一种光电二极管及显示屏
专利汇可以提供一种光电二极管及显示屏专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 发明 提供一种光电 二极管 及显示屏，该 光电二极管 包括：第一 电极 ； 电子 传输层，设于所述第一电极上；光转换层，设于所述电子传输层上；空穴传输层，设于所述光转换层上；第二电极，设于所述空穴传输层上；当所述光电二极管的入射光的方向为第一方向时，所述第一电极的材料为透明导电材料，所述第二电极的材料为金属材料；当所述光电二极管的入射光的方向为第二方向时，所述第二电极的材料为透明导电材料，所述第一电极的材料为金属材料。本发明的光电二极管及显示屏，能够提高光转换层的光吸收率和光电转换效率。，下面是一种光电二极管及显示屏专利的具体信息内容。
1.一种光电二极管，其特征在于，包括：
第一电极；
电子传输层，设于所述第一电极上；
光转换层，设于所述电子传输层上；
空穴传输层，设于所述光转换层上；
第二电极，设于所述空穴传输层上；
当所述光电二极管的入射光的方向为第一方向时，所述第一电极的材料为透明导电材料，所述第二电极的材料为金属材料；
当所述光电二极管的入射光的方向为第二方向时，所述第二电极的材料为透明导电材料，所述第一电极的材料为金属材料。
2.根据权利要求1所述的光电二极管，其特征在于，所述金属材料包括但不限于钼以及钛中的至少一种。
3.根据权利要求1所述的光电二极管，其特征在于，
所述光电二极管的吸收峰位于第一波段范围内或者第二波段范围内。
4.根据权利要求3所述的光电二极管，其特征在于，
当所述光电二极管的入射光的方向为第一方向时，所述第一电极的厚度和所述电子传输层的厚度满足第一预设条件时，所述光电二极管的吸收峰位于所述第一波段范围内；
当所述第一电极的厚度和所述电子传输层的厚度满足第二预设条件时，所述光电二极管的吸收峰位于所述第二波段范围内。
5.根据权利要求4所述的光电二极管，其特征在于，
当所述第一电极的厚度和所述电子传输层的厚度满足第一预设条件时，所第一电极的厚度范围为160nm至190nm，所述电子传输层的厚度范围为140nm至180nm。
6.根据权利要求4所述的光电二极管，其特征在于，
当所述第一电极的厚度和所述电子传输层的厚度满足第二预设条件时，所第一电极的厚度范围为210nm至230nm，所述电子传输层的厚度范围为195nm至215nm。
7.根据权利要求3所述的光电二极管，其特征在于，
当所述光电二极管的入射光的方向为第二方向时，所述第二电极的厚度和所述电子传输层的厚度满足第三预设条件时，所述光电二极管的吸收峰位于所述第一波段范围内；
当所述第二电极的厚度和所述电子传输层的厚度满足第四预设条件时，所述光电二极管的吸收峰位于所述第二波段范围内。
8.根据权利要求7所述的光电二极管，其特征在于，当所述第二电极的厚度和所述电子传输层的厚度满足第三预设条件时，所述第二电极的范围为95nm至110nm，所述电子传输层的厚度范围为45nm至55nm。
9.根据权利要求7所述的光电二极管，其特征在于，当所述第二电极的厚度和所述电子传输层的厚度满足第四预设条件时，所述第二电极的范围为135nm至150nm，所述电子传输层的厚度范围为55nm至65nm。
10.根据权利要求1所述的光电二极管，其特征在于，
所述第一电极的厚度范围和所述第二电极的厚度范围均为40nm～300nm。
11.根据权利要求1所述的光电二极管，其特征在于，
所述电子传输层的厚度范围和所述空穴传输层的厚度范围均为20nm～300nm。
12.根据权利要求1所述的光电二极管，其特征在于，所述光转换层的厚度范围为40nm～1500nm。
13.一种显示屏，其特征在于，包括多个如权利要求1至12任意一项所述的光电二极管。
一种光电二极管及显示屏
【技术领域】
的光吸收率较低，从而降低了光电转换效率。
料为透明导电材料，所述第二电极的材料为金属材料；当所述光电二极管的入射光的方向
为第二方向时，所述第二电极的材料为透明导电材料，所述第一电极的材料为金属材料；由
于底电极采用透明导电材料，而顶电极采用金属材料，因此可以增加光转换层接收到的光
线，从而提高了光吸收率以及光电转换效率。
【附图说明】
限制本发明。在图中，结构相似的单元是以相同标号表示。
中，为了进一步提高光吸收率，所述光转换层23的厚度范围为40nm～1500nm。
一实施方式中，为了进一步提高光吸收率，所述空穴传输层24以及所述电子传输层22的材
料包括但不限于氧化钼、氧化锌、氧化钨、氧化镍、氧化钛、有机半导体材料、C60、ICBA以及BCP(镶嵌共聚物)。
料，所述第二电极25的材料为金属材料；也即此时第二电极25为顶电极，第一电极21为底电
极，所述第二电极25具有反射功能。比如第二电极25可以选择透明超薄金属薄膜作为电极；
金属材料也可以选择其它金属材料。在一实施方式中，为了增大反射光能力，该金属材料包
括但不限于钼以及钛中的至少一种。透明导电材料可以包括但不限于透明导电氧化物，透
明导电材料可以包括ITO和IZO中的至少一种。在一实施方式中，为了进一步提高光吸收率，
所述第一电极21的厚度范围和所述第二电极25的厚度范围均为40nm～300nm。
材料为透明导电材料，所述第一电极21的材料为金属材料。该金属材料可以采用上述金属
材料，透明导电材料也可采用上述透明导电材料。
换层接收到的光线，从而提高了光吸收率以及光电转换效率。
然，第一波段和第二波段不限于此，具体可以根据需求设置。
件时，所述光电二极管20的吸收峰位于第一波段范围内；
为210nm至230nm，所述电子传输层22的厚度范围为195nm至215nm时，整个光电二极管的吸
收峰位于绿光波段范围内。
175nm，所述电子传输层22的厚度为165nm时，整个光电二极管的吸收峰为450nm，也即位于
蓝光波段范围内。
540nm，也即位于绿光波段范围内。
条件时，所述光电二极管20的吸收峰位于第一波段范围内。当所述第二电极25的厚度和所
述电子传输层22的厚度满足第四预设条件时，所述光电二极管20的吸收峰位于第二波段范
围内。
述电子传输层22的厚度范围为50nm时，整个光电二极管的吸收峰为450nm，也即位于蓝光波
段范围内。
540nm，也即位于绿光波段范围内。
分别被第一电极与第二电极收集，从而产生光电流。在一实施方式中，第一电极为阳极，第
二电极为阴极。
该显示面板可以包括开关阵列层，开关阵列层包括多个薄膜晶体管。
每一个像素点都有一个电容用来存储光电流中的电荷，而存储的电荷会被外部电路读取。
通过获取整个阵列中的存储电容中的电荷大小的分布，便可以得到面板上的光强分布信
息，从而根据光强分布信息得到指纹信息。由于本发明的光电二极管的光吸收率较高，因此
进一步提高了指纹信息的准确度。
料为透明导电材料，所述第二电极的材料为金属材料；当所述光电二极管的入射光的方向
为第二方向时，所述第二电极的材料为透明导电材料，所述第一电极的材料为金属材料；由
于底电极采用透明导电材料，而顶电极采用金属材料，因此可以增加光转换层接收到的光
线，从而提高了光吸收率以及光电转换效率。
饰，因此本发明的保护范围以权利要求界定的范围为准。
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