一种半球形凹槽状的压电材料结构
专利汇可以提供一种半球形凹槽状的压电材料结构专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本实用新型涉及压电材料技术领域，具体地说，涉及一种半球形凹槽状的压电材料结构，包括呈半球状的压电陶瓷主体，压电陶瓷主体的顶端开设有顶部平台，压电陶瓷主体的底端边缘处设有凸沿，压电陶瓷主体上开设有若干通槽，压电陶瓷主体的顶底两部分别设置有顶搭片和底搭片。该半球形凹槽状的压电材料结构，通过设置的若干通槽，减少了压电陶瓷主体的抗 变形 能 力 ，达到增加压电陶瓷主体受压灵敏度的效果，通过设置的顶搭片和底搭片，使压电陶瓷主体的顶端两端始终分别与顶搭片和底搭片进行充分 接触 ，防止因物体表面不平而造成压电陶瓷主体受压不均匀的现象。，下面是一种半球形凹槽状的压电材料结构专利的具体信息内容。
1.一种半球形凹槽状的压电材料结构，包括呈半球状的压电陶瓷主体(1)，其特征在于：所述压电陶瓷主体(1)的顶端开设有通孔(1a)，所述压电陶瓷主体(1)的顶端开设有呈平面状的顶部平台(12)，所述压电陶瓷主体(1)的底端边缘处一体成型有凸沿(13)，所述凸沿(13)的底端呈平面状，所述压电陶瓷主体(1)的底部外表面处开设有若干呈环形等间距排布的通槽(1b)，所述压电陶瓷主体(1)的底部设置有底搭片(2)，所述底搭片(2)上开设有用于搭接所述压电陶瓷主体(1)的环槽(2a)，所述压电陶瓷主体(1)的顶端设置有顶搭片(3)，所述顶搭片(3)的底面和所述顶部平台(12)的顶面相贴合。
2.根据权利要求1所述的半球形凹槽状的压电材料结构，其特征在于：所述压电陶瓷主体(1)呈空壳状结构，所述压电陶瓷主体(1)的内外表面上均设置有电极镀层(11)。
3.根据权利要求1所述的半球形凹槽状的压电材料结构，其特征在于：所述通槽(1b)的底端将所述压电陶瓷主体(1)的底端贯通。
4.根据权利要求1所述的半球形凹槽状的压电材料结构，其特征在于：所述环槽(2a)的内径小于所述压电陶瓷主体(1)的内径，所述环槽(2a)的外径大于所述凸沿(13)的外径。
5.根据权利要求1所述的半球形凹槽状的压电材料结构，其特征在于：所述顶搭片(3)的底端一体成型有凸台(31)，所述凸台(31)伸入到所述通孔(1a)内。
一种半球形凹槽状的压电材料结构
技术领域
背景技术
能够被制作出各种形状，其中在半球状的压电陶瓷中，由于半球状的压电陶瓷的抗变形能
力较大，使得较小的压力传导至压电陶瓷上时会因压电陶瓷本身抗变形能力的作用下造成
压力反映不明显的情况，同时当安装半球状压电陶瓷的两个物体表面不平整时，会使传递
至压电陶瓷上的力不均匀，进而导致测量的压力值与实际压力值不符合的现象发生。
实用新型内容
电陶瓷主体的底端边缘处一体成型有凸沿，所述凸沿的底端呈平面状，所述压电陶瓷主体
的底部外表面处开设有若干呈环形等间距排布的通槽，所述压电陶瓷主体的底部设置有底
搭片，所述底搭片上开设有用于搭接所述压电陶瓷主体的环槽，所述压电陶瓷主体的顶端
设置有顶搭片，所述顶搭片的底面和所述顶部平台的顶面相贴合。
达到增加压电陶瓷主体受压灵敏度的效果；
与顶搭片和底搭片进行充分接触，防止因物体表面不平而造成压电陶瓷主体受压不均匀的
现象。
附图说明
具体实施方式
实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下
所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。
力，使压电陶瓷主体1受力均匀。压电陶瓷主体1的顶端开设有呈平面状的顶部平台12，压电
陶瓷主体1的底端边缘处一体成型有凸沿13，凸沿13的底端呈平面状，增加压电陶瓷主体1
底部受力面积的同时能够使压电陶瓷主体1的底端能很好的贴合在物体的表面上。压电陶
瓷主体1的底部外表面处开设有若干呈环形等间距排布的通槽1b，通槽1b的底端将压电陶
瓷主体1的底端贯通，使得压电陶瓷主体1的抗压能力降低，从而达到增加压电陶瓷主体1压
力灵敏度的目的。
力的作用时，它的两个极面上出现极性相反但电量相等的电荷或电压，并通过外部系统对
这一电荷或电压进行放大，然后转换成压力、加速度、机械冲击和振动等物理量。
外径，使压电陶瓷主体1被限位在环槽2a内，防止压电陶瓷主体1从底搭片2上脱离。压电陶
瓷主体1的顶端设置有顶搭片3，顶搭片3的底面和顶部平台12的顶面相贴合，顶搭片3的底
端一体成型有凸台31，凸台31伸入到通孔1a内，使得顶搭片3被限位在压电陶瓷主体1的顶
端，防止顶搭片3的脱离。
械力在受压物体的作用下使压电陶瓷主体1产生机械形变，此时由于通槽1b使压电陶瓷主
体1的抗压能力变小，使得压电陶瓷主体1能够更加灵敏地对受到的机械力机械测量，最后
在底搭片2的作用下，是压电陶瓷主体1在底搭片2和顶搭片3之间受压均匀，防止压电陶瓷
主体1的测量出现误差。
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