具有由框架结构限定的功能结构的装置及其制造方法
阅读：3发布：2024-02-10
专利汇可以提供具有由框架结构限定的功能结构的装置及其制造方法专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本公开涉及一种装置，包括基于 半导体 的 基板 ，具有构造在该基于半导体的基板中或构造在该基于半导体的基板上的功能结构。该装置包括 框架 结构，该框架结构围绕功能结构，并且该装置包括涂层，该涂层 覆盖 功能结构并且由框架结构限定。，下面是具有由框架结构限定的功能结构的装置及其制造方法专利的具体信息内容。
1.一种装置，包括：
基于半导体的基板(12)，具有构造在所述基于半导体的基板(12)中或构造在所述基于半导体的基板上的功能结构；
框架结构(16)，围绕所述功能结构(14)；
涂层(22)，覆盖所述功能结构(14)并且由所述框架结构(16)限定。
2.根据权利要求1所述的装置，其中所述涂层(22)完全覆盖所述框架结构(16)的内部区域(24)。
3.根据权利要求1或2所述的装置，其中所述涂层(22)均匀地形成。
4.根据前述权利要求中任一项所述的装置，其中所述框架结构(16)布置在一个基板侧上，其中所述框架结构(16)相对于基板表面(28)凸起。
5.根据权利要求4所述的装置，其中所述框架结构(16)具有至少10nm且至多1000μm的高度(h)。
6.根据权利要求1至3中任一项所述的装置，其中所述框架结构(16)布置在一个基板侧上，其中所述框架结构形成在所述基板侧中的沟槽(26)。
7.根据权利要求6所述的装置，其中所述框架结构(16)具有至少10nm且至多1000μm的深度(h)。
8.根据前述权利要求中任一项所述的装置，其中所述涂层(22)包括亲水涂层材料，并且其中所述框架结构(16)包括疏水材料。
9.根据权利要求1至7中任一项所述的装置，其中所述涂层(22)包括疏水涂层材料，并且其中所述框架结构(16)包括亲水材料。
10.根据前述权利要求中任一项所述的装置，其中所述框架结构(16)包括位于所述框架结构(16)的内侧(322)与所述框架结构(16)的外侧(321)之间的框架宽度(28)，所述框架宽度(28)具有至少10nm且至多10mm的尺寸。
11.根据前述权利要求中任一项所述的装置，其中所述框架结构(16)被构造为导电的。
12.根据前述权利要求中任一项所述的装置，其中所述框架结构(16)至少包括第一层和第二层。
13.根据前述权利要求中任一项所述的装置，其中所述功能结构(16)包括电极结构。
14.根据前述权利要求中任一项所述的装置，其中所述涂层(22)包括纳米材料，特别是碳纳米材料。
15.根据前述权利要求中任一项所述的装置，其中所述涂层(22)至少包括第一层(22-
1)和第二层(22-2)。
16.根据前述权利要求中任一项所述的装置，其中所述框架结构(16)包括可结构化材料。
17.根据前述权利要求中任一项所述的装置，其中所述功能层(14)提供导电功能，和/或提供防止机械影响和/或化学影响的保护功能。
18.根据前述权利要求中任一项所述的装置，所述装置被构造为化学传感器和晶体管之一。
19.一种用于制造结构的方法(1000)，包括以下步骤：
提供(1010)具有功能结构的基于半导体的基板，所述功能结构布置在所述基于半导体的基板中或布置在所述基于半导体的基板上；
布置(1020)框架结构，使得所述框架结构围绕所述功能结构；
布置(1030)涂层，使得所述涂层覆盖所述功能结构并且由所述框架结构限定。
20.根据权利要求19所述的方法，其中布置所述涂层包括以下步骤：
提供(1110)包含涂层材料的液体；
将所述液体布置(1120)在所述框架结构的内部区域中，使得所述液体完全覆盖所述内部区域；和
干燥(1130)所述内部区域，使得所述涂层材料保留为涂层。
21.根据权利要求19或20所述的方法，其中所述涂层材料是第一涂层材料，并且还包括以下步骤：
在所述内部区域干燥之后，在所述内部区域中布置第二液体，其中所述第二液体具有第二涂层材料；和
重新干燥所述内部区域，使得所述第二涂层材料在所述涂层上形成一层。
22.根据权利要求19至21中任一项所述的方法，其中所述基板包括半导体晶片，其中所述方法以晶片级被多次执行。
具有由框架结构限定的功能结构的装置及其制造方法
技术领域
背景技术
[0002] 诸如传感器和/或致动器的基于半导体的装置可以具有多层结构。层结构的一些层可以是基于半导体的层，例如以晶片和/或外延生长层的形式。其他层可以通过合适的工艺施加以进行布置，例如通过气相沉积、打印工艺或机械沉积或定位技术。
[0004] 实施例提供了一种装置，具有基于半导体的基板，该基板具有构造在基于半导体的基板中或构造在基于半导体的基板上的功能结构。该装置包括围绕功能结构的框架结构。该装置还包括覆盖功能结构并由框架结构限定的涂层。
[0005] 另一个实施例提供了一种用于制造结构的方法。该方法包括提供具有功能结构的基于半导体的基板，该功能结构布置在基于半导体的基板中或布置在基于半导体的基板上。该方法包括布置框架结构，使得框架结构围绕功能结构。该方法包括布置涂层，使得涂层覆盖功能结构并且由框架结构限定。附图说明
[0006] 下面将参考附图解释实施例。其中：
[0007] 图1示出了根据实施例的装置的示意性侧剖视图；
[0008] 图2示出了根据实施例的装置的示意性侧剖视图，其中涂层具有第一层和第二层；
[0009] 图3示出了根据实施例的装置的示意性侧剖视图，其中功能结构相对于基于半导体的基板局部地凸起；
[0010] 图4示出了根据实施例的装置的示意性侧剖视图，其中框架结构至少部分地填充基于半导体的基板中的一个或多个凹槽；
[0011] 图5示出了根据实施例的装置的示意性侧剖视图，其中框架结构至少部分地由凹槽构成；
[0012] 图6示出了图1的装置的示意性平面图；
[0013] 图7示出了根据实施例的图1的装置的示意性平面图，其中框架结构具有开口；
[0015] 图9a示出了包括叉指电极结构的已知装置的示意性平面图；
[0016] 图9b示出了根据实施例的装置的示意性平面图，具有与图9a相同的结构，但另外具有框架结构；
[0017] 图10示出了根据实施例的方法的示意性流程图；和
[0018] 图11示出了方法的示意流程图，该方法可以被执行用于在根据图10的方法中至少部分地提供涂层。
具体实施方式
[0019] 在下文参考附图更详细地解释实施例之前，要指出的是，不同附图中的相同的、功能相同的或等同的元件、物体和/或结构具有相同的附图标记，从而在不同的实施例中示出这些元件的描述是可互换的或可以相互应用。
[0020] 随后的实施例涉及一种具有功能结构的装置。该功能结构可以是可致动的和/或传感的可偏转的元件，例如膜结构、柱结构、梁结构等。替代地或附加地，功能结构也可以是固定的，并且被构造为，例如基于与待感测的物理、化学或其他变量的相互作用来改变性质，该性质可以被确定。这种结构的实例例如是流体传感器(特别是化学传感器)，可以基于传感器环境中的流体材料的相互作用或吸附来改变电特性，例如电阻值。本公开中的化学传感器的实例是气体传感器。根据实施例，功能结构包括具有一个或多个电极和/或导体的电极结构。换句话说，功能结构被理解为在工艺流程中构造成的结构的任何部分。
[0021] 随后的实施例还涉及覆盖功能结构的涂层。根据本文描述的实施例的功能结构可以被布置用于功能化，或者替代地或附加地用作机械保护。功能化可以例如通过涂层的导电性获得，其提供涂层的导电功能。替代地或附加地，例如，可以通过涂层覆盖功能结构来提供接触保护、防尘等。根据实施例，替代地或附加地，可以提供针对化学影响的保护，例如通过允许或防止通过功能结构与介质的发生作用。
[0022] 图1示出了根据实施例的装置10的示意性侧剖视图。装置10包括基于半导体的基板，例如包括硅材料、砷化镓材料和/或其他半导体材料。基于半导体的基板12可以例如是晶片的形式，例如在被分割成单独的传感器、致动器或芯片之前，但也可以已经被分割。基于半导体的基板12可以包括基于半导体的基板12的不同层和/或组合层中的多个层，例如硅或多晶硅层，其可以全部或部分地被绝缘材料(例如氧化硅)覆盖。替代地或附加地，可以布置其他或另外的材料(例如氮化硅材料)。
[0023] 装置10包括功能结构14，例如被引入到基于半导体的基板12中和/或引入到基于半导体的基板12上，并且与基于半导体的基板12形成共同的表面。功能结构14可以是任意的传感器装置和/或致动装置。替代地或另外地，功能结构14也可以是包含任意数量的导体和/或电路部件的电路装置。功能结构可以包括一个或多个电极，该电极可以布置在基板表面上、上方或下方，例如作为掩埋电极或布置在基板表面下方的可自由接近的电极。
[0024] 装置10包括框架结构16，该框架结构16围绕功能结构14。框架结构16可以布置在基于半导体的基板12的表面18上，例如表面18与功能结构14形成公共表面。替代地，框架结构16也可以布置在任何其他平面中。框架结构16可以布置为，使得至少在功能结构14和框架结构16投射到基于半导体的基板12的表面18中(即在共同平面中)，功能结构14布置在框架结构16内。这可以通过使框架结构16连续和/或完全包围功能结构14来实现。替代地，框架结构16也可以具有开口，使得框架结构仅不完全地包围功能结构14。尽管框架结构16被描述为包围功能结构14，但是这并不排除，功能结构14的一个或多个电触点或引线位于框架结构16的区域中，例如在框架结构下方、框架结构上方，或形成框架结构的层。
[0025] 装置10包括涂层22，该涂层22覆盖功能结构14并且由框架结构16限定。在这种情况下，涂层22可以部分地或完全地覆盖功能结构14。涂层22可以完全覆盖由框架结构16完全或部分包围的区域24。通过使用框架结构16，可以实现涂层22的布置，使得涂层22可以通过较高的精度相对于涂层22的横向位置沿着平行于表面18的方向x和/或y布置。替代地或附加地，涂层22也可以通过较高的精度相对于层厚度获得，例如但不必平行于z方向，该z方向也可以理解为厚度方向。替代地或附加地，可以获得涂层22的较高的均匀性，尤其是在功能结构14上。因此，框架结构16例如适用于打印工艺和/或浸渍工艺，其中在功能结构14上施加液体(例如油墨材料等)。通过框架结构16定义区域24能够在区域24内布置液体并且在区域24中均匀地干燥。因此，例如通过不均匀干燥产生的所谓咖啡环可以在功能结构14上避免。
[0026] 图2示出了装置10a的示意性侧剖视图，其中涂层22具有第一层22-1和第二层22-2，其中替换地或附加地能够仅布置一层或多于两层，例如三层或更多、五层或更多、十层或更多、或更多层。每层可以在框架结构16的整个区域上独立于其他层布置，或者仅在部分区域中布置，只要由此形成框架结构16即可。因此，例如，在第一(可能电绝缘的)层与第二(可能导电的)层的组合中，第二层可以仅布置在框架结构16的部分区域中，第一层例如是连续的。这使得框架结构16中不同的部分可以制成电绝缘和导电的，为此可以使用不同的材料，例如包括硅的材料(例如多晶硅、氧化硅和/或氮化硅)。
[0027] 层22-1和22-2可以具有相同或不同的材料。举例来说，层22-1和/或22-2可以是纳米材料(例如碳纳米材料)。碳纳米材料的实例是石墨烯。替代地或附加地，可以布置一种或多种其他2D纳米材料、聚合物材料、金属和/或金属氧化物纳米颗粒、以及前述材料的任何材料组合或复合材料。例如，可以通过多步打印获得多层涂层。
[0028] 例如，通过执行蚀刻工艺、抛光工艺或研磨工艺，可以获得框架结构16和涂层22的相等或相当的高度。例如，图1的装置10可示出了这种研磨工序之前的状态。替代地，也可以布置这样一定量的涂层材料，即在获得涂层22之后，例如通过干燥，获得相应的高度。
[0029] 图3示出了装置10b的示意性侧剖视图，其中功能结构14布置在基于半导体的基板12上(例如在表面18上)。例如，这可以是生长的、布置的或未去除的区域或层，这使得功能结构14相对于基于半导体的基板12部分地凸起。涂层22无论如何都覆盖功能结构14。功能结构14和框架结构16之间的距离还能够通过涂层22覆盖功能结构14的侧表面。
[0030] 如图1和图2所示，在基于半导体的基板12上布置的图3的功能结构14能够通过基于半导体的基板12或涂层22部分地或完全地封装功能结构14。
[0031] 如图1、图2和图3所示，框架结构可以布置在基板侧，例如基板表面18，并且可以相对于基板表面凸起。应当注意，尽管基板侧可以理解为表面18，但是这也可以是不同的基板表面，和/或框架结构也可以覆盖装置的其他部分(例如电路部件等)。例如，平行于厚度方向z(方向z平行于表面18的表面法线)的框架结构16的尺寸或高度h可以是至少10nm且至多1000μm、至少50nm且至多800μm、或至少100nm且至多1μm。
[0032] 图4示出了根据实施例的装置10c的示意性侧剖视图，其中框架结构16至少部分地填充基于半导体的基板12中的一个或多个凹槽26，使得框架结构16的材料可以到达表面18或者至少非常薄地涂覆(即例如具有小于10nm的层厚度)。这允许在涂层22的材料的沉积过程中，使涂层22的材料和框架结构16的材料之间的排斥力阻止涂层22的材料溢出框架结构16，例如通过在使用液体时获得的表面张力。特别地，在沉积包含涂层的涂层材料和溶剂的油墨或分散体的印刷方法中，所施加的墨水可能受到其空间范围/分布内的这种表面张力的限制，即移动受限制。这种表面效应也可以有利地用于其他实施例中，例如装置10、10a和/或10b相对于框架结构和涂层22的材料中。
[0033] 基于这种表面张力的幅度或强度，可以影响油墨的最大可实现的层厚度并因此影响涂层22的层厚度。表面张力的幅度可以例如通过合适的材料选择和/或框架结构的尺寸(例如框架宽度，在图4中可以被理解为框架结构16沿x方向的尺寸)来影响。因此，例如，功能结构14也可以部分地在基于半导体的基板12的表面18上凸起，并且仍然被涂层22完全覆盖。框架结构16的这种限制特征也可以根据这里描述的其他框架结构使用，但框架结构的高度或深度也可以提供足够的限制安全性。
[0034] 涂层22或用于布置涂层22的材料和框架结构16的材料可以例如具有相反或排斥的性质，例如在疏水性和亲水性方面形成互补。根据实施例，涂层22包含亲水涂层材料。框架结构16可以包括疏水材料。框架结构16可以包括可结构化材料。这些包括例如聚合物材料(例如聚酰亚胺)。替代地或附加地，可结构化材料包括其他材料，例如光致抗蚀剂、SU-8、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiN)和/或它们的组合。例如，框架结构可以通过在制造装置10、10a、10b和/或10c的光刻工艺中或结束时执行至少一个步骤来实现。
[0035] 替代地，也可以实现互补的实施例，使得涂层22包括疏水涂层材料，并且框架结构16包括亲水材料。
[0036] 疏水涂层材料可以容易地溶解或悬浮在疏水溶剂中。类似地，亲水的涂层材料可以容易地溶解或悬浮在亲水溶剂中。尽管存在这样的可能性，溶解或悬浮涂层22的疏水性材料，以便获得亲水性材料混合物，其与框架结构16的疏水性材料很好地结合，但是在涂层22的干燥状态下产生涂层22和框架结构16的相同材料性质。
[0037] 与图1、图2和图3不同，框架结构16例如具有0的尺寸h，其中框架结构16也可以相对于表面18凸起。
[0038] 图5示出了根据实施例的装置10d的示意性侧剖视图，其中框架结构16至少部分地由凹槽26构成，即框架结构16在基板侧(例如基板表面18)形成沟槽。这允许用于布置涂层22的介质排出或溢出到凹槽26中，使得涂层22也可以部分地位于凹槽26中。
[0039] 凹槽26还可以部分地填充有用于构成框架结构16的材料，这也可以对应于图4中的部分地填充有框架结构16的材料的凹槽26。凹槽26的深度也可以理解为尺寸h并且具有相同的尺寸。如果将图4或图5的框架结构与图1、图2和/或图3的框架结构进行比较，则表面18仅沿z方向的方向可以交换。
[0040] 图6示出了装置10的示意性平面图，其中该实施例对于本文所述的其他装置也是有效的，例如装置10a、10b、10c和/或10d。框架结构16作为周向结构(例如作为凹槽)围绕区域24，作为填充的凹槽和/或相对于基于半导体的基板12的相应表面凸起。涂层22可以在区域24中均匀地形成，即具有低表面波度和/或相同的连续材料。布置框架结构16能够将作为涂层22的材料布置在区域24中并且使材料在区域24中扩散。随后的硬化、凝固和/或干燥过程可以使涂层22的材料能够均匀地干燥，使得涂层22可以具有较少或没有干扰伪迹或甚至避免干扰伪迹(例如咖啡环)。因此，例如这是有可能的，尽管有框架结构16，还是产生伪迹，例如咖啡环伪迹。通过定位框架结构16，使得框架结构16包围功能结构14，并且在共同的平面中投影时可能在功能结构14和框架结构16之间产生距离，则可以将伪迹的形成移位或控制到框架结构的区域和/或该距离中。在该区域，伪迹不会干扰装置的功能或者可以忽略不计，因为涂层在功能结构14的区域中均匀获得。换句话说，如果出现任何令人讨厌的伪迹(例如咖啡环)，则该伪迹可以位于框架结构16的内边缘上和/或内边缘处而不是位于通过涂层22均匀覆盖的功能结构上。
[0041] 基于框架结构16的不同任务，在获得涂层22期间，框架宽度28可以是至少10nm且至多10mm、可以是至少50nm且至多5mm，或至少100nm且至多1mm。框架宽度可以被理解为框架结构16的外侧321和内侧322之间的最短通道，其中内侧322可以被理解为框架结构16面向涂层22的侧面，并且外侧321可以理解为框架结构16背向涂层22的侧面。变化的尺寸28可以导致不同的热容量、亲水性和/或疏水性，使得所得的性质可以基于框架宽度28调节。
[0042] 图7示出了根据实施例的装置10的示意性平面图，其中框架结构16具有开口34，该开口34将外侧321与内侧322连接。替代地，装置10也可以在框架结构16中具有一个以上的开口34，或者如图6中所示，没有开口。开口34允许在凹槽区域中布置其他元件和/或任意使用该区域。然而，开口34可以被构造地足够小，以防止在制造过程中涂层22的材料通过。因此，设置多个开口34使得以较低材料消耗和/或材料应力(在冷却期间作用在基于半导体的基板12上)布置或制造框架结构16。
[0043] 除了限定涂层22之外，框架结构16还可以被构造为导电的，特别地参考装置10、10a、10b和/或10c。这使框架结构16能够进一步功能化，例如通过另外的或其他导体至少部分地被替代。
[0044] 由提供或布置的材料构造的框架结构16(例如结合图1、图2、图3和/或图4描述)可以包括一个材料层，但也可以是多层的，这能够实现更高的功能化。不同的层在导电性、导热性、疏水性和/或亲水性方面可具有不同的性质，这些性质可彼此匹配。
[0045] 图8示出了根据实施例的装置80的示意性平面图，其中功能结构14包括叉指电极，该叉指电极被框架结构16包围或封装，并且可以通过外部的、可能未涂覆的电极481和482接触。
[0046] 图9a示出了已知装置的平面图，该装置包括叉指电极的结构，该结构可通过电极481和482接触。它是一个没有框架结构的反面例子。涂层22被构造为不均匀的，从而形成所谓的咖啡环。此外，这里可以看到涂层22在区域49中的不受控制的溢出。
[0047] 图9b示出了根据实施例的装置90的平面图，具有与图9a中相同的结构，但另外具有框架结构16，该框架结构16封装功能结构14。因此，可以获得均匀的涂层22。
[0048] 换句话说，图9a和9b示出了根据实施例的实现方式。图9a示出了打印碳纳米材料油墨在电阻传感器上。通过使用框架结构(如图9b所示)，可以避免在功能结构14上的干燥边缘上的材料集合(咖啡环效应)，因此可以获得均匀的膜成型。在图9b中，框架结构被构造为聚酰亚胺框架，并通过限制碳纳米材料墨水实现有效的涂层成型。
[0049] 因此，实施例提供了晶体管或化学传感器，实施例不限于此。已知在感兴趣区域周围形成框架，以便能够在那里均匀地沉积纳米材料薄膜，从而导致制造工艺的高再现性。实施例使得能够生成空气质量监测装置。也可以构造具有其他纳米材料和复合材料的替代化学传感器。这里描述的实施例还能够进行薄膜打印，这使得能够获得诸如纳米材料晶体管、纳米材料检测器等的薄膜装置。
[0050] 实施例使得可以获得均匀的纳米材料层，特别地通过使用打印方法，例如喷墨打印方法。诸如溶剂粘度和/或咖啡环形成之间的不匹配的问题，即样件边缘处的材料积聚(导致损害装置质量，特别地通过损害布置薄膜的均匀性)可以通过本文描述的实施例克服。
[0052] 1.基于这些溶剂提供油墨是具有挑战性的，并且难以获得具有纳米材料的稳定分散剂；
[0054] 3.另一种方法是改变基板的表面能，从而调节油墨的扩散并使咖啡环效应最小化，然而这种预处理可能易于改变基材层的性质并使其难以控制、调节和/或保持一段时间不变。
[0055] 实施例提供了可能性，简单且可再现地布置层，特别是纳米材料层。
[0056] 实施例涉及布置框架状结构，该框架状结构限制墨水扩散到预定区域中。框架结构具有以下优点：
[0057] 1.可以使用高粘度流体和/或高表面张力油墨；
[0058] 2.在用墨水填充框架并缓慢干燥之后，获得以纳米材料薄膜覆盖的区域24的面积。区域24具有例如叉指电极；
[0059] 3.通过干燥产生并且可能导致不均匀材料分布的咖啡环(在样件边缘处的材料积聚)可以移动到电极表面之外，例如通过在边缘结构16上获得咖啡环，该边缘结构布置在电极区域或功能结构外部；
[0060] 4.可以限制墨水或液体，使其不会进入可能不合需要的相邻区域；和[0061] 5.通过框架结构能够在同一区域上进行不同纳米材料的多次打印过程，因为它允许油墨参数的更大自由度，例如粘度和表面张力。
[0062] 图10示出了根据实施例的方法1000的示意性流程图。方法1000包括步骤1010，用于提供具有功能结构的基于半导体的基板，该功能结构布置在基于半导体的基板中或布置在基于半导体的基板上，例如功能结构14，布置在基于半导体的基板12中或布置在基于半导体的基板上。方法1000包括步骤1020，用于布置框架结构，例如框架结构16，使得框架结构围绕功能结构。该方法还包括布置涂层的步骤1030，使得涂层覆盖功能结构并且由框架结构限定。涂层可以是例如涂层22。此处应该注意，功能结构可以在产生或提供框架结构之前、之后或期间布置。例如，框架结构可以围绕功能结构14生成，例如使用光刻工艺。替代地，在布置功能结构14之前，并且功能结构布置在区域24中，也可以限定区域24。替代地或附加地，同样可以使用相同的工艺步骤，以便至少部分地生成功能结构14并且至少部分地生成框架结构16。
[0063] 图11示出了方法1100的示意性流程图，例如该方法可以被执行以用于在步骤1030中至少部分地提供或布置涂层。
[0064] 在步骤1110中，提供包含涂层材料的液体。这可以是例如分散在溶剂中的纳米材料。
[0065] 在步骤1120中，将液体布置在框架结构的内部区域中，使得液体完全覆盖内部区域。例如，可以将液体布置在区域24中。通过使用高粘性液体，框架结构也可具有开口。
[0066] 步骤1130包括干燥内部区域，使得涂层材料保留为涂层。可选地，在干燥1130之后并且通过再次执行步骤1120和1130，可以优选地布置另一层液体，这可以例如降低或减少损坏位置或气穴。
[0067] 可选地和替代地重复步骤1120和1130，可以通过重新执行步骤1110、1120和1130来重复方法1100，例如通过在步骤1110中提供另一种液体以在涂层中提供另一层，例如装置10a所描述的那样。这也可以理解为，执行方法1000使得在内部区域已经干燥之后，将第二液体布置在内部区域中，其中第二液体具有第二涂层材料。可以对内部区域进行再次干燥，使得第二涂层材料在涂层上形成层。
[0068] 本文描述的实施例，特别是方法1000和/或1100，可以被实现为使得基板包括半导体晶片，其中该方法以晶片级被多次执行，即在打印步骤中填充多个框架结构。
[0069] 尽管已经在装置的上下文中描述了一些方面，但是应当理解，这些方面也构成对应方法的描述，使得装置的块或组件也应被理解为对应的方法步骤或方法步骤的特征。类似地，结合方法步骤或作为方法步骤描述的方面还表示对应装置的对应块或细节或特征的描述。
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