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显示面板、显示装置及显示面板的制备方法

阅读:919发布:2023-12-24

专利汇可以提供显示面板、显示装置及显示面板的制备方法专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且本 发明 公开了一种 显示面板 、显示装置及显示面板的制备方法。该显示面板包括:阵列 基板 、 像素 定义层、 发光层 和第一 电极 ;像素定义层位于阵列基板上,像素定义层包括开口区和围绕开口区的像素限定区,发光层位于开口区内;第一电极位于发光层远离阵列基板的一侧,第一电极包括对应开口区的第一减薄区。根据本发明 实施例 提供的显示面板,能够增大第一电极和发光层之间的黏附性,避免弯折造成的膜层剥离现象,提高显示面板弯折性能。,下面是显示面板、显示装置及显示面板的制备方法专利的具体信息内容。

1.一种显示面板,其特征在于,包括:
阵列基板像素定义层、发光层和第一电极
所述像素定义层位于所述阵列基板上,所述像素定义层包括开口区和围绕所述开口区的像素限定区,所述发光层位于所述开口区内;
所述第一电极位于所述发光层远离所述阵列基板的一侧,所述第一电极包括对应所述开口区的第一减薄区。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一减薄区在所述阵列基板上的正投影覆盖所述开口区在所述阵列基板上的正投影。
3.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一减薄区上设置有第一有机;优选地,所述第一有机块远离所述发光层一侧表面与所述第一减薄区周围的第一电极表面持平。
4.根据权利要求1-3任一项所述的显示面板,其特征在于,还包括封装层,所述封装层位于第一电极上,所述封装层包括第一无机层,所述第一无机层位于所述封装层靠近所述第一电极侧,所述第一无机层包括对应所述像素限定区的第二减薄区;
优选地,所述第二减薄区位于所述第一无机层远离所述第一电极一侧,所述第一电极与第二减薄区之间存在第二有机块。
5.根据权利要求4所述的显示面板,其特征在于,所述第一有机块具有远离所述阵列基板一侧的第一表面和靠近所述阵列基板一侧的第二表面,沿垂直于所述阵列基板方向,所述第一表面投影覆盖所述第二表面投影或所述第二表面投影覆盖所述第一表面投影;和/或所述第二有机块具有远离所述阵列基板一侧的第三表面和所述靠近阵列基板一侧的第四表面,沿垂直于所述阵列基板方向,所述第三表面投影覆盖所述第四表面投影或所述第四表面投影覆盖所述第三表面投影;
优选地,沿垂直于所述阵列基板方向,所述第一减薄区截面为梯形和/或所述第二减薄区截面为梯形。
6.根据权利要求4所述的显示面板,其特征在于,所述第一减薄区厚度为所述第一电极厚度的1/2-2/3;和/或所述第二减薄区厚度为所述第一无机层厚度的1/2-3/4。
7.根据权利要求4所述的显示面板,其特征在于,沿平行于所述阵列基板方向,所述第二有机块宽度为其所对应的像素限定区的宽度的1/3-1/2。
8.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求1-7任一项所述的显示面板。
9.一种显示面板的制备方法,其特征在于,包括:
提供阵列基板;
在所述阵列基板上形成像素定义层;
图案化所述像素定义层形成开口区
在所述开口区内沉积发光层;
在所述发光层上形成第一电极;
图案化所述第一电极,使得所述第一电极包括对应所述开口区的第一减薄区。
10.根据权利要求9所述的显示面板的制备方法,其特征在于,对应所述第一减薄区形成第一有机块;
所述像素定义层包括围绕所述开口区的像素限定区,对应所述像素限定区形成第二有机块;
形成封装层。

说明书全文

显示面板、显示装置及显示面板的制备方法

技术领域

[0001] 本发明涉及显示技术领域,具体涉及一种显示面板、显示装置及显示面板的制备方法。

背景技术

[0002] 有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode,OLED)显示面板具有自发光、耗电低、反应速度快、视广等优点,被广泛应用于柔性显示领域。
[0003] 然而,由于柔性显示面板的各个膜层之间存在弯折应,导致柔性显示面板弯折时易出现膜层剥离的现象,进而导致显示失效。
[0004] 因此,亟待产生一种有效改善膜层剥离的显示面板。

发明内容

[0005] 本发明提供一种显示面板、显示装置及显示面板的制备方法,该显示面板能够缓解或消除屏体弯折过程中膜层剥离的现象。
[0006] 第一方面,本发明实施例提供一种显示面板,该显示面板包括:阵列基板像素定义层、发光层和第一电极;像素定义层位于阵列基板上,像素定义层包括开口区和围绕开口区的像素限定区,发光层位于开口区内;第一电极位于发光层远离阵列基板的一侧,第一电极包括对应开口区的第一减薄区。
[0007] 可选地,第一减薄区在阵列基板上的正投影覆盖开口区在阵列基板上的正投影.[0008] 可选地,第一减薄区上设置有第一有机
[0009] 可选地,第一有机块远离发光层一侧表面与第一减薄区周围的第一电极表面持平。
[0010] 可选地,还包括封装层,还包括封装层,封装层位于第一电极上,封装层包括第一无机层,第一无机层位于封装层靠近第一电极侧,第一无机层包括对应像素限定区的第二减薄区;
[0011] 可选地,第二减薄区位于所述第一无机层远离第一电极一侧,第一电极与第二减薄区之间存在第二有机块。
[0012] 可选地,第一有机块具有远离阵列基板一侧的第一表面和靠近阵列基板一侧的第二表面,沿垂直于阵列基板方向,第一表面投影覆盖第二表面投影或第二表面投影覆盖第一表面投影;
[0013] 可选地,第二有机块具有远离阵列基板一侧的第三表面和靠近阵列基板一侧的第四表面,沿垂直于阵列基板方向,第三表面投影覆盖第四表面投影或第四表面投影覆盖第三表面投影;
[0014] 可选地,沿垂直于阵列基板方向,第一减薄区截面为梯形;
[0015] 可选地,沿垂直于阵列基板方向,第二减薄区截面为梯形。
[0016] 可选地,第一减薄区厚度为第一电极厚度的1/2-2/3;
[0017] 可选地,第二减薄区的为第一无机层厚度的1/2-3/4。
[0018] 可选地,沿平行于阵列基板方向,第二有机块宽度为其所对应的像素限定区的宽度的1/3-1/2。
[0019] 第二方面,本发明实施例还提供了一种显示装置,包括如第一方面任一所述的显示面板。
[0020] 第三方面,本发明实施例还提供了一种显示面板的制备方法,包括:
[0021] 提供阵列基板;在阵列基板上形成像素定义层;图案化像素定义层形成开口区;在开口区内沉积发光层;在发光层上形成第一电极;图案化第一电极,使得第一电极包括对应开口区的第一减薄区。
[0022] 可选地,还包括对应第一减薄区形成第一有机块;像素定义层包括围绕开口区的像素限定区,对应像素限定区形成第二有机块;形成封装层。
[0023] 根据本发明实施例提供的显示面板,该显示面板包括阵列基板、像素定义层、发光层和第一电极;像素定义层位于阵列基板上,像素定义层包括开口区,发光层位于开口区内;第一电极位于发光层远离阵列基板的一侧,第一电极包括对应开口区的第一减薄区。第一电极包括对应开口区的第一减薄区,即对应发光层区域的第一电极厚度较非发光层区域的第一电极厚度薄,从而增加第一电极和发光层之间的黏附性,降低弯折过程中第一电极与发光层剥离的险,避免发光器件失效,提高显示面板弯折性能。本发明实施例提供的显示面板、显示装置及显示面板制备方法,可降低膜层剥离风险,提高显示面板弯折性能。附图说明
[0024] 通过阅读以下参照附图对非限制性实施例所作的详细描述,本发明的其它特征、目的和优点将会变得更明显,其中,相同或相似的附图标记表示相同或相似的特征,附图并未按照实际的比例绘制。
[0025] 图1示出本发明实施例提供的一种显示面板的结构示意图;
[0026] 图2示出本发明实施例提供的另一种显示面板的结构示意图;
[0027] 图3示出本发明实施例提供的又一种显示面板的结构示意图;
[0028] 图4示出本发明实施例提供的一种显示面板的制备方法的流程图
[0029] 附图标记说明:
[0030] 100-显示面板;
[0031] 10-阵列基板;
[0032] 20-像素定义层,21-像素限定区;
[0033] 30-发光层;
[0034] 40-第一电极;41-第一减薄区;
[0035] 51-第一有机块;52-第二有机块;
[0036] 60-封装层;61-第一无机层;62-第一有机层;63-第二无机层;611-第二减薄区。

具体实施方式

[0037] 下面将详细描述本发明的各个方面的特征和示例性实施例,为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及具体实施例,对本发明进行进一步详细描述。应理解,此处所描述的具体实施例仅被配置为解释本发明,并不被配置为限定本发明。对于本领域技术人员来说,本发明可以在不需要这些具体细节中的一些细节的情况下实施。下面对实施例的描述仅仅是为了通过示出本发明的示例来提供对本发明更好的理解。
[0038] 需要说明的是,在本文中,诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来,而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且,术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含,从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素,而且还包括没有明确列出的其他要素,或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下,由语句“包括……”限定的要素,并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
[0039] 应当理解,在描述部件的结构时,当将一层、一个区域称为位于另一层、另一个区域“上面”或“上方”时,可以指直接位于另一层、另一个区域上面,或者在其与另一层、另一个区域之间还包含其它的层或区域。并且,如果将部件翻转,该一层、一个区域将位于另一层、另一个区域“下面”或“下方”。
[0040] 如前所述,显示面板弯折过程中容易产生各膜层之间的剥离问题,尤其是阴极和发光层之间的剥离问题,进而导致显示面板显示效果下降甚至是显示失效、使用寿命降低。本申请针对膜层剥离问题,提供一种缓解或消除弯折过程中膜层剥离问题的显示面板。
[0041] 请参阅图1,其示出本发明实施例提供的一种显示面板的结构示意图。如图所示,本实施例显示面板100包括阵列基板10,像素定义层20,发光层30和第一电极40,像素定义层20位于阵列基板10上,像素定义层20包括开口区和围绕开口区的像素限定区21,发光层30位于开口区内,第一电极40位于发光层30远离阵列基板10的一侧,第一电极40包括对应开口区的第一减薄区41。第一电极40包括对应开口区的第一减薄区41,即对应发光层30区域的第一电极40存在厚度减薄区,第一电极40厚度减薄能够增加第一电极40和发光层30之间的黏附性,在显示面板弯折过程中降低膜层剥离风险,避免显示失效,提高显示面板耐弯折性能和使用寿命。
[0042] 通常情况下,OLED发光器件包括层叠设置的第一电极、发光层和第二电极(图中未示出),发光层为有机发光层,通过第一电极和第二电极注入的电子和空穴在发光层彼此结合,从而发光。本申请实施例中,第一电极设置于发光层背向阵列基板的一侧,示例性的,第一电极为阴极,则相应的第二电极为阳极。发光层可以为有机发光层,还可以包括包含空穴注入层、空穴传输层、空穴阻挡层、电子传输层和电子注入层等公共层中的至少一种,以提高发光效率
[0043] 阵列基板包括衬底和位于衬底上的薄膜晶体管(图中未示出),衬底可以是聚酰亚胺等柔性衬底,以便于实现显示面板的柔性。薄膜晶体管用于驱动对应的发光器件发光。示例性的,薄膜晶体管包括有源层、栅绝缘层、栅极、层间绝缘层、源极和漏极,源极和漏极通过位于栅绝缘层和层间绝缘层上的过孔与有源层电连接。上述描述是以顶栅结构阵列基板为例的,然而本领域技术人员可以理解,本发明的方案还可应用于底栅结构的阵列基板。本领域技术人员可根据实际需要设计顶栅结构或底栅结构,并设置有源层的位置,在此不再赘述。
[0044] 第一电极40包括对应开口区的第一减薄区41,也就是说对应开口区的第一电极区域存在厚度薄于对应像素限定区21的第一电极的厚度。第一减薄区41在阵列基板10上的正投影可以覆盖开口区在阵列基板10上的正投影,也可以位于开口区在阵列基板10上的正投影内,只要对应开口区的第一电极40存在第一减薄区41就可以增强第一电极40和发光层30之间的黏附性。可以理解的是,第一电极的厚度指的是沿着第一电极40向发光层30方向的厚度。
[0045] 继续参照图1,在一些实施例中,第一减薄区41在阵列基板10上的正投影覆盖开口区在阵列基板10上的正投影,此时,第一减薄区41在阵列基板10上的正投影覆盖发光层30在阵列基板10上的正投影。也就是说,对应发光层30的第一电极40厚度均小于对应非发光层区域的第一电极40的厚度,相较于第一减薄区41在像素定义层10上的正投影位于开口区在像素定义层10上的正投影内的情况,本实施例中第一电极40减薄区范围进一步增大,整个发光层30和第一电极40之间的黏附性均得到提高,进而增强了显示面板的耐弯折性能。
[0046] 优选地,第一减薄区41具有沿平行于阵列基板10方向的第一截面,第一截面在阵列基板10上的正投影覆盖开口区在阵列基板10上的正投影。本实施例中,第一电极40和发光层30之间的黏附性进一步增强,能够提高显示面板的耐弯折性,此外,可以根据开口区形状确定第一减薄区41形状,简化工艺。
[0047] 当第一电极40存在第一减薄区41时,后续的膜层可以直接形成在第一电极上,也可以先在第一减薄区41上设置第一有机块51,然后形成后续的膜层。优选地,第一有机块51远离发光层30一侧表面与第一减薄区周围的第一电极40表面持平,也就是说,当设置第一有机块41时,第一有机块41填充在因第一减薄区41的存在而使得第一电极40存在的凹槽内,优选地,第一有机块41填满因第一减薄区41的存在而使得第一电极40存在的凹槽。在第一减薄区41上设置第一有机块51能够增大显示面板的柔性,提高显示面板弯折能力,同时第一有机块51远离发光层30一侧表面与第一减薄区周围第一电极40表面持平时,第一有机块51起到了平坦化的作用,便于后续膜层的制备。
[0048] 第一有机块51具有远离阵列基板10一侧的第一表面和靠近阵列基板10一侧的第二表面,沿垂直于阵列基板10的方向,第一表面投影覆盖第二表面投影或所述第二表面投影覆盖所述第一表面投影。也就是说,第一有机块51的第一表面大于第二表面,或者第二表面大于第一表面,在此情况下,能够增大第一有机块51与相邻膜层之间的接触面积,避免膜层脱落,而且在弯折情况下,第一有机块51的侧面具有更好的张力和弹性,能够起到更好的缓冲作用。
[0049] 在一实施例中,沿垂直于阵列基板10方向,第一表面投影覆盖第二表面投影。如图2所示,第一有机块51沿垂直于阵列基板10方向的截面为倒梯形,也就是说,第一有机块为四棱台,相比于第一有机块为四棱柱结构,第一有机块51与周围相邻的膜层之间有更大的接触面积,增强膜层之间的相互贴附效果,在弯折过程中,第一有机块51和相邻膜层之间具有更好的咬合力,避免脱落,且弯折情况下第一有机块51起到更好的缓冲作用和支撑性,此外第一电极40减薄范围也进一步扩大,增强了第一电极40和发光层20之间的黏附性。
[0050] 在其他实施例中,第一有机块51可以采用包括圆台、梯形体等形状中的任一种,本领域技术人员可以根据实际情况选择。
[0051] 在一些实施例中,第一表面与第二表面形状大小可以相同,例如第一有机块51为棱柱、圆柱等,同样起到增强阴极和发光层黏附性的效果。
[0052] 在一些实施例中,显示面板100还包括封装层60,封装层60位于第一电极40上,用于封装发光器件。针对OLED发光器件,发光材料被汽入侵后容易失效,封装层可以避免水入侵破坏发光器件。封装层60包括第一无机层61,第一无机层61位于封装层60靠近第一电极40一侧,第一无机层61对应像素限定区21设置第二减薄区611。第二减薄区611能够使得第一电极40对应的像素限定区21成为强度薄弱区,从而在相同的弯折条件下发光层30区域倾向于不形变或更小的形变,从而减弱或消除第一电极40与发光层30之间的剥离现象。
[0053] 一般情况下,封装层为有机层和无机层交替层叠排布的薄膜封装层,无机层位于封装层的外侧,无机层层数多于有机层一层,具体来说,封装层可以是第一无机层、第一有机层和第二无机层三层交替层叠设置的形式,封装层位于第一电极远离发光层一侧,封装层也可以是第一无机层、第一有机层、第二无机层、第二有机层和第三无机层五层交替层叠设置的形式,或者是其他层数和排布方式的封装层,本申请不做具体限制。
[0054] 第一无机层61对应像素限定区21设置第二减薄区611时,第二减薄区611可以位于第一无机层61远离第一电极40一侧,也可以位于第一无机层61靠近第一电极40一侧。当第二减薄区611位于第一无机61层远离第一电极40一侧,第一电极40与第二减薄区611之间存在第二有机块,可以理解的是,第二减薄区611位于第一无机层61远离第一电极40一侧时,弯折状态下第二减薄区611倾向于成为强度薄弱区,可以避免发光层30区域的过度形变趋势,避免第一电极40和发光层30之间的剥离。而且第二有机块52可以增加显示面板100的柔性,由于第一无机层61存在第二减薄区611,当水氧入侵时更容易穿过第二减薄区611,有机材料存在孔隙,可以吸附部分入侵水汽,因此第二有机块52可以增强封装层60阻隔水氧能力。
[0055] 具体地,请参阅图3,显示面板100包括封装层60,封装层60位于第一电极40上,封装层60包括层叠设置的第一无机层61、第一有机层62和第二无机层63,第一无机层61位于封装层60靠近第一电极40一侧,第一无机层61对应像素限定区21存在第二减薄区611,第二减薄区611位于第一无机层61远离第一电极40一侧,第一电极40与第二减薄区611之间存在第二有机块52。在相同弯折条件下,实现像素限定区21对应范围内的膜层倾向于优先形变,保护发光区域,延长器件使用寿命。
[0056] 第二有机块52具有远离阵列基板10一侧的第三表面和靠近阵列基板10一侧的第四表面,沿垂直于阵列基板10方向,第三表面投影覆盖第四表面投影或第四表面投影覆盖第三表面投影。也就是说,第二有机块52的第三表面大于第四表面,或者第四表面大于第三表面,在此情况下,能够增大第二有机块52与相邻膜层之间的接触面积,避免脱落,而且在弯折情况下,第二有机块52的侧面具有更好的张力和弹性,能够起到更好的缓冲作用。
[0057] 在一实施例中,沿垂直于阵列基板10方向,第四表面投影覆盖第三表面投影。如图2或3所示,第二有机块52沿垂直于阵列基板10方向的截面为梯形,也就是说,第一有机块为四棱台,第二有机块52与周围相邻的膜层之间有更大的接触面积,增强膜层之间的相互贴附效果,在弯折过程中,第二有机块52和相邻膜层之间具有更好的咬合力,避免脱落,且弯折情况下第二有机块52起到更好的缓冲作用和支撑性。
[0058] 在其他实施例中,第二有机块52可以采用包括圆台、梯形体等形状中的任一种,本领域技术人员可以根据实际情况选择。
[0059] 在一些实施例中,第三表面与第四表面形状大小可以相同,例如第二有机块52为棱柱、圆柱等,同样起到保护发光区域,延长器件使用寿命效果。
[0060] 如图3所示,显示面板100包括第一有机块51和第二有机块52,沿垂直于阵列基板方向,第一有机块51截面形状为倒梯形,也就是说形成沿垂直于阵列基板10方向第一表面投影覆盖第二表面投影的结构;第二有机块52截面形状为梯形,也就是说形成沿垂直于阵列基板10方向第四表面投影覆盖第三表面投影的结构。第一有机块51在图案化阴极后采用喷墨打印等工艺形成,倒梯形截面结构使得第一有机块51侧面和紧邻的第一电极40之间的夹角为非直角,进而能够避免第一有机块和相邻膜层之间存在沉积孔隙,避免不良品。第二有机块52采用喷墨打印等工艺形成梯形的截面结构,梯形截面结构的第二有机块52便于后续膜层的制备,避免后续第一无机层制备时靠近第二有机块的区域存在间隙,降低工艺难度。
[0061] 在一实施例中,第一减薄区51厚度为第一电极40厚度的1/2-2/3,该范围内的厚度设计,可避免第一电极40过薄导致的破裂风险。在不影响第一电极40正常功能的同时,提高第一电极40和发光层30之间的黏附性,提高显示面板100的弯曲性能。可以理解的是,在形成第一电极后,图案化第一电极形成第一减薄区,也就是说在形成第一减薄区之前,第一电极厚度除去工艺误差外可以看作一个定值,本实施例所指的第一电极厚度也就是在形成第一减薄区之前第一电极的厚度。
[0062] 在一实施例中,第二减薄区52的厚度为第一无机层61厚度的1/2-3/4,此范围内的厚度设计相比于不存在第二减薄区52的封装层60,可以起到非显示区优先弯曲的作用,保护显示区,避免第一电极40和发光层30的剥离,同时又可以最大限度的保证封装层60的隔绝水氧的效果。
[0063] 在一些实施例中,第一有机块51和第二有机块52可以采用相同的形状结构,例如均为长方体、正方体、棱台等,具体根据需求和工艺选择,第一有机块51和第二有机块52可以采用相同的材料,例如可以选择丙烯酸、丙烯酸酯,有机等有机材料中的至少一种,进而提高显示面板的弯折性能,也可以选择聚酰亚胺、聚苯乙烯或者包括氟离子或氯离子的低表面能材料等有机疏水材料中的至少一种,进一步增强有机器件抗水氧能力。
[0064] 在一些实施例中,沿平行于阵列基板方向,第二有机块52宽度为其所对应的像素限定区21的宽度的1/3-1/2。在弯折情况中,第一有机块51和第二有机块52可以更好的进行支撑,实现非显示区的优先弯曲,达到更好的弯折辅助效果,增强显示面板100弯曲性能。
[0065] 第一有机块51形状可以根据开口区形状进行设计,例如,第一有机51块与开口区形状相同、第一有机块51在像素定义层20上的投影与覆盖开口区,工艺简单且能增加第一电极40和发光层30之间的黏附性,增强显示面板100弯曲性能,第二有机块52与第一有机块51可以选择相同材料制备、相似的形状,以简化工艺。
[0066] 本发明实施例还提供了一种显示装置,本发明实施例提供显示装置包括本发明实施例提供的任意一种显示面板100。由于显示装置采用本发明实施例提供的显示面板100,因此显示装置同样具有上述实施例显示面板100的有益效果。需要说明的是,本发明实施例提供的显示装置还可以包括其他用于支持显示装置正常工作的电路及器件,上述的显示装置可以为手机、电脑、电视机、穿戴设备等。
[0067] 本发明实施例还提供了一种显示面板制备方法,如图4所示,包括:S1:提供阵列基板;S2:在阵列基板上沉积像素定义层;S3:图案化像素定义层形成开口区;S4:在开口区内沉积发光层;S5:在发光层上形成第一电极;S6:图案化第一电极,使得第一电极包括对应开口区的第一减薄区。
[0068] 图案化第一电极40具体可以采用干刻、激光刻蚀等工艺对第一电极40进行图案化。具体的,在第一电极上涂布光刻胶、曝光、显影、刻蚀后形成第一减薄区41。第一减薄区41能够增大第一电极40和发光层30之间的黏附性,从而避免膜层间的剥离,提高显示面板
100的寿命和弯折能力。
[0069] 进一步,本发明实施例提供的显示面板制备方法还包括S7:对应第一减薄区形成第一有机块;S8:像素定义层包括围绕开口区的像素限定区,对应像素限定区形成第二有机块;S9:形成封装层。
[0070] 形成包括第一减薄区41的第一电极40后,可以在第一电极40上对应第一减薄区41形成第一有机块51,具体可以采用与第一电极40图案相对应的掩模板,即对应第一减薄区41形成掩模板的开口区,进而对应第一减薄区形成第一有机块51,第一有机块51可以喷墨打印等工艺形成。第一有机块51能够增加显示面板100柔性。同样可以采用喷墨打印等工艺形成位于第一电极60上、对应像素限定区21的第二有机块52。
[0071] 通常情况下封装层60包括层叠设置的无机封装层和有机封装层,无机封装层往往位于封装层的外侧,本实施例中,在形成第二有机块52后沉积第一无机层61,第一无机层61可以选择化学沉积、气相沉积等工艺形成。由于第二有机块52的存在,使得第一无机层61对应第二有机块42区域高于四周区域,因此沉积第一无机层61后可以采用干刻、激光刻蚀等工艺平坦化第一无机层61,以便于后续膜层的制备。
[0072] 依照本发明如上文所述的实施例,这些实施例并没有详尽叙述所有的细节,也不限制该发明仅为所述的具体实施例。显然,根据以上描述,可作很多的修改和变化。本说明书选取并具体描述这些实施例,是为了更好地解释本发明的原理和实际应用,从而使所属技术领域技术人员能很好地利用本发明以及在本发明基础上的修改使用。本发明仅受权利要求书及其全部范围和等效物的限制。
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