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一种基于理想 二极管的机载用电设备抑制直流浪涌方法

阅读：926发布：2020-05-08

专利汇可以提供一种基于理想二极管的机载用电设备抑制直流浪涌方法专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且基于理想二极管的机载用电设备抑制直流浪涌方法及电路，在机载小型化设备的浪涌抑制设备中，采用基于理想二极管的控制器电路，通过对理想二极管的控制，保护负载免受高电压瞬变影响，使得浪涌抑制电路在输入10A 电流下可承受600V/10us的脉冲尖峰电压和80V/100ms的过压浪涌，保护后端电路稳定工作，且在电路内部集成肖特基二极管防倒灌电路，欠压浪涌时可有效防止储能电容电压倒灌。本发明通过对理想二极管的控制，可有效实现机载小型化设备的浪涌抑制，保护负载免受高电压瞬变影响。，下面是一种基于理想二极管的机载用电设备抑制直流浪涌方法专利的具体信息内容。

权利要求

1.基于理想二极管的机载用电设备抑制直流浪涌方法，其特征在于：在机载小型化设备的浪涌抑制设备中，采用基于理想二极管的控制器电路，通过对理想二极管的控制，保护负载免受高电压瞬变影响，使得浪涌抑制电路在输入10A电流下可承受600V/10us的脉冲尖峰电压和80V/100ms的过压浪涌，保护后端电路稳定工作，且在电路内部集成肖特基二极管防倒灌电路，欠压浪涌时可有效防止储能电容电压倒灌。
2.如权利要求1所述的基于理想二极管的机载用电设备抑制直流浪涌方法，其特征在于：所述的基于理想二极管的控制器电路包括尖峰抑制电路、前端滤波电路、过压抑制电路、去纹波电路，通过尖峰抑制电路、前端滤波电路、过压抑制电路、去纹波电路的联合控制实现浪涌抑制；其中，通过尖峰抑制电路抑制高频干扰及平缓脉冲，通过前端滤波电路为后端稳压电路进行滤波；通过过压抑制电路实现反向输入保护和输出电压停滞；通过去纹波电路消除输出纹波。
3.如权利要求1所述的基于理想二极管的机载用电设备抑制直流浪涌方法，其特征在于：所述的通过对理想二极管的控制是将理想二极管控制器U1的第16脚连接至电阻R6及电阻R8之间，通过分压设计将输出电压稳定至35.4V，且当电源输入Uin过压或欠压时，理想二极管控制器U1可将输出电压稳定在35.4V；同时理想二极管控制器U1控制MOS管的金氧半场效晶体管Q1的正向电压降，并在电源故障、电流短路或输入不足的情况下，将反向瞬变电流最小化；并采用N沟道MOS管的金氧半场效晶体管Q2来取代一个肖特基二极管，用于反向输入保护和输出电压停滞，当负载纹波超过30mV，理想二极管控制器U1内部电路将第4脚电压高出第5脚电压10-12V，即MOS管的金氧半场效晶体管Q2的UGS压降控制在10-12V，此时的金氧半场效晶体管Q2处于导通状态，防止负载电流倒灌。
4.一种实现权利要求1所述基于理想二极管的机载用电设备抑制直流浪涌方法的抑制直流浪涌电路，其特征在于：在抑制直流浪涌电路中包括理想二极管控制器电路和保护负载免受高电压瞬变影响的浪涌抑制电路模块，通过理想二极管控制器电路和保护负载免受高电压瞬变影响的浪涌抑制电路模块，保护负载免受高电压瞬变影响。
5.如权利要求3所述的抑制直流浪涌电路，其特征在于：所述的理想二极管控制器电路和保护负载免受高电压瞬变影响的浪涌抑制电路模块包括浪涌抑制电路和EMI 滤波器。
6.如权利要求4所述的抑制直流浪涌电路，其特征在于：所述的浪涌抑制电路包括尖峰抑制电路、前端滤波电路、过压抑制电路、去纹波电路；其中，通过尖峰抑制电路抑制高频干扰及平缓脉冲；通过前端滤波电路为后端稳压电路进行滤波；过压抑制电路为80V/50ms 的过压浪涌电路，用于反向输入保护和输出电压停滞；去纹波电路为消除输出纹波，用于控制纹波范围为50mVp-p。
7.如权利要求6所述的抑制直流浪涌电路，其特征在于：所述的尖峰抑制电路为电源输入Uin的正极接至二极管D1的负极及电容CX1的一端，电源输入Uin的负极接至二极管D1的正极及电容CX1的另一端，电感L1的一端接至电源输入Uin的正极，另一端接至电容CX2的正极，电感L3的一端接至电源输入Uin的负极，另一端接至电容CX2的负极；尖峰抑制电路用于吸收600V/10us 脉冲电压，将600V尖峰钳位到80-90V，二极管选用TVS 管；电感L1及电感L3 主要抑制高频干扰及平缓脉冲。
8.如权利要求6所述的抑制直流浪涌电路，其特征在于：所述的前端滤波电路包括电容CX2、电容CX3和电感L2，电容CX2、电容CX3和电感L2为π型滤波器；其中，电容CX2的正极接至电感L2的2脚，电容CX3的正极接至电感L2的1脚，电容CX2的负极及电容CX3的负极均接至负载输出Uout的负极；前端滤波电路为后端稳压电路起到滤波作用。
9.如权利要求6所述的抑制直流浪涌电路，其特征在于：所述的过压抑制电路为80V/
50ms 的过压浪涌电路，电路中包含理想二极管控制器U1，通过过压抑制电路，把80V/50ms浪涌过压抑制到安全电压范围35.4V，并将N沟道MOS管的金氧半场效晶体管Q2来取代一个肖特基二极管，用于反向输入保护和输出电压停。
10.如权利要求6所述的抑制直流浪涌电路，其特征在于：所述的去纹波电路的负载输出Uout的正极接至电容C3的正极，负载输出Uout的负极接至电阻R15的一端，电阻R15的另一端接至电容C3的负极，电容C3串联电阻R15后并联至负载输出Uout，其作用为消除输出纹波，控制纹波范围为50mVp-p。

说明书全文

一种基于理想二极管的机载用电设备抑制直流浪涌方法

技术领域

[0001] 本发明涉及到一种电气的控制方法及其控制电路，尤其是指一种基于理想二极管的机载用电设备抑制直流浪涌方法及其控制电路，该种基于理想二极管的机载用电设备抑制直流浪涌方法可以有效抑制机载小型化设备中的浪涌；属于电子控制电路技术领域。

背景技术

[0002] 在航空设备上的直流供电非常不稳定，很容易出现过压情况；同时飞机在高空飞行如遇到雷击，会由于感应而产生很高的的尖峰电压；当供电电源故障切换到蓄电池备用电源时，又会出现短暂的降压。而对于机载设备来说则必须具备抗这种瞬态浪涌电压的能力，因此对机载设备电源的设计提出了更高的要求，同时也增加了设计难度。

[0003] 目前对于这种浪涌电压的抑制有如下几种技术：对于尖峰电压使用雪崩二极管进行浪涌抑制。雪崩二极管( 硅瞬变电压吸收二极管) 是利用PN 结方反向击穿电压基本不随其电流而变化这一特性，来达到电压箝位目的。其特点是在瞬间高能量冲击下，能以极高的速度改变本身的阻抗，由高阻变到低阻，从而吸收浪涌电流。将管子两端电压箝制在允许的电压值上，保护了电路和设备的安全。硅雪崩二极管具有较快的响应速度，残留尖峰小，抑制效果好。同时，浪涌过后能自行恢复，没有延时时间。

[0004] 对于过压浪涌的抑制目前市面上许多普通的直流用电设备耐过压浪涌最大50V，且没有耐欠压和耐尖峰的能力，这些设备在飞机供电环境下就可能根本无法正常工作或被损坏。可通过使用线性稳压电路实现过压浪涌抑制。因此很有必要对此加以改进。

[0005] 通过专利检索没发现有与本发明相同技术的专利文献报道，与本发明有一定关系的专利主要有以下几个：1、专利号为CN201620713006.8，名称为“一种浪涌抑制多级滤波组件”，申请人为：成都必控科技股份有限公司的实用新型专利，该专利公开了一种浪涌抑制多级滤波组件，包括过压保护芯片、第一共模电感器、第二共模电感器、双向瞬态抑制二极管、第一滤波电容、第二滤波电容、第三滤波电容、第四滤波电容、第五滤波电容、第六滤波电容、第七滤波电容、第八滤波电容、第九滤波电容、第十滤波电容、第十一滤波电容、第十二滤波电容、延时电容、MOS管、第一限流电阻、第二限流电阻、第三限流电阻、第一调压电阻、第二调压电阻和第三调压电阻。

[0006] 2、专利号为CN201920758354.0，名称为“一种长时浪涌电压抑制滤波器”，申请人为：成都必控科技有限责任公司的实用新型专利，该专利公开了一种长时浪涌电压抑制滤波器，其包括型号为LTC4366MPTS8-2的芯片N1，芯片N1的VDD引脚分别连接芯片N1的SD引脚和电阻R2的一端；电阻R2的另一端分别连接N型场效应管V1的漏极、瞬态抑制二极管V2的一端、电容C6的一端、电容C5的一端和共模电感L2的第一线圈的一端；共模电感L2的第一线圈的另一端分别连接电容C3的一端、电容C2的一端和共模电感L1的第一线圈的一端；共模电感L1的第一线圈的另一端分别连接电容C1的一端和电阻R1的一端并作为整个滤波器的正极输入端。

[0007] 3、专利号为CN201510215662.5，名称为“基于稳压二极管的防浪涌LED驱动电路”，申请人为：成都锐奕信息技术有限公司的发明专利，该专利公开了一种基于稳压二极管的防浪涌LED驱动电路，包括全桥整流桥堆、限流电阻R3、降压电容C1、电阻R1、电阻R2、稳压二极管；电阻R1连接市电火线，电阻R2与降压电容C1并联后连接在电阻R1与全桥整流桥堆的一个输入端之间，全桥整流桥堆的另一个输入端连接市电零线、直流输出正极通过限流电阻R3连接LED负载正极、直流输出负极连接LED负载负极，稳压二极管的正极连接全桥整流桥堆的直流输出负极、负极连接LED负载的正极。本发明设置有抗浪涌的稳压二极管，稳压二极管能够减小LED负载受全桥整流桥堆的输出电压变化的影响，有效防止浪涌烧坏驱动电路和LED负载，具有浪涌保护功能。

[0008] 通过对上述这些专利的仔细分析，这些专利虽然都涉及浪涌控制电路，而且还有的涉及到了基于二极管的防浪涌电路控制，也提出了一些改进技术方案，但通过仔细分析，该些专利都没有提出如何有效进行机载设备瞬态浪涌抑制，因此前面所述的问题都依然存在，所以仍有待进一步加以研究改进。

发明内容

[0009] 本发明的目的在于针对现有航空设备上的直流供电非常不稳定，很容易出现过压情况；同时飞机在高空飞行如遇到雷击，会由于感应而产生很高的的尖峰电压；当供电电源故障切换到蓄电池备用电源时，又会出现短暂的降压的问题，提出一种新型的基于理想二极管的机载用电设备抑制直流浪涌方法及其控制电路，该种基于理想二极管的机载用电设备抑制直流浪涌方法及其控制电路可以有效解决机载设备瞬态浪涌抑制问题。

[0010] 为了达到这一目的，本发明提供了一种基于理想二极管的机载用电设备抑制直流浪涌方法，在机载小型化设备的浪涌抑制设备中，采用基于理想二极管的控制器电路，通过对理想二极管的控制，保护负载免受高电压瞬变影响，使得浪涌抑制电路在输入10A电流下可承受600V/10us的脉冲尖峰电压和80V/100ms的过压浪涌，保护后端电路稳定工作，且在电路内部集成肖特基二极管防倒灌电路，欠压浪涌时可有效防止储能电容电压倒灌。

[0011] 进一步地，所述的基于理想二极管的控制器电路包括尖峰抑制电路、前端滤波电路、过压抑制电路、去纹波电路，通过尖峰抑制电路、前端滤波电路、过压抑制电路、去纹波电路的联合控制实现浪涌抑制；其中，通过尖峰抑制电路抑制高频干扰及平缓脉冲，通过前端滤波电路为后端稳压电路进行滤波，过压抑制电路为80V/50ms 的过压浪涌电路，用于反向输入保护和输出电压停滞，去纹波电路为消除输出纹波，用于控制纹波范围为50mVp-p。

[0012] 进一步地，所述的通过对理想二极管的控制是将理想二极管控制器U1的第16脚连接至电阻R6及电阻R8之间，通过分压设计将输出电压稳定至35.4V，且当电源输入Uin过压或欠压时，理想二极管控制器U1可将输出电压稳定在35.4V；同时理想二极管控制器U1控制MOS管的金氧半场效晶体管Q1的正向电压降，并在电源故障、电流短路或输入不足的情况下，将反向瞬变电流最小化；并采用N沟道MOS管的金氧半场效晶体管Q2来取代一个肖特基二极管，用于反向输入保护和输出电压停滞，当负载纹波超过30mV，理想二极管控制器U1内部电路将第4脚电压高出第5脚电压10-12V，即MOS管的金氧半场效晶体管Q2的UGS压降控制在10-12V，此时的金氧半场效晶体管Q2处于导通状态，防止负载电流倒灌。

[0013] 一种实现上述基于理想二极管的机载用电设备抑制直流浪涌方法的抑制直流浪涌电路，在抑制直流浪涌电路中包括理想二极管控制器电路和保护负载免受高电压瞬变影响的浪涌抑制电路模块，通过理想二极管控制器电路和保护负载免受高电压瞬变影响的浪涌抑制电路模块，保护负载免受高电压瞬变影响。

[0014] 进一步地，所述的理想二极管控制器电路和保护负载免受高电压瞬变影响的浪涌抑制电路模块包括浪涌抑制电路和EMI 滤波器。

[0015] 进一步地，所述的浪涌抑制电路包括尖峰抑制电路、前端滤波电路、过压抑制电路、去纹波电路；其中，通过尖峰抑制电路抑制高频干扰及平缓脉冲；通过前端滤波电路为后端稳压电路进行滤波；过压抑制电路为80V/50ms 的过压浪涌电路，用于反向输入保护和输出电压停滞；去纹波电路为消除输出纹波，用于控制纹波范围为50mVp-p。

[0016] 进一步地，所述的尖峰抑制电路为电源输入Uin的正极接至二极管D1的负极及电容CX1的一端，电源输入Uin的负极接至二极管D1的正极及电容CX1的另一端，电感L1的一端接至电源输入Uin的正极，另一端接至电容CX2的正极，电感L3的一端接至电源输入Uin的负极，另一端接至电容CX2的负极；尖峰抑制电路用于吸收600V/10us 脉冲电压，将600V尖峰钳位到80-90V，二极管选用TVS 管为5.0SMDJ85CA；电感L1及电感L3 主要抑制高频干扰及平缓脉冲，采用的是7427511。

[0017] 进一步地，所述的前端滤波电路包括电容CX2、电容CX3和电感L2，电容CX2、电容CX3和电感L2为π型滤波器；其中，电容CX2的正极接至电感L2的2脚，电容CX3的正极接至电感L2的1脚，电容CX2的负极及电容CX3的负极均接至负载输出Uout的负极；前端滤波电路为后端稳压电路起到滤波作用。

[0018] 进一步地，所述的过压抑制电路为80V/50ms 的过压浪涌电路，电路中包含理想二极管控制器U1，通过过压抑制电路，把80V/50ms浪涌过压抑制到安全电压范围35.4V，并将N沟道MOS管的金氧半场效晶体管Q2来取代一个肖特基二极管，用于反向输入保护和输出电压停。

[0019] 进一步地，所述的去纹波电路的负载输出Uout的正极接至电容C3的正极，负载输出Uout的负极接至电阻R15的一端，电阻R15的另一端接至电容C3的负极，电容C3串联电阻R15后并联至负载输出Uout，其作用为消除输出纹波，控制纹波范围为50mVp-p。

[0020] 本发明的优点在于：本发明通过理想二极管控制器电路和保护负载免受高电压瞬变影响的浪涌抑制电路模块对机载小型化设备的浪涌进行抑制，基于理想二极管的控制器电路，通过对理想二极管的控制，保护负载免受高电压瞬变影响，使得浪涌抑制电路在输入10A电流下可承受
600V/10us的脉冲尖峰电压和80V/100ms的过压浪涌，保护后端电路稳定工作，且在电路内部集成肖特基二极管防倒灌电路，欠压浪涌时可有效防止储能电容电压倒灌。
附图说明

[0021] 图1是本发明一种实施例的总体电路示意图；图2是本发明一种实施例的尖峰抑制电路示意图；
图3是本发明一种实施例的前端滤波电路示意图；
图4是本发明一种实施例的过压抑制电路示意图；
图5是本发明一种实施例的去纹波电路示意图；
图6是实施例的检测输入波形图；
图7是实施例的检测输出波形图；
图8是实施例的检测过压浪涌电压波形图。

[0022] 图中，电源输入Uin、负载输出Uout，电感L1及L2，N沟道MOS管的金氧半场效晶体管Q1及的金氧半场效晶体管Q2，电阻R1，电阻R2，芯片U1，电阻R3，电阻R4，1二极管D2、电容C2，电阻R5，电容C3，电阻R6，电阻R8，电容C4，电容C1，电阻R7。

具体实施方式

[0023] 下面结合附图和具体实施例来进一步阐述本发明。

[0024] 实施例一通过附图1可以看出，本发明涉及一种实现上述基于理想二极管的机载用电设备抑制直流浪涌方法的抑制直流浪涌电路，在抑制直流浪涌电路中包括理想二极管控制器电路和保护负载免受高电压瞬变影响的浪涌抑制电路模块，通过理想二极管控制器电路和保护负载免受高电压瞬变影响的浪涌抑制电路模块，保护负载免受高电压瞬变影响。

[0025] 所述的理想二极管控制器电路和保护负载免受高电压瞬变影响的浪涌抑制电路模块包括浪涌抑制电路和EMI 滤波器。

[0026] 所述的浪涌抑制电路包括尖峰抑制电路、前端滤波电路、过压抑制电路、去纹波电路；其中，通过尖峰抑制电路抑制高频干扰及平缓脉冲；通过前端滤波电路为后端稳压电路进行滤波；过压抑制电路为80V/50ms 的过压浪涌电路，用于反向输入保护和输出电压停滞；去纹波电路为消除输出纹波，用于控制纹波范围为50mVp-p。

[0027] 所述的尖峰抑制电路为电源输入Uin的正极接至D1的负极及电容CX1的一端，Uin的负极接至D1的正极及电容CX1的另一端，电感L1的一端接至Uin的正极，另一端接至CX2的正极，电感L3的一端接至Uin的负极，另一端接至CX2的负极。该部分电路用于吸收600V/10us 脉冲电压，将600V尖峰钳位到85V 左右, 二极管选用TVS 管为5.0SMDJ85CA；L1及L3 主要抑制高频干扰及平缓脉冲，采用的是7427511。

[0028] 所述的前端滤波电路包括CX2、CX3和L2，CX2、CX3和L2为π型滤波器；其中，CX2的正极接至L2的2脚，CX3的正极接至L2的1脚，CX2的负极及CX3的负极均接至负载输出Uout的负极；前端滤波电路为后端稳压电路起到滤波作用。

[0029] 所述的过压抑制电路为80V/50ms 的过压浪涌电路，电路中包含理想二极管控制器U1，通过过压抑制电路，把80V/50ms浪涌过压抑制到安全电压范围35.4V，并将N沟道MOS管的金氧半场效晶体管Q2来取代一个肖特基二极管，用于反向输入保护和输出电压停。

[0030] 所述的去纹波电路的负载输出Uout的正极接至电容C3的正极，Uout的负极接至R15的一端，R15的另一端接至C3的负极，C3串联R15后并联至Uout，其作用为消除输出纹波，控制纹波范围为50mVp-p。

[0031] 此外，对于欠压浪涌，通过储存电容实现其抑制作用。整个电路设计有欠压指示输出，可用于欠压时降低功耗。在欠压浪涌抑制设计中，对于50ms的欠压浪涌跌落，内部集成了肖特基二极管，只需外部连接大容量储能电容进行储能，在欠压阶段对设备供电，储能电容的容量计算公式为：其中： -----欠压前的正常供电电压，取（28.5-0.6）=27.9V；
-----后端设备的最低工作电压；
-----设备最大功耗；
t-----电源欠压时间，为50ms；
C -----需要的电容容量，实际使用时还需考虑电容的容差及环境温度对容量的影响，一般在计算得到的容量值后再乘以1.4倍。

[0032] 工作原理如下：理想二极管控制器U1的第16脚连接至电阻R6及电阻R8，通过分压设计将输出电压稳定至35.4V，且当电源输入Uin过压或欠压时，理想二极管控制器U1可将输出电压稳定在
35.4V。同时理想二极管控制器U1控制MOS管的金氧半场效晶体管Q1的正向电压降，并在电源故障、电流短路或输入不足的情况下，将反向瞬变电流最小化。N沟道MOS管的金氧半场效晶体管Q2来取代一个肖特基二极管，用于反向输入保护和输出电压停滞，当负载纹波超过
30mV，理想二极管控制器U1内部电路将第4脚电压高出第5脚电压12V，即MOS管的金氧半场效晶体管Q2的UGS压降控制在12V，此时的金氧半场效晶体管Q2处于导通状态，防止负载电流倒灌。

[0033] 根据上述实施例所进行的实测数据如下：1.尖峰抑制功能实测数据
输入波形见图6，输出波形见图7。通过模块吸收尖峰电压，把600V/10us尖峰电压抑制到安全电压范围35.4V。

[0034] 2. 过压浪涌抑制功能实测数据输入/输出波形见图8。通过模块稳压，把80V/50ms浪涌过压抑制到安全电压范围
35.4V，且输入-输出压差为0.5V@5A。

[0035] 上述所列实施例，只是结合附图对本发明的技术方案进行清楚、完整的描述；显然，所描述的实施例仅仅是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例，而且本说明书中所引用的如“上”、“下”、“前”、“后”、“中间”等用语，亦仅为便于叙述的明了，而非用以限定本发明可实施的范围，其相对关系的改变或调整，在无实质变更技术内容下，当亦视为本发明可实施的范畴。同时，说明书附图所绘示的结构、比例、大小等，均仅用以配合说明书所揭示的内容，以供熟悉此技术的人士了解与阅读，并非用以限定本发明可实施的限定条件，故不具技术上的实质意义，任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整，在不影响本发明所能产生的功效及所能达成的目的下，均应仍落在本发明所揭示的技术内容所能涵盖的范围内。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。

[0036] 通过上述实施例描述，可以发现，本发明还涉及一种基于理想二极管的机载用电设备抑制直流浪涌方法，在机载小型化设备的浪涌抑制设备中，采用基于理想二极管的控制器电路，通过对理想二极管的控制，保护负载免受高电压瞬变影响，使得浪涌抑制电路在输入10A电流下可承受600V/10us的脉冲尖峰电压和80V/100ms的过压浪涌，保护后端电路稳定工作，且在电路内部集成肖特基二极管防倒灌电路，欠压浪涌时可有效防止储能电容电压倒灌。

[0037] 进一步地，所述的基于理想二极管的控制器电路包括尖峰抑制电路、前端滤波电路、过压抑制电路、去纹波电路，通过尖峰抑制电路、前端滤波电路、过压抑制电路、去纹波电路的联合控制实现浪涌抑制；其中，通过尖峰抑制电路抑制高频干扰及平缓脉冲，通过前端滤波电路为后端稳压电路进行滤波，过压抑制电路为80V/50ms 的过压浪涌电路，用于反向输入保护和输出电压停滞，去纹波电路为消除输出纹波，用于控制纹波范围为50mVp-p。

[0038] 进一步地，所述的通过对理想二极管的控制是将理想二极管控制器U1的16脚连接至电阻R6及R8，通过分压设计将输出电压稳定至35.4V，且当电源输入Uin过压或欠压时，理想二极管控制器U1可将输出电压稳定在35.4V；理想二极管控制器U1控制MOS管的金氧半场效晶体管Q1的正向电压降，并在电源故障、电流短路或输入不足的情况下，将反向瞬变电流最小化；并采用N沟道MOS管的金氧半场效晶体管Q2来取代一个肖特基二极管，用于反向输入保护和输出电压停滞，当负载纹波超过30mV，理想二极管控制器U1内部电路将4脚电压高出5脚电压12V，即MOS管的金氧半场效晶体管Q2的UGS压降控制在12V，此时的金氧半场效晶体管Q2处于导通状态，防止负载电流倒灌。

[0039] 本发明的优点在于：本发明通过理想二极管控制器电路和保护负载免受高电压瞬变影响的浪涌抑制电路模块对机载小型化设备的浪涌进行抑制，基于理想二极管的控制器电路，通过对理想二极管的控制，保护负载免受高电压瞬变影响，使得浪涌抑制电路在输入10A电流下可承受
600V/10us的脉冲尖峰电压和80V/100ms的过压浪涌，保护后端电路稳定工作，且在电路内部集成肖特基二极管防倒灌电路，欠压浪涌时可有效防止储能电容电压倒灌；主要有以下一些优点：
1）可以有效抑制机载小型化设备的浪涌；
2）可以实现小尺寸设计，可克服机载要求重量轻的难点，是一款针对于抑制直流浪涌而设计的，带有理想二极管控制器电路、保护负载免受高电压瞬变影响的浪涌抑制模块；
3）模块在输入10A电流下可承受600V/10us的脉冲尖峰电压和80V/100ms的过压浪涌，保护后端电路稳定工作；
4）内部集成肖特基二极管防倒灌电路，欠压浪涌时可有效防止储能电容电压倒灌，满足GJB181的相关规定；
5）模块集浪涌抑制、EMI 滤波器于一体，结构紧凑，外形尺寸：49mm×23mm×20mm，重量不大于100g。

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一种基于理想二极管的机载用电设备抑制直流浪涌方法

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