Manufacture of semiconductor device
专利汇可以提供Manufacture of semiconductor device专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且PURPOSE: To pispense with ion-proof implantation masks, by producting a source and a drain regions by ion implantaion, irradiating laser light upon only the source region to selectively diffuse an impurity implanted in the region.
CONSTITUTION: An SiO
2 film 22 and a polycrystalline silicon film 23 are grown on a P-type silicon substrate 21. These films are photoetched to leave parts for a gate. These parts are used as mask to implant P-type impurity ions to change the surfaces of the source and drain making parts of the surbstrate 21 into P-type layers 24, 25. Only the source region 24 is then irradiated with laser light to diffuse the implanted P-type impurity ions to produce a P-type channel region 26. An N
+ -type source region 27 and an N
+ -type drain region 28 are produced in the region 26 and the layer 25 by ion implantation. Masks for defining diffused regions in the ion implantation are thus dispensed with.
COPYRIGHT: (C)1980,JPO&Japio，下面是Manufacture of semiconductor device专利的具体信息内容。
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