专利汇可以提供Additives to negative photoresists which increase the sensitivity thereof专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且The use of a scanning electron beam to generate a pattern in a negative photoresist is known. Electron beam equipment can be made which is capable of scanning very quickly, but a standard negative photoresist such as partially cyclized cis-polyisoprene requires such a large flux of electrons for proper exposure that the scanning equipment must be operated at speeds substantially slower than the capability of the equipment. By adding 1,4diphenyl-1,3-butadiene which dissociates readily into free radicals to the photoresist, the sensitivity or speed of the photoresist is effectively increased. As a result, the electron beam can scan at a higher rate.,下面是Additives to negative photoresists which increase the sensitivity thereof专利的具体信息内容。
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