专利汇可以提供一种氮化镓基发光二极管外延结构专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且本实用新型公开了一种氮化镓基发光 二极管 外延 结构,该 发光二极管 包括:发光外延层, 自上而下 依次包括第一 半导体 层、具有V型坑的 发光层 和第二半导体层;第一 电极 ,与所述第一半导体层形成电性连接;第二电极,与所述第二半导体层形成电性连接;在发光层与第二半导体层之间设置 电子 阻挡层,电子阻挡层具有 水 平部分以及与V型坑对应的V型部分,水平部分和/或V型部分表面具有复数个孔洞结构,孔洞具有改善空穴注入的效果,提高了 辐射 复合 发光效率 。,下面是一种氮化镓基发光二极管外延结构专利的具体信息内容。
1.一种氮化镓基发光二极管外延结构,外延结构自下而上依次包括第一半导体层、具有V型缺陷的发光层和第二半导体层;在发光层与第二半导体层之间设置电子阻挡层;
其特征在于,电子阻挡层具有水平部分以及与V型缺陷对应的V型部分,水平部分和V型部分表面具有复数个孔洞结构。
2.根据权利要求1所述的一种氮化镓基发光二极管外延结构,其特征在于,孔洞结构内填充了禁带度宽度比电子阻挡层材料低的氮化镓基半导体材料。
3.根据权利要求2所述的一种氮化镓基发光二极管外延结构,其特征在于,孔洞结构内填充了UGaN、P型GaN或者Al组份低于电子阻挡层的AlGaN。
4.根据权利要求2所述的一种氮化镓基发光二极管外延结构,其特征在于,孔洞结构内填充了AlxGayIn1-x-yN(0≤x≤1,0≤y≤1,x+y≤1)。
5.根据权利要求1所述的一种氮化镓基发光二极管外延结构,其特征在于,孔洞尺寸为大于等于0.1h至小于等于0.25h 。
6.根据权利要求1所述的一种氮化镓基发光二极管外延结构,其特征在于,电子阻挡层的厚度为大于等于30nm至小于等于50nm,或者大于50nm至小于等于200nm。
7.根据权利要求1所述的一种氮化镓基发光二极管外延结构,其特征在于,电子阻挡层的材料为AlaGabIn1-a-bN(0≤a≤1,0≤b≤1,a+b≤1)。
8.一种氮化镓基发光二极管,包括权利要求1至权利要求7中任意一项所述的一种氮化镓基发光二极管外延结构。
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