专利汇可以提供Vapor phase growth met hod of compound semiconductor专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且PURPOSE: To stepwise grow a buffer crystal layer to a required mixed crystal ratio while releasing the mix-matching of lattice and obtain the crystal layer of high carrier mobility by epitaxially growing the InAs
x P
1-x layer on an InP substrate by a vapor phase growth method of an InPCl
3 -AsCl
3 -H
2 system.
COPYRIGHT: (C)1978,JPO&Japio,下面是Vapor phase growth met hod of compound semiconductor专利的具体信息内容。
标题 | 发布/更新时间 | 阅读量 |
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