过lift-off的方法制备氧化铟锡(ITO)源漏电极，最后沉积二氧化硅作为器件钝化层。
9.根据权利要求8所述柔性氧化铟锌薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，具体包括以下步骤：
a.选用200纳米厚的PET柔性材料作为衬底，首先将PET放进盛有丙酮溶液的烧杯中，然后在超声波清洗器中清洗5分钟，随后使用异丙醇溶液将用丙酮清洗过的PET在超声波清洗器中将丙酮清洗干净，得到PET衬底；
b.在PET衬底上通过磁控溅射的方法沉积350nm的铝薄膜，通过湿法刻蚀形成栅极；
c.在酒石酸铵和乙二醇构成的电解液中采用阳极氧化在栅极表面形成一层厚度为
150nm的氧化铝栅绝缘层，其中阳极氧化时间为1.2小时；
d.在室温下使用氧化铟(InO)和氧化锌(ZnO)靶材通过共溅射的方法沉积一层30nm的氧化铟锌(IZO)薄膜，其中铟和锌的比例为1:1，两个靶材的功率均为300W，溅射气体中氧气和氩气的流量比为50:6，溅射功率为120W；
e.在基板上沉积一层250nm的氧化铟锡薄膜，通过lift-off的方法图案化作为晶体管的漏源电极，定义沟道宽长比为100:30微米；
f.利用等离子增强化学气相沉积法(PECVD)沉积200nm的二氧化硅作为器件钝化层。在
300度的空气气氛下退火20min。
一种柔性氧化铟锌薄膜晶体管及其制备方法
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具体实施方式
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