一种自支撑稀土镍基钙钛矿无衬底薄膜的制备方法
阅读：18发布：2020-05-14
专利汇可以提供一种自支撑稀土镍基钙钛矿无衬底薄膜的制备方法专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且一种自 支撑 稀土镍基 钙 钛 矿无衬底 薄膜 的制备方法。通过利用可溶解的 碱 金属卤化物作为晶种与衬底层,在碱金属卤化物表面生长处于热 力 学亚稳态的稀土镍基 钙钛矿 薄膜前驱体并通过适当的 热处理 过程使其结晶；进一步通过含有羟基的 溶剂 将碱金属卤化物溶解从而实现其与稀土镍基钙钛矿薄膜材料的分离。利用本 发明 方法所制备薄膜可通过剪裁等直接加工方法制备出器件所需的形状，并转移到器件所需的 位置 ，从而更好地满足 电子 器件、 能源 器件、探测器件等制备需求。所制备薄膜材料具有温致、氢致金属绝缘体相转变特性，热敏 电阻 特性，以及质子导体特性。该技术在制备功能电子器件、 传感器 、 燃料 电池 、 热敏电阻 、红外探测敏感材料等方面具有可观的应用价值。，下面是一种自支撑稀土镍基钙钛矿无衬底薄膜的制备方法专利的具体信息内容。
1.一种自支撑稀土镍基钙钛矿无衬底薄膜的制备方法，其特征在于，首先，利用可溶解的碱金属卤化物单晶或大晶粒多晶材料作为晶种与衬底牺牲层,在表面利用物理法或化学法沉积处于亚稳定状态下的稀土镍基钙钛矿化合物还有稀土元素与镍元素的前驱体材料，并通过处理过程使得前驱体在牺牲层表面结晶；在此过程中，由于碱金属卤化物晶体在一定晶面取向上与稀土镍基钙钛矿氧化物具有晶格耦合与浸润作用，实现对处于亚稳态的稀土镍基钙钛矿氧化物的形核自由能的降低，从而实现其高质量薄膜材料在牺牲层表面的生长；其后，利用碱金属卤化物晶体的可溶解性，通过碱金属卤化物在含有羟基的溶剂中溶解，实现其与稀土镍基钙钛矿薄膜材料的分离，并制备出具有自支撑结构的亚稳态薄膜材料。
2.如权利要求1所述的一种自支撑稀土镍基钙钛矿无衬底薄膜的制备方法，其特征在于，所述稀土镍基钙钛矿氧化物材料的晶体结构为ABO3的扭曲钙钛矿结构ReNiO3：Re位(A位)为除镧以外的单一稀土元素或多种稀土元素的组合，包括镝(Dy)、铒(Er)、镱(Yb)、钐(Sm)、钕(Nd)、铕(Eu)、镨(Pr)、钐钕(SmxNd1-x，0
3.如权利要求1所述的一种自支撑稀土镍基钙钛矿无衬底薄膜的制备方法，其特征在于所述作为牺牲层为具有特定取向的碱金属卤化物单晶材料，或具有大晶粒尺寸的多晶碱金属卤化物材料；其具有两个作用：1)在薄膜制备过程中，利用碱金属卤化物晶体在一定晶面取向上与稀土镍基钙钛矿氧化物具有晶格耦合与浸润作用，实现对处于亚稳态的稀土镍基钙钛矿氧化物的形核自由能的降低；2)利用碱金属卤化物晶体的可溶解性进一步实现对所制备稀土镍基钙钛矿氧化物薄膜的剥离；所述添加剂材料为碱金属卤化物，包括氯化钾(KCl)、碘化钠(NaI)、氟化铯(CsF)、碘化铯(CsI)、溴化钠(NaBr)。
4.如权利要求1所述的一种自支撑稀土镍基钙钛矿无衬底薄膜的制备方法，其特征在于，所述沉积稀土镍基钙钛矿材料的方法包括脉冲激光沉积法、磁控溅射法、化学旋涂法。
5.如权利要求1所述的一种自支撑稀土镍基钙钛矿无衬底薄膜的制备方法，其特征在于，所制备的稀土镍基钙钛矿化合物具有自支撑结构，具有一定柔性，且无衬底得束缚；该材料具有温致、氢致金属绝缘体相转变特性，热敏电阻特性，以及质子导体特性；基于这种特性，进一步通过对无衬底薄膜的形状进行加工，并进一步直接转移到所需位置，从而实现该材料在电子器件、能源器件、探测器件器件中更加简便地应用。
一种自支撑稀土镍基钙钛矿无衬底薄膜的制备方法
技术领域
[0001] 本发明属于无机非金属功能陶瓷、电子材料、薄膜材料领域，具 体地涉及一种通过具有自支撑结构的无衬底悬浮状稀土镍基钙钛矿 氧化物薄膜材料的制备方法。其主要通过利用可溶解的碱金属卤化物 作为晶种与衬底层,在碱金属卤化物表面生长处于热力学亚稳态的稀 土镍基钙钛矿薄膜前驱体并通过适当的热处理过程使其结晶；进一步 通过含有羟基的溶剂将碱金属卤化物溶解从而实现其与稀土镍基钙 钛矿薄膜材料的分离。所制备的具有自支撑结构的无衬底稀土镍基钙 钛矿氧化物薄膜具有温致、氢致金属绝缘体相转变特性，热敏电阻特 性，以及质子导体特性，可进行衬底转移并加工成器件所需的形状， 从而实现电子器件、能源器件、探测器件等制备需求。该技术在制备 功能电子器件、传感器、燃料电池、热敏电阻、红外探测敏感材料等 方面具有可观的应用价值。
背景技术
[0002] 稀土镍基钙钛矿氧化物(ReNiO3：Re＝Sm,Nd,Eu等)属于经 典的金属绝缘体相转变(MIT)材料【Appl.Phys.Lett.,2015,107,031905；Phys.Rev. Lett.,1999,82,3871；Phys.Rev.B,2004,69,153105；Phase Transitions,2008,81,729】，在 温度触发下具有金属-绝缘体相转变特性。通过对ReNiO3中稀土元素 种类以及镍氧键角的调节，可以实现其相变温度在500K的宽广范围 内的调节。除改变稀土元素种类外，ReNiO3的温致相变性能还可以通 过氧压【Phys.Rev.Lett.,1998,80,2397】，同位素【Phys.Rev.Lett.,2005,94,
226602】、 应力场【J.Appl.Phys.,2011,109,124110；APL Mater.2014,2,116110；Scripta Mater.,2012, 66,463；Phys.Rev.B,2013,88,195108】、极化【J.Mater.Chem.C,2014,2,
3805；J.Mater. Chem.C,2013,1,2455】等诸多方法实现细微调节。此外，通过氢气触发 ReNiO3的MIT相变，进一步拓宽了基于ReNiO3制备功能电子器件及能 源转换器件的设计空间【Nature,2016,Doi:10.1038/nature17653,Nat.Commun.,2014, 5,4860】。目前ReNiO3的薄膜生长问题是制约其实际应用的一个核心 难体，其原因在于除LaNiO3以外的ReNiO3通常具有正的合成自由能 (ΔG)，因此无法通过常规固相反应法合成。文献中报道的少部分 ReNiO3薄膜材料途径主要通过长时间高压退火以及单晶衬底模板效 应等
【J.Mater.Chem.C,2013,1,2455；Appl.Phys.Lett.,2007,91,192110；APLMater.2014, 2,
116110；Appl.Phys.Lett.,2007,91,192110】，降低ReNiO3的合成自由能。
226602】、 应力场【J.Appl.Phys.,2011,109,124110；APL Mater.2014,2,116110；Scripta Mater.,2012, 66,463；Phys.Rev.B,2013,88,195108】、极化【J.Mater.Chem.C,2014,2,
3805；J.Mater. Chem.C,2013,1,2455】等诸多方法实现细微调节。此外，通过氢气触发 ReNiO3的MIT相变，进一步拓宽了基于ReNiO3制备功能电子器件及能 源转换器件的设计空间【Nature,2016,Doi:10.1038/nature17653,Nat.Commun.,2014, 5,4860】。目前ReNiO3的薄膜生长问题是制约其实际应用的一个核心 难体，其原因在于除LaNiO3以外的ReNiO3通常具有正的合成自由能 (ΔG)，因此无法通过常规固相反应法合成。文献中报道的少部分 ReNiO3薄膜材料途径主要通过长时间高压退火以及单晶衬底模板效 应等
【J.Mater.Chem.C,2013,1,2455；Appl.Phys.Lett.,2007,91,192110；APLMater.2014, 2,
116110；Appl.Phys.Lett.,2007,91,192110】，降低ReNiO3的合成自由能。
[0003] 分析上述以往报道的ReNiO3薄膜材料的制备方法，由于所制备的 ReNiO3薄膜材料与衬底材料紧密结合，这一点极大地限制了进一步将 ReNiO3应用于传统硅工艺，从而满足其器件应用。如何有效生长 ReNiO3薄膜材料并将其从衬底材料上剥离，从而更好地满足其器件应 用，尚有待进一步研究探索。
发明内容
[0004] 本发明的目的在于提供一种具有自支撑结构的无衬底稀土镍基 钙钛矿氧化物薄膜材料的制备方法。其主要通过利用可溶解的碱金属 卤化物作为晶种与衬底层,在碱金属卤化物单晶或大晶粒多晶材料牺 牲层表面生长处于热力学亚稳态的稀土镍基钙钛矿薄膜，并进一步通 过将碱金属卤化物溶解从而实现其与稀土镍基钙钛矿薄膜材料的分 离，实现具有自支撑结构的亚稳态薄膜材料的制备。一方面，在薄膜 制备过程中，利用碱金属卤化物晶体在一定晶面取向上与稀土镍基钙 钛矿氧化物具有晶格耦合与浸润作用，实现对处于亚稳态的稀土镍基 钙钛矿氧化物的形核自由能的降低；另一方面，利用碱金属卤化物晶 体的可溶解性进一步实现对所制备稀土镍基钙钛矿氧化物薄膜的剥 离。所制备的具有自支撑结构的无衬底稀土镍基钙钛矿氧化物薄膜具 有温致、氢致金属绝缘体相转变特性，热敏电阻特性，以及质子导体 特性。由于没有衬底材料的束缚，所制备薄膜可通过剪裁等直接加工 方法制备出器件所需的形状，并转移到器件所需的位置，从而更好地 满足电子器件、能源器件、探测器件等制备需求。该技术在制备功能 电子器件、传感器、燃料电池、热敏电阻、红外探测敏感材料等方面 具有可观的应用价值。
[0005] 本发明提供一种自支撑稀土镍基钙钛矿无衬底薄膜的制备方法， 所述方法包括：
[0006] 首先，利用可溶解的碱金属卤化物单晶或大晶粒多晶材料作为晶 种与衬底牺牲层,在表面利用物理法或化学法沉积处于亚稳定状态下 的稀土镍基钙钛矿化合物还有稀土元素与镍元素的前驱体材料，并通 过处理过程使得前驱体在牺牲层表面结晶。在此过程中，由于碱金属 卤化物晶体在一定晶面取向上与稀土镍基钙钛矿氧化物具有晶格耦 合与浸润作用，实现对处于亚稳态的稀土镍基钙钛矿氧化物的形核自 由能的降低，从而实现其高质量薄膜材料在牺牲层表面的生长。其后， 利用碱金属卤化物晶体的可溶解性，通过碱金属卤化物在含有羟基的 溶剂中溶解，实现其与稀土镍基钙钛矿薄膜材料的分离，并制备具有 自支撑结构的亚稳态薄膜材料。
[0007] 进一步地，所述稀土镍基钙钛矿氧化物材料的晶体结构为ABO3的扭曲钙钛矿结构ReNiO3：Re位(A位)为除镧以外的单一稀土元素 或多种稀土元素的组合，优选镝(Dy)、铒(Er)、镱(Yb)、钐(Sm)、 钕(Nd)、铕(Eu)、镨(Pr)、钐钕(SmxNd1-x，0
[0008] 进一步地，所述作为牺牲层为具有特定取向的碱金属卤化物单晶 材料，或具有大晶粒尺寸的多晶碱金属卤化物材料。其具有两个作用： 1)在薄膜制备过程中，利用碱金属卤化物晶体在一定晶面取向上与 稀土镍基钙钛矿氧化物具有晶格耦合与浸润作用，实现对处于亚稳态 的稀土镍基钙钛矿氧化物的形核自由能的降低；2)利用碱金属卤化 物晶体的可溶解性进一步实现对所制备稀土镍基钙钛矿氧化物薄膜 的剥离。所述添加剂材料优选碱金属卤化物，包括氯化钾(KCl)、 碘化钠(NaI)、氟化铯(CsF)、碘化铯(CsI)、溴化钠(NaBr) 等。
[0010] 在一优选例中，通过脉冲激光沉积过程，利用波长为248纳米的 激光切削SmNiO3块状陶瓷靶材，利用氯化钾单晶作为衬底对脉冲激光 切削等离子体羽辉进行接收从而沉积前驱体，通过将沉积后的薄膜在 500摄氏度下的热退火过程使所沉积薄膜结晶从而实现SmNiO3薄膜的 沉积。进一步地，将在氯化钾衬底上沉积的SmNiO3薄膜浸泡在水溶液 中溶解氯化钾牺牲层，从而实现SmNiO3薄膜的剥离。
[0011] 在另一优选例中，通过磁控溅射过程，利用氧化镍与金属钐的靶 材在氯化钾衬底上的共溅射沉积前驱体，通过将沉积后的薄膜在500 摄氏度下的热退火过程使所沉积薄膜结晶从而实现SmNiO3薄膜的沉 积。进一步地，将在氯化钾衬底上沉积的SmNiO3薄膜浸泡在氯化钾水 溶液中溶解氯化钾牺牲层，从而实现SmNiO3薄膜的剥离。
[0012] 在另一优选例中，通过硝酸钐与醋酸镍混合溶液在氯化钾衬底上 的旋涂过程实现前驱体沉积，通过将沉积后的薄膜在500摄氏度下的 热退火过程使所沉积薄膜结晶从而实现SmNiO3薄膜的沉积。进一步 地，将在氯化钾衬底上沉积的SmNiO3薄膜浸泡在乙醇溶液中溶解氯化 钾牺牲层，从而实现SmNiO3薄膜的剥离。
[0013] 所制备的稀土镍基钙钛矿化合物具有自支撑结构，具有一定柔 性，且无衬底得束缚；该材料具有温致、氢致金属绝缘体相转变特性， 热敏电阻特性，以及质子导体特性。基于这种特性，进一步通过对无 衬底薄膜的形状进行加工，并进一步直接转移到所需位置，从而实现 该材料在电子器件、能源器件、探测器件等器件中更加简便地应用。 该技术在制备功能电子器件、传感器、燃料电池、热敏电阻、红外探 测敏感材料等方面具有可观的应用价值。
[0014] 本发明经过广泛而深入的研究，通过改进制备工艺，获得了一 种具有自支撑结构的无衬底其主要通过利用可溶解的碱金属卤化物 作为晶种与衬底层,在碱金属卤化物单晶或大晶粒多晶材料牺牲层表 面生长处于热力学亚稳态的稀土镍基钙钛矿薄膜，并进一步通过将碱 金属卤化物溶解从而实现其与稀土镍基钙钛矿薄膜材料的分离，实现 具有自支撑结构的亚稳态薄膜材料的制备。稀土镍基钙钛矿氧化物薄 膜材料的制备方法。
[0015] 本发明的技术构思在于：所述方法利用金属卤化物作为牺牲层， 实现无衬底约束，具有自支撑结构的亚稳态稀土镍基钙钛矿化合物薄 膜材料的制备。该方法综合利用了牺牲层的两个特点：1)在薄膜制 备过程中，利用碱金属卤化物晶体在一定晶面取向上与稀土镍基钙钛 矿氧化物具有晶格耦合与浸润作用，实现对处于亚稳态的稀土镍基钙 钛矿氧化物的形核自由能的降低，提高其结晶度与成膜质量；2)利 用碱金属卤化物晶体的可溶解性，实现对所制备稀土镍基钙钛矿氧化 物薄膜的剥离。
[0016] 通过该方法可以实现亚稳态稀土镍基钙钛矿化合物薄膜具的无 衬底自支撑结构，从而区别与以往所报道的与衬底结合并受衬底束缚 的稀土镍基钙钛矿化合物薄膜。与传统薄膜沉积方法相比，利用本发 明所述方法可以突破衬底材料对薄膜材料的束缚，所制备薄膜可通过 剪裁等直接加工方法制备出器件所需的形状，并转移到器件所需的位 置，从而更好地满足电子器件、能源器件、探测器件等制备需求。所 制备薄膜材料具有温致、氢致金属绝缘体相转变特性，热敏电阻特性， 以及质子导体特性。该技术在制备功能电子器件、传感器、燃料电池、 热敏电阻、红外探测敏感材料等方面具有可观的应用价值。附图说明
[0017] 图1为所述方法示意图，其主要包括；
[0018] 图2为利用该方法所制备的无衬底SmNiO3薄膜材料的X射线衍射 图，表明所制备薄膜材料为具有扭曲钙钛矿结构的SmNiO3；
具体实施方式
[0019] 如无具体说明，本发明的各种原料均可以通过市售得到；或根据 本领域的常规方法制备得到。除非另有定义或说明，本文中所使用的 所有专业与科学用语与本领域技术熟练人员所熟悉的意义相同。此外 任何与所记载内容相似或均等的方法及材料皆可应用于本发明方法 中。
[0020] 本发明的其他方面由于本文的公开内容，对本领域的技术人员而 言是显而易见的。
[0021] 下面结合具体实施例，进一步阐述本发明。应理解，这些实施例 仅用于说明本发明而不用于限制本发明的范围。下列实施例中未注明 具体条件的实验方法，通常按照常规条件，或按照制造厂商所建议的 条件进行。
[0022] 实施例1：
[0023] 通过脉冲激光沉积过程，利用波长为248纳米的激光在2J/cm2的能量20Pa氧气压力下切削SmNiO3块状陶瓷靶材，将脉冲激光切削 等离子体羽辉沉积在氯化钾单晶衬底，实现对前驱体的沉积。将所在 氯化钾上沉积的前驱体薄膜在500摄氏度下100兆帕氧气下进行退火 热处理，使前驱体结晶成为SmNiO3单晶薄膜。将所在氯化钾衬底上制 备的SmNiO3单晶薄膜浸泡在水溶液中溶解氯化钾牺牲层，实现牺牲层 与薄膜材料的分离，从而制备具有自支撑结构的无衬底SmNiO3薄膜材 料。所述工艺方法示意图如图1所示；所制备薄膜的X射线衍射图如 图2所示。
[0024] 实施例2：
[0025] 利用磁控溅射，在单晶氯化钾衬底上共溅射利用氧化镍与金属钐 的靶材，生长含有Sm和Ni的薄膜前驱体。将所在氯化钾上沉积的前 驱体薄膜在500摄氏度下30兆帕氧气下进行退火热处理，使前驱体 结晶成为SmNiO3单晶薄膜。将所在氯化钾衬底上制备的SmNiO3单晶 薄膜浸泡在氯化钾水溶液中溶解氯化钾牺牲层，实现牺牲层与薄膜材 料的分离，从而制备具有自支撑结构的无衬底SmNiO3薄膜材料。
[0026] 实施例3：
[0027] 将硝酸钐与醋酸镍按照1:1的化学计量比混合均匀并溶解在乙 二醇甲醚溶液中。将所配置溶液旋涂在氯化钾衬底上，实现前驱体沉 积。将所在氯化钾上沉积的前驱体薄膜在500摄氏度下10兆帕氧气 下进行退火热处理，使前驱体结晶成为SmNiO3单晶薄膜。将所在氯化 钾衬底上制备的SmNiO3单晶薄膜浸泡在乙醇溶液中溶解氯化钾牺牲 层，从而实现SmNiO3薄膜的剥离。
[0028] 实施例4：
[0029] 通过脉冲激光沉积过程，利用波长为248纳米的激光在1.5J/cm2的能量20Pa氧气压力下切削NdNiO3块状陶瓷靶材，将脉冲激光切削 等离子体羽辉沉积在氯化钾单晶衬底，实现对前驱体的沉积。将所在 氯化钾上沉积的前驱体薄膜在500摄氏度下100兆帕氧气下进行退火 热处理，使前驱体结晶成为NdNiO3单晶薄膜。将所在氯化钾衬底上制 备的NdNiO3单晶薄膜浸泡在水溶液中溶解氯化钾牺牲层，实现牺牲层 与薄膜材料的分离，从而制备具有自支撑结构的无衬底NdNiO3薄膜材 料。
[0030] 实施例5：
[0031] 利用磁控溅射，在单晶氯化钾衬底上共溅射利用氧化镍与金属钕 的靶材，生长含有Nd和Ni的薄膜前驱体。将所在氯化钾上沉积的前 驱体薄膜在500摄氏度下30兆帕氧气下进行退火热处理，使前驱体 结晶成为NdNiO3单晶薄膜。将所在氯化钾衬底上制备的NdNiO3单晶 薄膜浸泡在氯化钾水溶液中溶解氯化钾牺牲层，实现牺牲层与薄膜材 料的分离，从而制备具有自支撑结构的无衬底NdNiO3薄膜材料。
[0032] 实施例6：
[0033] 将硝酸钕与醋酸镍按照1:1的化学计量比混合均匀并溶解在乙 二醇甲醚溶液中。将所配置溶液旋涂在氯化钾衬底上，实现前驱体沉 积。将所在氯化钾上沉积的前驱体薄膜在600摄氏度下5兆帕氧气下 进行退火热处理，使前驱体结晶成为NdNiO3单晶薄膜。将所在氯化钾 衬底上制备的NdNiO3单晶薄膜浸泡在乙醇溶液中溶解氯化钾牺牲层， 从而实现NdNiO3薄膜的剥离。
[0034] 实施例7：
[0035] 通过脉冲激光沉积过程，利用波长为248纳米的激光在1.5J/cm2的能量20Pa氧气压力下切削EuNiO3块状陶瓷靶材，将脉冲激光切削 等离子体羽辉沉积在溴化钠单晶衬底，实现对前驱体的沉积。将所在 溴化钠上沉积的前驱体薄膜在500摄氏度下100兆帕氧气下进行退火 热处理，使前驱体结晶成为EuNiO3单晶薄膜。将所在溴化钠衬底上制 备的EuNiO3单晶薄膜浸泡在水溶液中溶解溴化钠牺牲层，实现牺牲层 与薄膜材料的分离，从而制备具有自支撑结构的无衬底EuNiO3薄膜材 料。
[0036] 实施例8：
[0037] 利用磁控溅射，在单晶氯化钾衬底上共溅射利用氧化镍与金属铕 的靶材，生长含有Ni和Eu的薄膜前驱体。将所在溴化钠上沉积的前 驱体薄膜在800摄氏度下50兆帕氧气下进行退火热处理，使前驱体 结晶成为EuNiO3单晶薄膜。将所在溴化钠衬底上制备的EuNiO3单晶 薄膜浸泡在溴化钠水溶液中溶解溴化钠牺牲层，实现牺牲层与薄膜材 料的分离，从而制备具有自支撑结构的无衬底NdNiO3薄膜材料。
[0038] 实施例9：
[0039] 将硝酸铕与醋酸镍按照1:1的化学计量比混合均匀并溶解在乙 二醇甲醚溶液中。将所配置溶液旋涂在氯化钾衬底上，实现前驱体沉 积。将所在溴化钠上沉积的前驱体薄膜在600摄氏度下5兆帕氧气下 进行退火热处理，使前驱体结晶成为EuNiO3单晶薄膜。将所在溴化钠 衬底上制备的EuNiO3单晶薄膜浸泡在乙醇溶液中溶解溴化钠牺牲层， 从而实现EuNiO3薄膜的剥离。
[0040] 实施例10：
[0041] 通过脉冲激光沉积过程，利用波长为248纳米的激光在1.5J/cm2的能量20Pa氧气压力下切削Sm0.75Nd0.25NiO3块状陶瓷靶材，将脉冲激 光切削等离子体羽辉沉积在碘化钠单晶衬底，实现对前驱体的沉积。 将所在碘化钠上沉积的前驱体薄膜在800摄氏度下10兆帕氧气下进 行退火热处理，使前驱体结晶成为Sm0.75Nd0.25NiO3单晶薄膜。将所在碘 化钠衬底上制备的Sm0.75Nd0.25NiO3单晶薄膜浸泡在水溶液中溶解碘化 钠牺牲层，实现牺牲层与薄膜材料的分离，从而制备具有自支撑结构 的无衬底Sm0.75Nd0.25NiO3薄膜材料。
[0042] 实施例11：
[0043] 将硝酸钇与醋酸镍按照1:1的化学计量比混合均匀并溶解在乙 二醇甲醚溶液中。将所配置溶液旋涂在氟化铯衬底上，实现前驱体沉 积。将所在氟化铯上沉积的前驱体薄膜在600摄氏度下5兆帕氧气下 进行退火热处理，使前驱体结晶成为YNiO3单晶薄膜。将在氟化铯衬 底上制备的YNiO3单晶薄膜浸泡在水溶液中溶解溴化钠牺牲层，从而 实现YNiO3薄膜的剥离。
[0044] 实施例12：
[0045] 利用磁控溅射，在单晶氯化钾衬底上共溅射利用氧化镍与金属钆 的靶材，生长含有Ni和Gd的薄膜前驱体。将所在溴化钠上沉积的前 驱体薄膜在600摄氏度下100兆帕氧气下进行退火热处理，使前驱体 结晶成为GdNiO3单晶薄膜。将所在溴化钠衬底上制备的GdNiO3单晶 薄膜浸泡在溴化钠水溶液中溶解溴化钠牺牲层，实现牺牲层与薄膜材 料的分离，从而制备具有自支撑结构的无衬底GdNiO3薄膜材料。
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