Manufacture of semiconductor wafer
专利汇可以提供Manufacture of semiconductor wafer专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且PURPOSE: To form a wafer whose gettering effect is high and in which defects are caused but little by a thermal strain by a method wherein, after a strain layer having a crystal strain has been formed on the rear of a single-crystal silicon wafer, a polycrystalline silicon layer is formed by vapor growth on the rear surface of the strain layer and a polycrystalline silicon wafer is bonded to the rear surface of the polycrystalline silicon layer.
CONSTITUTION: A wafer 1 is cut from a silicon single-crystal ingot; silicon atoms are implanted into the rear of the wafer 1; a strain layer 2 is formed. A polycrystalline silicon layer 3 is formed by vapor growth on the rear surface of this strain layer 2. Then, a wafer 4 is cut from a silicon polycrystalline ingot; its one face is polished; a mirror face is finished; the mirror-finished face is bonded and united to the polycrystalline silicon layer; a wafer is formed.
COPYRIGHT: (C)1990,JPO&Japio，下面是Manufacture of semiconductor wafer专利的具体信息内容。
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