专利汇可以提供Semiconductor device专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且PURPOSE:To increase the integration performance not by using the horizontal bipolar transistor but by composing I L with two vertical bipolar transistors of the following structure: one uses 1st conduction type substrate for the emitter, 2nd conduction type epitaxial layer for the base and 1st conduction type region for the collector; and the other uses 2nd conduction type epitaxial layer for the emitter, 1st conduction type region for the base and 2nd conduction type region for the collector respectively.,下面是Semiconductor device专利的具体信息内容。
标题 | 发布/更新时间 | 阅读量 |
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一种用于直流电网的组合限流型直流断路器 | 2020-05-11 | 639 |
一种含有背面槽栅及浮空环的逆导型IGBT | 2020-05-11 | 514 |
一种低损耗模块化多电平换流器及其参数设计方法 | 2020-05-08 | 131 |
一种低损耗模块化多电平直流直流变换器及其子模块 | 2020-05-08 | 286 |
一种互补式功率放大器 | 2020-05-11 | 444 |
基于负阻效应器件实现磁电阻比值放大的电路结构 | 2020-05-08 | 764 |
换流器MMC及基于MMC的直流故障隔离方法和系统 | 2020-05-08 | 92 |
基于T型结构的单相五电平整流器 | 2020-05-08 | 342 |
单片集成式半桥功率器件模块 | 2020-05-08 | 740 |
具有加强结构的边缘终端装置 | 2020-05-08 | 524 |
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