技术领域
[0001] 本实用新型涉及
空调器通讯技术领域，具体涉及一种HBS通讯接收电路。
背景技术
[0002] 作为数字
信号传输中的传输信号有AMI(Alternate Mark Inversion，信号交替反转)
编码信号(以下简称AMI信号)。AMI信号在HBS(Home-Bus System，家庭总线系统)等中使用并输出时，利用零、正、负的3值构成，并在正极信号线和负极信号线中通过。在使用该信号的通信方式中，把逻辑“1”分配给零电平，把逻辑“0”交替地分配给正或负电平。
[0003] 目前，多联机空调系统中室内机与室外机及线控器之间相互通讯基本采用HBS通讯协议，其具有传输无极性、传输距离长以及抗干扰性强等优点，该通讯协议采用的HBS通讯芯片为三美
电机生产的MM1192通讯芯片， MM1192通讯芯片的HBS
接口发送占空比为50％的通讯信号，但是主芯片只能接收占空比为100％的通讯信号，使得在MM1192通讯芯片与主芯片通讯时，主芯片无法正确识别占空比为50％的通讯信号，导致无法通讯。因此，如何实现MM1192通讯芯片与主芯片之间的通讯对多联机空调系统的正常通讯起到至关重要的作用。
[0004] 本背景技术所公开的上述信息仅仅用于增加对本
申请背景技术的理解，因此，其可能包括不构成本领域普通技术人员已知的
现有技术。实用新型内容
[0005] 本实用新型的目的在于提供一种HBS通讯接收电路，用于实现 MM1192通讯芯片输出的通讯信号由主芯片正确识别。
[0006] 为了解决上述技术问题，本实用新型提出如下技术方案予以解决：
[0007] 一种HBS通讯接收电路，其连接在MM1192通讯芯片和主芯片之间，所述MM1192通讯芯片接收经信号交替反转的信号，所述HBS通讯接收电路用于将所述MM1192通讯芯片输出的信号转换为与所述信号交替反转的信号对应的二值
输出信号，其特征在于，所述HBS通讯接收电路包括：充放电电路，其输入端与所述MM1192通讯芯片的输出端相连；第一
开关控制电路，其控制端与所述充放电电路的输出端相连，用于控制所述第一开关控制电路的通断；第二开关控制电路，其控制端与所述第一开关控制电路的输出端相连，用于控制所述第二开关控制电路的通断，且所述第二开关控制电路的输出端与所述主芯片的信号接收端相连；电源，其为所述HBS通讯接收电路中各电路供电。
[0008] 如上所述的HBS通讯接收电路，所述HBS通讯接收电路还包括指示电路，用于在所述主芯片的信号接收端为低电平时指示；所述指示电路包括
串联的上拉
电阻和指示灯，所述指示灯一端与所述上拉电阻相连，另一端连接在所述第二开关控制电路的输出端和所述主芯片的信号接收端之间。
[0009] 如上所述的HBS通讯接收电路，所述指示灯为发光
二极管，所述发
发光二极管的
阳极与所述上拉电阻连接，且
阴极连接在所述第二开关控制电路的输出端和所述主芯片的信号接收端RXD之间。
[0010] 如上所述的HBS通讯接收电路，所述HBS通讯接收电路还包括滤波电路，其设置在所述第二开关控制电路的输出端和所述主芯片的信号接收端之间。
[0011] 如上所述的HBS通讯接收电路，所述充放电电路包括第一上拉电阻、限流电阻、充电电容和开关二极管；所述开关二极管包括第一输入端、第一输出端和第二输出端；所述第一上拉电阻连接所述第二输出端和所述MM1192 通讯芯片的输出端；所述限流电阻的一端连接在所述第一上拉电阻和所述 MM1192通讯芯片的输出端之间且另一端连接在所述充电电容的一端和所述第一输入端之间，所述充电电容的另一端接地；所述第一输出端与所述第二开关控制电路的控制端相连。
[0012] 如上所述的HBS通讯接收电路，所述充放电电路还包括第一下拉电阻，其设置在所述第一输出端和所述第二开关控制电路的控制端之间。
[0013] 如上所述的HBS通讯接收电路，所述第一开关控制电路和第二开关控制电路均为高电平导通的开关电路。
[0014] 如上所述的HBS通讯接收电路，所述第一开关控制电路为NPN型
三极管，其基极与所述第一输出端相连，发射极接地，集
电极连接第二上拉电阻，所述第二开关控制电路的控制端连接在所述第二上拉电阻和所述第一开关控制电路的基极之间。
[0015] 如上所述的HBS通讯接收电路，所述第二开关控制电路为NPN型三极管，其基极与所述第一开关控制电路的输出端相连，发射极接地，集电极连接第三上拉电阻，所述主芯片的信号接收端连接在所述第三上拉电阻和所述第二开关控制电路的集电极之间。
[0016] 如上所述的HBS通讯接收电路，所述电源分别为所述充放电电路、第一开关控制电路、第二开关控制电路和指示电路提供+5V直流电源。
[0017] 与现有技术相比，本
实施例的优点及有益效果是：MM1192通讯芯片接收信号接收AMI信号，在AMI信号的正脉冲和负脉冲对应的逻辑“0”下， MM1192通讯芯片输出的信号的占空比为50％，HBS通讯接收电路将 MM1192通讯芯片输出的占空比为50％的信号转换为占空比为100％的信号，而在AMI信号的零电平对应的逻辑“1”下，MM1192通讯芯片及HBS通讯接收电路同步传输该部分信号，使HBS通讯接收电路输出的信号与AMI信号对应的二值输出信号对应，实现AMI信号从MM1192通讯芯片传输至主芯片，主芯片能够正确识别MM1192通讯芯片输出的通讯信号。
附图说明
[0018] 为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对本实用新型实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简要介绍，显而易见地，下面描述的附图是本实用新型的一些实施例，对于本领域的普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他附图。
[0019] 图1为本实用新型HBS通讯接收电路第一实施例的电路图；
[0020] 图2为图1中示出的HBS通讯接收电路实施例与MM1192通讯芯片和主芯片连接时MM1192通讯芯片接收的AMI信号的
波形、MM1192通讯芯片输出信号的波形以及通过HBS通讯接收电路处理后的信号的波形；
[0021] 图3为本实用新型HBS通讯接收电路第二实施例的电路图；
[0022] 图4为本实用新型HBS通讯接收电路第三实施例的电路图。
具体实施方式
[0023] 为使本
发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
[0024] 需要说明的是，在本发明的描述中，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
[0025] 为了实现MM1192通讯芯片的输出信号能够被主芯片正确识别，如图 1所示，本实施例涉及一种HBS通讯接收电路，其连接在MM1192通讯芯片和主芯片之间，MM1192通讯芯片接收AMI信号，HBS通讯接收电路用于将MM1192通讯芯片的输出端1#输出的信号转换为与AMI信号对应的二值输出信号，HBS通讯接收电路包括：充放电电路1，其输入端与MM1192通讯芯片的输出端1#相连；第一开关控制电路2，其控制端与充放电电路1的输出端相连，用于控制第一开关控制电路2的通断；第二开关控制电路3，其控制端与第一开关控制电路2的输出端相连，用于控制第二开关控制电路 3的通断，且第二开关控制电路3的输出端与主芯片的信号接收端RXD相连；电源，其为HBS通讯接收电路中各电路供电。
[0026] 具体地，本实施例MM1192通讯芯片通过正极信号线和负极信号线接收AMI信号，该AMI信号的正脉冲和负脉冲转换为低脉冲(逻辑“0”) 且零电平转换为高脉冲(逻辑“1”)，该AMI信号在通过MM1192通讯芯片时，在传输1个bit的周期T1内，在AMI信号的正脉冲和负脉冲对应的逻辑“0”下，MM1192通讯芯片输出的电平占空比为50％，在AMI信号的零电平对应的逻辑“1”下，MM1192通讯芯片同步传输该部分信号，而主芯片只接收对应逻辑“0”或逻辑“1”的占空比为100％的通讯指令，这样，MM1192通讯芯片输出的信号不能由主芯片的信号接收端RXD正确识别，因此，需要在MM1192通讯芯片和主芯片之间连接有HBS通信接收芯片，用于将MM1192通讯芯片输出的信号转换为与AMI信号的对应的二值输出信号(即图2中示出的001)，实现外部传输的AMI信号通过 MM1192通讯芯片及HBS通讯接收电路而传输至主芯片。
[0027] 结合图1和图2，介绍HBS通讯接收电路的具体结构及工作原理。
[0028] 本实施例充放电电路1包括电阻R6、电阻R5、电阻R4、电容C2和开关二极管D1，其中开关二极管D1为两个二极管，两个二极管的正极连接在一起，形成管脚3，一个二极管的负极形成管脚1，且另一个二极管的负极形成管脚2，电阻R6的一端连接第一电源VCC01(例如+5V直流电源)且另一端分别连接开关二极管D1的管脚2和MM1192通讯芯片的输出端1#，电阻R5的一端连接电阻R6的另一端和输出端1#之间且另一端连接在电容C2 的一端和开关二极管D1的引脚3之间，电容C2的另一端接地，电阻R4的一端连接在第一开关控制电路2的控制端和开关二极管D1的引脚1之间且另一端接地。第一开关控制电路2和第二开关控制电路3分别为高电平导通的开关电路，例如可以分别为NPN型三极管，在本实施例中，第一开关控制电路2示例为NPN型三极管Q2且第二开关控制电路3示例为NPN型三极管Q1，三极管Q2的基极b连接在电阻R4的一端和开关二极管D1的引脚1 之间，三极管Q2的发射极e接地，Q2的集电极c连接上拉电阻R3且连接三极管Q1的基极b，其中连接上拉电阻R3的上拉电源为第二电源VCC02(例如+5V直流电源)，三极管Q1的发射极e接地，Q1的集电极c连接上拉电阻R2且连接主芯片的信号接收端RXD，其中连接上拉电阻R2的上拉电源为第三电源VCC03(例如+5V直流电源)，其中第一电源VCC01、第二电源 VCC02和第三电源VCC03均由电源供电，或外部市电通过电源适配器供电。
[0029] 以传输1个bit的周期为T1进行说明，HBS通讯接收电路用于将 MM1192通信芯片输出的信号转换为与AMI信号对应的二值输出信号(即 001)，也就是说，在传输1个bit的周期T1内，在AMI信号的正脉冲和负脉冲对应的逻辑“0”下，MM1192通讯芯片输出的电平占空比为50％经过HBS通讯接收电路转换为占空比为100％，且在AMI信号的零电平对应的逻辑“1”下，MM1192通讯芯片输出的电平通过HBS通信接收电路同步传输，具体工作过程如下。
[0030] (1)在MM1192通讯芯片的输出端1#输出的信号为高电平时，开关二极管D1的引脚3和2之间不导通而引脚3和1之间导通，第一电源VCC01 通过电阻R6和电阻R5对电容C2开始充电，直至电容C2上的
电压VC2＝VF(D1) +VBE(Q2)，此时充电结束，其中VF(D1)为开关二极管D1的正向电压，VBE(Q2)为Q2基极b和发射极e之间的电压，这时，三极管Q2导通，且由于Q2导通导致三极管Q1的基极b电压拉低，Q1关断，第三电源VCC03通过电阻 R2向主芯片的RXD引脚输出高电平，实现MM1192通讯芯片的高电平同步传送。
[0031] (2)当MM1192通讯芯片的输出端1#输出的信号从高电平变为低电平时，由于开关二极管D1的放电速度快，电容C2通过开关二极管D1的引脚 3和2放电至MM1192通讯芯片的输出端1#，直至VC2＝VF(D1)，此三极管Q2 关断，且由于Q2关断导致三极管Q1的基极b电压拉高，Q1导通，主芯片的RXD引脚输出低电平，实现MM1192通讯芯片的低电平同等传送。
[0032] (3)当MM1192通讯芯片的输出端1#的信号从低电平变为高电平时，开关二极管D1的引脚3和2之间不导通而引脚3和1之间导通，第一电源VCC01通过电阻R6和电阻R5对电容C2开始充电，由于在将电容C2上的电压VC2从VF(D1)充电至VF(D1)+VBE(Q2)时，Q2才会导通，此时才会如(1) 部分所述的那样同等传送高电平，因此，利用将电压VC2从VF(D1)充电至VF(D1) +VBE(Q2)时的一段时间Δt将低电平进行延迟，实现在周期T1内将低电平的占空比50％延伸至占空比100％。
[0033] 如下将介绍如何计算时间Δt。
[0034] 根据利用RC电路充电公式，VBE(Q2)＝Vcc01×(1-e^(-Δt/τ))，其中τ＝(R6+R5)×C2，可以求得，Δt＝-(R6+R5)×C2×ln{1-VBE(Q2)/Vcc01}，其中在本实施例中VCC01＝+5V，因此，具体R6、R5和C2及VBE(Q2)所需的值要通过对器件具体选型得知，从而将低电平的时间延伸Δt。如图2所示，通过HBS 通讯接收电路后，在第一周期(时间T1)和第二周期(时间也为T1)内，将MM1192通讯芯片输出的对应AMI信号的逻辑“0”的低电平延伸时间Δt，使得占空比从50％变为100％，通过MM1192通讯芯片输出的信号为001，保证主芯片能够正确识别该AMI信号。
[0035] 实施例二
[0036] 如图2所示，本实施例HBS通讯接收电路还包括指示电路4，其用于在主芯片的信号接收端RXD为低电平时指示。本实施例指示电路4包括串联的上拉电阻R1和指示灯，本实施例指示灯为发光二极管LED1，上拉电阻 R1的一端连接第四上拉电源VCC04(例如+5V直流电源)，另一端连接LED1 的阳极，LED1的阴极连接在第二开关控制电路2的输出端(即三极管Q1的集电极c)和主芯片的信号接收端RXD之间。在主芯片的RXD端接收低电平时，LED1亮，而在主芯片的RXD端接收高电平(即VCC03)时，LED1 灭，用于指示HBS通讯接收电路是否将MM1192通讯芯片输出的对应AMI 信号的逻辑“0”的低电平延伸时间Δt。
[0037] 实施例三
[0038] 如3所示，本实施例HBS通讯接收电路还包括滤波电路5，该滤波电路5包括电容C1,其一端连接在第二开关控制电路2的输出端(即三极管 Q1的集电极c)和主芯片的信号接收端RXD之间，另一端接地，用于滤除输入至主芯片的信号接收端RXD的例如毛刺等杂波信号。
[0039] 最后应说明的是：以上实施例仅用以说明本实用新型的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本实用新型进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：
其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行
修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本实用新型各实施例技术方案的精神和范围。
