技术领域
[0001] 本
发明涉及抱闸检测领域，尤其涉及一种多轴伺服驱动系统的抱闸检测电路。
背景技术
[0002] 在复杂的工业现场，
电机接线磨损比较常见，因此对抱闸装置进行检测显得尤为重要，在
现有技术中是根据据检测
信号判断电磁抱闸的状态是否出现异常，但是不能够明确的给使用者指出是否是
驱动器内部接线原因导致的抱闸异常。
发明内容
[0003] 本发明所要解决的技术问题是针对现有技术的不足，提供一种多轴伺服驱动系统的抱闸检测电路。
[0004] 本发明解决上述技术问题的技术方案如下：一种多轴伺服驱动系统的抱闸检测电路，包括：n组并联子线路，每个所述子线路包括：第一
电阻、Mos管、第一
二极管、第二电阻、第一外部接线、第二外部接线、第三电阻、光耦合装置及导通装置，所述第一电阻的一端与抱闸驱动端相连，另一端与Mos管的栅极相连，所述Mos管的漏极与并联的第一外部接线的一端及第二外部接线的一端相连，所述第一外部接线的另一端及所述第二外部接线的另一端与抱闸装置相连，所述第二外部接线还依次连接了第三电阻、光耦合装置和导通装置。
[0005] 本发明的有益效果是：通过上述电路可以在当抱闸出现异常时，快速通过对第三电阻的
电压监控以及光耦合装置的作用
锁定问题所在，提高问题解决的效率，节省现场的时间。
[0006] 在上述技术方案的
基础上，本发明还可以做如下改进。
[0007] 进一步地，所述第二电阻还与并联连接的第三二极管的
阴极及电容的一端相连，所述第三二极管的
阳极与电压相连，所述电容的另一端与所述电压的0
势能点相连。
[0008] 采用上述进一步方案的有益效果是：通过第三二极管及电容可以有效地防止过高电压对系统造成损害，稳压二极管D3是防止钳位作用，使电压稳定在24V附近，电容是起到滤除噪声的作用。
[0009] 进一步地，所述第二电阻还与第二二极管相连，所述第二二极管由两组反向
串联的
肖特基二极管并联组成，所述第二电阻与第一组第二二极管中的第一肖特基二极管的阴极相连，所述Mos管的漏极与第二组第二二极管中的第二肖特基二极管的阴极相连，所述第一组第二二极管的第三肖特基二极管与所述第二组第二二极管的第四肖特基二极管的阴极与电压的0势能点相连。
[0010] 采用上述进一步方案的有益效果是：Mos管可变电阻也可用于放大，由于输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用
电解电容器同时也可以用作
开关，并且通过第二二极管可以防止过高电压。
[0011] 进一步地，所述连通装置包括：依次连接的第六电阻、第五二极管及第一测试点，所述第六电阻与所述光耦合装置的第四管脚相连，所述第五二极管的阳极与所述第六电阻相连，所述第五二极管的阴极与所述第一测试点相连。
[0012] 采用上述进一步方案的有益效果是：通过对第一测试点进行测试可以直接判断出抱闸装置报警的原因。
[0013] 进一步地，所述连通装置还包括：第五电阻和
三极管，所述光耦合装置的第三管脚与所述第五电阻相连，所述三极管的集极与所述第五电阻相连，所述三极管的集
电极与所述第五二极管的阳极相连。
[0014] 进一步地，所述连通装置还包括：第四二极管及第二测试点所述第四二极管的阳极与所述光耦合装置的第三管脚相连，所述第四二极管的阴极与所述第二测试点相连。
[0015] 采用上述进一步方案的有益效果是：通过对第二测试点进行测试可以直接判断出抱闸装置报警的原因。
[0016] 进一步地，所述光耦合装置的第三管脚还与第四电阻的一端相连，所述第四电阻的另一端接地。
[0017] 采用上述进一步方案的有益效果是：当光耦合装置的第三管脚和第四管脚
短路时，可以有效的防止
电流过大对系统造成的损害，同时还可以作为另一个电压取样点。
[0018] 进一步地，还包括：第七电阻，所述第七电阻与n组所述子线路中的任意一组的第五二极管的阴极连接。
[0019] 采用上述进一步方案的有益效果是：可以有效的防止电流过大对系统造成的损害。
[0020] 进一步地，还包括：第八电阻，所述第八电阻与n组所述子线路中的任意一组的第四二极管的阴极连接。
[0021] 采用上述进一步方案的有益效果是：可以有效的防止电流过大对系统造成的损害。
[0022] 进一步地，所述Mos管的型号为：CEP60N10。
[0023] 本发明附加的方面的优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本发明实践了解到。
附图说明
[0024] 图1为本发明一种多轴伺服驱动系统的抱闸检测电路的
实施例提供的结构示意图。
具体实施方式
[0025] 以下结合附图对本发明的原理和特征进行描述，所举实施例只用于解释本发明，并非用于限定本发明的范围。
[0026] 如图1所示，为本发明一种多轴伺服驱动系统的抱闸检测电路的实施例提供的结构示意图，该电路包括：n组并联子线路，每个子线路包括：第一电阻R1、Mos管Q1、第一二极管D1、第二电阻R2、第一外部接线、第二外部接线、第三电阻R3、光耦合装置U1及导通装置，第一电阻R1的一端与抱闸驱动端相连，另一端与Mos管Q1的栅极相连，Mos管Q1的漏极与并联的第一外部接线的一端及第二外部接线的一端相连，第一外部接线的另一端及第二外部接线的另一端与抱闸装置相连，第二外部接线还依次连接了第三电阻R3、光耦合装置和导通装置。
[0027] 通过上述电路可以在当抱闸出现异常时，快速通过对第三电阻的电压监控以及光耦合装置的作用锁定问题所在，提高问题解决的效率，节省现场的时间。
[0028] 需要说明的是，第一电阻R1为10R，第一二极管D1的型号为：ES2D，第二电阻R2为75R，第一外部接线与抱闸装置的正极相连，第二外部接线与抱闸装置的负极相连，第三电阻R3为10R，光耦合装置U1的型号为：PC817，驱动器上电完成后，使能前，驱动器的核心控制单元对导通装置进行电平检测，如果控制单元检测到为高电平，则说明外部的抱闸线路未接好；控制单元则点亮驱动器上的1号
发光二极管LED1。
[0029] 优选地，在上述任意实施例中，第二电阻R2还与并联连接的第三二极管D3的阴极及电容的一端相连，第三二极管D3的阳极与电压相连，电容的另一端与电压的0势能点相连。
[0030] 通过第三二极管D3及电容可以有效地防止过高电压对系统造成损害，稳压第三二极管D3是防止钳位，使电压稳定在24V附近，电容C1是起到滤除噪声的作用。
[0031] 需要说明的是，第三二极管为24V稳压二极管，若外部抱闸接线不良，此时Q1漏极电压应该是0V，此时第三二极管和电容起作用。
[0032] 优选地，在上述任意实施例中，第二电阻R2还与第二二极管D2相连，第二二极管D2由两组反向串联的肖特基二极管并联组成，第二电阻R2与第一组第二二极管中的第一肖特基二极管的阴极相连，Mos管Q1的漏极与第二组第二二极管中的第二肖特基二极管的阴极相连，第一组第二二极管的第三肖特基二极管与第二组第二二极管的第四肖特基二极管的阴极与电压的0势能点相连。
[0033] Mos管Q1可变电阻也可用于放大，由于输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器同时也可以用作开关，并且通过第二二极管D2可以防止过高电压。
[0034] 需要说明的是，在抱闸驱动端电平为0V时，通过第一电阻R1的电压为0，Mos管Q1的栅极电压为0V，若外部抱闸接线良好，此时Mos管Q1漏极电压应该是24V，若通过控制单元使得抱闸驱动端电平得到24V电压，第一电阻R1与Mos管Q1的栅极相连接的地方电压为24V，若Mos管Q1正常工作，此时Mos管Q1栅极电压应该是24V，Mos管Q1漏极电压应该是0V。
[0035] 优选地，在上述任意实施例中，连通装置包括：依次连接的第六电阻R6、第五二极管D5及第一测试点，第六电阻R6与光耦合装置的第四管脚相连，第五二极管D5的阳极与第六电阻相连，第五二极管D5的阴极与第一测试点相连。
[0036] 需要说明的是，第六电阻为4.7K，第五二极管的型号为：1N4148，如果控制单元检测到第一测试点为高电平，则说明外部的抱闸线路未接好；控制单元则点亮驱动器上的1号发光二极管LED1。
[0037] 通过对第一测试点进行测试可以直接判断出抱闸装置报警的原因。
[0038] 优选地，在上述任意实施例中，连通装置还包括：第五电阻R5和三极管V1，光耦合装置U1的第三管脚与第五电阻相连，三极管的集极与第五电阻R5相连，三极管V1的集电极与第五二极管R5的阳极相连。
[0039] 优选地，在上述任意实施例中，连通装置还包括：第四二极管D4及第二测试点第四二极管D4的阳极与光耦合装置U1的第三管脚相连，第四二极管D4的阴极与第二测试点相连。
[0040] 需要说明的是，如果控制单元检测到第二测试点为高电平，则说明Mos管Q1或者是内部其他器件损坏，与抱闸的接线无关，控制单元则点亮驱动器上的2号发光二极管LED1。
[0041] 通过对第二测试点进行测试可以直接判断出抱闸装置报警的原因。
[0042] 优选地，在上述任意实施例中，光耦合装置U1的第三管脚还与第四电阻R4的一端相连，第四电阻R4的另一端接地。
[0043] 当光耦合装置U1的第三管脚和第四管脚短路时，可以有效的防止电流过大对系统造成的损害，同时还可以作为另一个电压取样点。
[0044] 优选地，在上述任意实施例中，还包括：第七电阻R7，第七电阻R7与n组子线路中的任意一组的第五二极管D5的阴极连接。
[0045] 可以有效的防止电流过大对系统造成的损害。
[0046] 优选地，在上述任意实施例中，还包括：第八电阻R8，第八电阻R8与n组子线路中的任意一组的第四二极管D4的阴极连接。
[0047] 需要说明的是，第七电阻与第八电阻在整个电路中仅分别存在一个即可，不需要每个线路上都有。
[0048] 可以有效的防止电流过大对系统造成的损害。
[0049] 优选地，在上述任意实施例中，Mos管的型号为：CEP60N10。
[0050] 需要说明的是，通过控制单元检测BZC_F1，即第一检测点，BZC_F2，即第二检测点，两个电压信号来完成，其中两个信号相互独立，在不同的条件下只用关注一个信号，由于第一个电路模
块与第n个电路模块是并联关系，此处仅解释第一个电路模块。在BZ_D，即抱闸驱动端，电平为0V时，通过第一第一电阻R1的电压为0，Mos管Q1的栅极电压为0V。若外部抱闸接线良好，此时Mos管Q1漏极电压应该是24V，第一二极管D1与第二第二电阻R2的作用是当Mos管Q1关断时外部抱闸装置的续流作用。瞬态抑制第二二极管D2是防止BRK+，即抱闸驱动装置的正极，BRK-，即抱闸驱动装置的负极的静电作用。稳压第三二极管D3是防止钳位作用，使得BRK+的电压稳定在24V附近，电容C1是起到滤除噪声的作用。第三电阻R3起限流作用，光耦U1原边导通，U1的3号脚电压为3.3V，第五电阻R5，第六电阻R6起限流作用，第五电阻R5与光耦U1的第三管脚连接处的电压为3.3V，此时三极管V1导通，三极管集电极电压此时应该为0V，第五二极管D5的正极为0V。同理其他轴的检测电路与该电路是相同的，因此二极管Dn5的负极信号也为0V，第五二极管D5与Dn5这n个二极管负极并联后的信号形成BZC_F1，BZC_F1被第七电阻R7下拉到地，因此当第五二极管D5～Dn5所有的二极管正极均为0V时，BZC_F1的信号也是0V；若外部接线不良，其中，当单个或者多个轴发生时，此处仅以第一个轴为例，即BRK+与与第一外部接线1或者BRK-的接线与第二外部接线2没有连接上，那么BRK-的电压都不会是24V，此时的BRK-是一个浮空的信号，此时没有电流通过第三电阻R3，光耦U1截止，因此经过第五电阻R5于光耦U1的3号引脚连接处的电压为0V，三极管V1截止，三极管V1的集电极电压为3.3V，即第五二极管D5的正极电压是3.3V，那么第五二极管D5的负极电压，即BZC_F1信号，也是3.3V。当BZ_D电压为0时，控制单元检测到BZC_F1的电压为3.3V则判断出该系统的抱闸外部线路未接好，此时控制单元点亮驱动器上的1号发光二极管LED1，提示用户。当检测到BZC_F1为0V时，说明外部接线良好，LED1则不点亮，控制单元会进行步骤2的判断；通过控制单元使得BZ_D电平得到24V电压，第一电阻R1与Mos管Q1的栅极相连接的地方电压为24V。若Mos管Q1正常工作，此时Mos管Q1栅极电压应该是24V，Mos管Q1漏极电压应该是0V，第三电阻R3将没有电流流过，光耦U1原边截止，光耦U1的3号脚电压为
0V，第四二极管D4正极的电压为0V，第四二极管D4～Dn4多个二极管的负极并联在一起作为BZC_F2信号，BZC_F2被第八电阻R8下拉到地，当第四二极管D4～Dn4所有的二极管正极均为
0V时，BZC_F2的信号也是0V；当Mos管Q1断路时，BRK-的电压从0V变为24V，光耦U1则会导通，那么第四二极管D4的正极电压从0V变为3.3V，BZC_F2的电压也就从0V变为了3.3V，当控制单元检测到BZC_F2为0V时则说明抱闸检测电路通过；如果BZC_F2为3.3V，则说明外部接线完好，驱动器本身存在异常，此时控制单元将点亮发光二极管LED2，用于提示用户。
[0051] 可以理解，在一些实施例中，可以包含如上述各实施例中的部分或全部可选实施方式。
[0052] 读者应理解，在本
说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不必针对的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，在不相互矛盾的情况下，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。
[0053] 以上，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉
本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到各种等效的
修改或替换，这些修改或替换都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以
权利要求的保护范围为准。
