专利汇可以提供Schottky barrier type field effect transistor专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且PURPOSE: To obtain good high frequency characteristics by making the substantial length of gate electrode short, making electric resistance small from both of the film thickness and length of said electrode thereby making source-to-drain electrode distance short.
COPYRIGHT: (C)1977,JPO&Japio,下面是Schottky barrier type field effect transistor专利的具体信息内容。
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