Manufacture of semiconductor device
专利汇可以提供Manufacture of semiconductor device专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且PURPOSE: To pour impurity due to resist mask in a wiring polycrystalline film by implanting impurity ions by a high current ion implanting machine without thermally diffusing the impurity to low resistance wirings.
CONSTITUTION: An insulating film 2 is grown on a semiconductor substrate 1, a wiring polycrystalline film 3 is further grown thereon, the film 3 is coated with resist 5, which is so patterned as to expose the surface of the low resistance part of the film 3 by a photoetching method, and the ions of the same type are again implanted by a high current ion implanting machine. Thus, a low resistance part is formed on the film 3.
COPYRIGHT: (C)1990,JPO&Japio，下面是Manufacture of semiconductor device专利的具体信息内容。
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