연속적으로 인장된 단결정 실리콘 잉곳
阅读：439发布：2021-04-11
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단 결정 잉곳을 연속적으로 생산하는 공정이(a) 하나의 피드스턱이 미리 결정된 수준의 도핑제를 포함하는 두개의 피드스턱 실리콘을 갖는 실리콘 반도체 재료의 용융체를 형성하여, (b) 실리콘의 용융체로 부터 도핑된 실리콘의 단 결정 잉곳(여기서의 잉곳은 도핑제의 농도가 잉곳의 길이에 따라 균일한 것을 특징으로 함)을 연속적으로 인발하는 한편, (c) 단 결정의인발동안 용융체내의 균일한 도핑제농도를 유지하기 위해 실리콘 용융체내로 피드스턱을 연속적으로 공급하는 단계를 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 공정.
방식이(a)실리콘 반도체 재료의 용융체로 초고순도의 반도체 등급 실리콘으로 구성된 첫번째 피드스턱을 공급하고, (b) 실리콘 용융체로 알려진 양의 반도체도핑제가 첨가되어 있는 초고순도 반도체등급 실리콘으로 구성된 두번째 피드스턱을 공급하여, (c) 단계 (a)와 (b)가 수행되는 동안 상기 용융체로 부터 도핑된 실리콘을 인발하는 단계를 포함하며, 단계(a),(b),(c)가 실질상 연속적으로 수행되는 것을 특징으로 하는 방식.
단 결정실리콘을 성장시키는 방식이, (a) 반도체등급 실리콘의 용융체를 형성하여,(b) 구형이면서 낮은 표면대부피 비율을 갖고 약 1㎜의 직경을 갖는 응집되지 않은 개개의 단분산 실리콘 입자를 특징으로 하는 첫번째 실리콘 혼합물을 상기용융체로 도입하며, (c) 구형이면서 낮은 표면대 부피비율을 갖고 약 1㎜의 직경을 갖는 응집되지 않은 개개의 단분산 도핑된 실리콘 입자를 특징으로 하는 두번째 실리콘 혼합물을 상기 용융체로 도입하고, (d) 상기 용융체로부터 반도체 등급의도핑된 실리콘 잉곳을 연속해서 인발하는 동안 실질상 단계(b)와 (c)는 게속해서 수행되는 것을 특징으로 하는 방식.
제3항에 있어서, 도핑된 실리콘 입자가 붕소, 안티몬 또는 인을 포함하는 것을 특징으로 하는 공정.
제3항에 있어서, 단계(b)의 실리콘 입자 및 단계(c)의 도핑된 실리콘 입자가 실제로는 입자의 직경이 약 2㎜ 이상이고 미소 입자는 약 0.5㎜이하이며 약 1㎜의 평균 직경을 가지고, 입자 피드스턱이 실질상으로는 소결입자를 가지지 않음을 특징으로 하는 공정.
단 결정실리콘 잉곳을 성장시키는 공정이(a) 실리콘용융체를 형성하여, (b)상기 용융체로부터 실리콘의 단 결정 잉곳을 인발하고, (c) 그로부터 인발된 실리콘을 구성하기 위해, 구형이면서 낮은 표면대부피비율을 갖고 약 0.5~2㎜의 직경을 갖는 응집되지 않은 개객의 단분산 입자로 특징지워지는 개개의 실리콘 입자를 조절된 속도로 상기 용융체내로 도입하는 것을 특징으로 하는 공정.
단 결정실리콘 잉곳을 성장시키는 공정이(a) 실리콘의 용융체를 형성하여, (b) 실질상 연속적으로, 구형이면서 낮은 표면대부피 비율을 갖고 실제로 균일한 직경을 응집되지 않은 개개의 실리콘 입자를 상기 용융체로 조절된 속도로 도입하고, (c) 실리콘이 상기된 입자의 형태로 도입될 때의 속도로, 상기 용융체로부터 반도체 등급 실리콘의 단 결정 잉곳을 인발하는 것을 특징으로 하는 공정.
제6항에 있어서, (d) 구형이면서 낮은 표면대부피 비율을 갖고 실제로 균일한 직경을 갖는 도핑제를 포함하고 있는 응집되지 않은 개개의 단분산 실리콘 입자로 특징지워진 첫번째 상기 입자와는 다른 개개의 실리콘 입자를 용융체내로 조절된 속도로 도입하는 단계를 더불어 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 공정.
공정이(a) 기질입자상에 트리브로모실란의 열분해가 일어나도록 대기압과 약 600℃~900℃ 의 반응온도에서 트리브로모실란을 고순도 실리콘 기질입자층을 통과단켜 약 0.5~2㎜의 균일한 입자직경을 갖고 자유 흐름 단 분산이며 낮은 표면대부피비율을 갖는 구형의 생산물 입자를 형성하여, (b) 실리콘 용융체를 형성하고, (c) 그로부터 인발된 실리콘을 구성하기 위해 조절된 속도로 단계(a)로 부터의 개개의 실리콘 입자를 상기 용융체로 도입하는 것을 특징으로 하는 공정.
공정이(a) 기질입자상에 트리브로 모실란의 열분해가 일어나도록 약 600℃~900℃ 범위의 반응온도에서 고순도 실리콘 기질입자층을 트리브로모실란을 통과시켜 약 0.5~2㎜의 균일한 입자직경을 갖고 자유 흐름 단 분산이며 매우 낮은 표면대부피 비율을 갖는 구형의 생산물 입자를 형성하여, (b) 실리콘 용융체를 형성하고, (c) 단계(a)로부터 개개의 실리콘 입자를 조절된 속도로 실질상 연속해서 상기용융 체로 도입하고, (d) 실리콘이 상기된 입자의 형태로 도입될 때의 속도로, 상기 용융체로부터 반도체등급 실리콘의 단결정 잉곳이 인발되는 것을 특징으로 하는 공정.
제10항에 있어서, (d) 조절된 속도로, 첫번째 상기 입자와는 조성이 다른 개개의 실리콘 입자를 상기용융체로 도입하는 단계를 더불어 포함하는 것을 특징으로 하는 공정.
공정이(a) 기질입자상에 트리브로모실란의 열분해가 일어나도록 약 600℃~900℃ 범위의 반응온도에서 고순도 실리콘 질입자층에 트리브로모실란을 통과시켜 약 0.5~2㎜의 균일한 입자직경을 갖고 자유 흐름 단 분산이며 매우 낮은 표면대부피 비율을 갖는 구형의 생산물 입자를 형성하여, (b) 기질 입자상에 트리브로모실란의 열 분해가 일어나도록 약 600℃~900℃ 범위의 반응 온도에서 고순도 실리콘 기질 입자층에 트리브로모실란과 도핑제를 통과시켜 약 0.5~2㎜의 균일한 입자직경을 갖고 자유흐름 단 분산이며 매우 낮은 표면대부피비율을 갖는 구형의 도핑된 실리콘 생산물 입자를 형성하여, (c) 융융 실리콘 체로부터 결정을 인발하고, (d) 단계(a)로 부터의 입자 스트림과 단계(b)로 부터의 입자 스트림을 융융실리콘 체에 공급하는 것을 특징으로 하는 공 .
※ 참고사항 : 최초출원 내요에 의하여 공개하는 것임.
연속적으로 인장된 단 결정 실리콘 잉곳
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
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