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一种液晶显示面板

阅读:2发布:2020-07-08

专利汇可以提供一种液晶显示面板专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且一种 液晶 显示面板 ,所述液晶显示面板中包括源漏极走线层、液晶 像素 电极 、导电 氧 化物层,所述液晶像素电极、导电氧化物层设置于源漏极走线的上方,对源漏极走线上方的导电氧化物层进行镂空。区别于 现有技术 ,上述方案对源漏极走线上的导电氧化物层进行镂空,能够达到更好地减少计生电容的效果,从而提高液晶显示面板的充电效率。,下面是一种液晶显示面板专利的具体信息内容。

1.一种液晶显示面板,其特征在于,所述液晶显示面板中包括源漏极走线层、液晶像素电极、导电化物层,所述液晶像素电极、导电氧化物层设置于源漏极走线的上方,对源漏极走线上方的导电氧化物层进行镂空。
2.根据权利要求1所述的液晶显示面板,其特征在于,所述导电氧化物层具有在竖直方向上与源漏极走线重合的重叠部,所述重叠部在俯视方向上的投影为长条形,重叠部的长度方向与源漏极走线方向一致,导电氧化物层还包括连接部,所述连接部用于连接重叠部。
3.根据权利要求1所述的液晶显示面板,其特征在于,所述导电氧化物层的材质为ITO。
4.根据权利要求1所述的液晶显示面板,其特征在于,所述重叠部设置在源漏极走线两侧的上方。
5.根据权利要求1所述的液晶显示面板,其特征在于,所述重叠部设置在源漏极走线中间的上方,重叠部的两侧通过连接部与源漏极走线外侧的导电氧化物层连接。
6.根据权利要求1所述的液晶显示面板,其特征在于,面板内的绝缘物层均为非有机物绝缘层。

说明书全文

一种液晶显示面板

技术领域

[0001] 本发明涉及液晶面板设计领域,尤其涉及一种液晶显示面板的设计方法。

背景技术

[0002] 液晶面板领域中需要对面板反复充电达到显示效果,若面板的总电容太大,将会导致大量的消耗,VCOM跟Data Line之间的寄生电容又是其中的主因。

发明内容

[0003] 因此,需要提供一种新的液晶显示面板,减少液晶面板的寄生电容。
[0004] 为实现上述目的,发明人提供了一种液晶显示面板,所述液晶显示面板中包括源漏极走线层、液晶像素电极、导电化物层,所述液晶像素电极、导电氧化物层设置于源漏极走线的上方,对源漏极走线上方的导电氧化物层进行镂空。
[0005] 具体地,所述导电氧化物层具有在竖直方向上与源漏极走线重合的重叠部,所述重叠部在俯视方向上的投影为长条形,重叠部的长度方向与源漏极走线方向一致,导电氧化物层还包括连接部,所述连接部用于连接重叠部。
[0006] 具体地,所述导电氧化物层的材质为ITO。
[0007] 优选地,所述重叠部设置在源漏极走线两侧的上方。
[0008] 优选地,所述重叠部设置在源漏极走线中间的上方,重叠部的两侧通过连接部与源漏极走线外侧的导电氧化物层连接。
[0009] 具体地,面板内的绝缘物层均为非有机物绝缘层。
[0010] 区别于现有技术,上述方案对源漏极走线上的导电氧化物层进行镂空,能够达到更好地减少计生电容的效果,从而提高液晶显示面板的充电效率。附图说明
[0011] 图1为具体实施方式所述的有OC的Arrary基板剖面图;
[0012] 图2为具体实施方式所述的无OC的Arrary基板剖面图;
[0013] 图3为具体实施方式所述的液晶显示屏面内结构示意图;
[0014] 图4为具体实施方式所述的改进前Layout设计示意图;
[0015] 图5为具体实施方式所述的改进的Layout设计示意图;
[0016] 图6为具体实施方式所述的Data Line和PE电场图;
[0017] 图7为具体实施方式所述的新的layout设计图。

具体实施方式

[0018] 为详细说明技术方案的技术内容、构造特征、所实现目的及效果,以下结合具体实施例并配合附图详予说明。
[0019] 图1为有OC的Arrary基板剖面图,OC即是有机绝缘层,也叫作平坦层,导电ITO在下文中都叫做VCOM,液晶电容极板简称PE,第二金属层metal 2作为source、drain,又叫源漏极走线,通常与片上Data line连接,又可叫做数据资料走线。图中展示了有OC时,VCOM与源漏极走线之间存在一个寄生电容Coc的情况。而在图2显示的一些实施例中,为了节省制作液晶显示屏的材料成本,使制作工艺的程序更快,提升效益。还可以去掉OC层,原有的绝缘功能可以由其他非有机物绝缘层来代替。这样但是去掉OC后,也会存在一些问题,比如VCOM与Data Line之间由于无OC,两者之间的距离变小,导致VCOM与Data Line之间的寄生电容增大(两导电极板间的电容大小跟两极板间的距离成反比,距离越小,电容越大),把这个寄生电容命名为C无OC。
[0020] 图3为液晶显示屏面内结构示意图,一条纵线为数据资料走线,通过各TFT驱动各级的液晶像素电极。在图3中,C寄生total=Cx+Cdata/vcom。对于有OC的液晶显示屏来说,C寄生total=Cx+Coc,对于无OC的液晶显示屏来说,C寄生total=Cx+C无OC。经过图1和图2的说明,已知Coc亮度降低等。因此需要针对寄生电容过大而做出一些改进。
[0021] 图4为改进前的Layout设计示意图,其与图2的关系是,图2为面板的纵切面示意图,图4为其上方视的俯视图,图2中的左右对应图4中的左右。图4展示了去掉OC后的Layout结构,图中画出了Pixel电极PE、导电ITO(VCOM)、Data Line数据资料走线之间的层叠结构关系,PE在VCOM上层,VCOM在Data Line上层。此时VCOM是一整层铺在Data Line上面,Data Line与VCOM之间的的重叠面积为S1,即电容极板的面积,根据面积与电容大小的关系可知重叠面积越大,电容越大,则此时的S1最大。
[0022] 图5的实施例给出了改进的Layout设计,在有Data Line的地方尽量减少与VCOM的重叠面积S2,即对与源漏极走线重叠的VCOM部分进行镂空。仅保留左右VCOM还是需要有两小部分互相连接的连接部(为了保证VCOM等电位,节约IC拉出来的SX走线)。连接部的大小为最小限度,即宽度在图案化技术允许的范围内尽量地窄。在图5的实施例中,这样的实施方式可以有效地减小VCOM与Data Line之间的电容,从而提高液晶显示屏的充电率。
[0023] 在上述应用例中,虽然有效减少了电容,但是工程师发现在VCOM和Data Line没有重叠面积的地方会出现Data Line与PE的电场,此电场可能会影响液晶显示屏中液晶的翻转。VCOM和Data Line没有重叠的地方,由于没有了VCOM(可看做导电金属极板)的屏蔽作用,此时Data Line和PE之间会形成一个电场,电场图如图6所示。PE电极上本来会有一个固定的电压,此电压与VCOM会形成一个固定的压差,此压差使相对应的子画素能够显示。但现在失去了VCOM的屏蔽作用,Data Line上电压一变化,与PE之间的电场就会发生变化,Data Line上方的PE与VCOM之间液晶就会随意发生翻转,使得Pixel显示不正常。
[0024] 为了解决电场干扰液晶像素电极的问题,我们提出一种新的设计,如图7所示,导电氧化物层ITO具有在竖直方向上与源漏极走线重合的重叠部,所述重叠部在俯视方向上的投影为长条形,重叠部的长度方向与源漏极走线方向一致,根据常识可以得知,重叠部只有沿源漏极走线方向设置才能够有效屏蔽电场。重叠部的长度可以跟当前导电氧化物层与源漏极走线方向上的长度相等;还可以设置为跟在当前导电氧化物层上的像素电极在源漏极走线方向上的长度相等,也可以取二者的中间值设置等。上述设置方式都能够达到利用重叠部屏蔽电场的技术效果。重叠部的宽度根据实际技术平尽量做窄即可。导电氧化物层还包括连接部,所述连接部用于连接重叠部或与使得源漏极走线外侧的导电氧化物层与重叠部连接。连接部还用于保证符合设计需要的原本横跨源漏极导线的导电氧化物层与重叠部之间是等电位的,而不是被镂空后分裂为源漏极导线的左右两部分。上述方案能够解决电场屏蔽不足影响液晶正常显示的问题。
[0025] 具体在图7中,VCOM与Data Line在竖直方向上有一小部分重叠面积S3,我们称之为重叠部,本实施例中的重叠部为源漏极走线上方两侧的导电氧化物层向内侧的延伸,因此在本实施例中,重叠部设置在源漏极走线两侧的上方,中间通过连接部连接。图7中我们可以看到有2个S3,一个S4(作为左右VCOM的连接,使VCOM等电位),S1>S3+S4>S2,VCOM在PE下层,起屏蔽作用,此时VCOM与Data Line之间无电场存在,PE与VCOM之间的液晶不会随着Data Line上电压的变化而随意翻转。上述设计方案,减小了DataLine与VCOM之间的寄生电容,则C寄生total比无OC的普通的Layout设计的C寄生total还小,因此也提高了无OC的液晶显示屏的充电率。这样的Layout设计即节约了材料(去掉了OC),充电率还得到了提高,又不影响液晶显示屏的显示效果。
[0026] 在其他一些实施例中,镂空方式还可如下所示,所述重叠部设置在源漏极走线中部、中间非边缘区域的上方,重叠部的两侧通过连接部与源漏极走线外侧的导电氧化物层连接。连接的设置也主要是为了保证电位相等。在该种实施例中,即便不在源漏极走线的两侧布设重叠部,也能够保证电场存在于源漏极走线和导电氧化物层之间。同样能够达到保证液晶像素基板正常工作的技术效果。
[0027] 需要说明的是,尽管在本文中已经对上述各实施例进行了描述,但并非因此限制本发明的专利保护范围。因此,基于本发明的创新理念,对本文所述实施例进行的变更和修改,或利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换,直接或间接地将以上技术方案运用在其他相关的技术领域,均包括在本发明的专利保护范围之内。
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