本発明は、有機発光素子を備えた表示装置に関する。

有機発光素子は、基板に、第１電極，発光層を含む有機層および第２電極を順に有し、第１電極と第２電極との間に直流電圧を印加すると発光層において正孔−電子再結合が起こり、光を発生するものである。 各素子の間には、それらを隔てるための絶縁膜が設けられている。 絶縁膜には、第１電極に対応して開口部が設けられており、開口部の側面は、通常、基板の平坦面に対して傾斜角（テーパ角）がつけられている。

従来、絶縁膜の形状については、（１）傾斜角を小さくする（例えば、特許文献１参照。）こと、および（２）傾斜角を垂直に近くする（例えば、特許文献２参照。）ことが提案されている。

特開平１１−９７１８２号公報

特許第３２４７３８８号明細書

特開２００７−１４８１２９号公報

しかしながら、（１）のように傾斜角が全体に小さい場合、有機発光素子を容量として活用する駆動回路を用いたとき（例えば、特許文献３参照。）に、ドライブトランジスタの閾値電圧の補正動作中に有機層を介して第１電極から第２電極に微小な漏れ電流が流れることにより、ドライブトランジスタのソース電位がずれてしまい、その結果、輝度ムラを生じてしまうという問題があった。

一方、（２）のように傾斜角が全体に高い場合、第２電極が断線してしまい発光しなくなってしまうおそれがあった。

本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、第２電極の断線を抑えると共に、有機層を介した漏れ電流を低減させることができる表示装置を提供することにある。

本発明による表示装置は、平坦な基板に複数の有機発光素子を備えたものであって、複数の有機発光素子の各々は、第１電極と、第１電極に対応して開口部を有する絶縁膜と、少なくとも開口部内の第１電極上に形成され、発光層を含む複数の層よりなる有機層と、第２電極とを順に有し、絶縁膜は、開口部の周囲の一部に、開口部の側面が基板の平坦面に対してなす傾斜角が、開口部の周囲の他の部分よりも小さい低テーパ部を有するものである。

ここに「傾斜角」とは、開口部の側面の端から厚みの最も厚い部分に至るまでの各点における傾斜角のうち最大の角度をいう。

本発明の表示装置では、絶縁膜が、開口部の周囲の一部に、開口部の側面が基板の平坦面に対してなす傾斜角が、開口部の周囲の他の部分よりも小さい低テーパ部を有しているので、低テーパ部以外の部分では、傾斜角が大きくなっており、有機層を介した漏れ電流が低減される。 一方、低テーパ部では、第２電極の断線が抑えられる。

本発明の表示装置によれば、絶縁膜が、開口部の周囲の一部に、開口部の側面が基板の平坦面に対してなす傾斜角が、開口部の周囲の他の部分よりも小さい低テーパ部を有するようにしたので、第２電極の断線を抑えることができると共に、有機層を介した漏れ電流を低減させることができる。 特に、有機発光素子を容量として活用する駆動回路を用いた場合に好適であり、輝度ムラの発生を抑制することが可能となる。

以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。

（第１の実施の形態）
図１は、本発明の第１の実施の形態に係る表示装置の構成を表すものである。 この表示装置は、極薄型の有機発光カラーディスプレイ装置などとして用いられるものであり、例えば、ガラス，シリコン（Ｓｉ）ウェハあるいは樹脂などよりなる基板１１の上に、後述する複数の有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ（以下、「有機発光素子ＥＬ」と総称する。）がマトリクス状に配置されてなる表示領域１１０が形成されると共に、この表示領域１１０の周辺に、信号部である水平セレクタ１２１と、スキャナ部であるライトスキャナ１３１、ドライブスキャナ１３２および電源ラインスキャナ１３３とが形成されたものである。

表示領域１１０において、列方向には信号線ＳＬが複数配置され、行方向には走査線ＷＳ，ＤＳおよび電源ラインＶＬが複数配置されている。 各信号線ＳＬと各走査線ＷＳ，ＤＳとの交差点に、有機発光素子ＥＬ（１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂのいずれか一つ（サブピクセル））を含む画素回路１４０が設けられている。 各信号線ＳＬは、水平セレクタ１２１に接続され、この水平セレクタ１２１から信号線ＳＬに映像信号Ｓｉｇが供給される。 各走査線ＷＳは、ライトスキャナ１３１に接続されると共に、各走査線ＤＳは、ドライブスキャナ１３２に接続されている。 各電源ラインＶＬは、電源ラインスキャナ１３３に接続されている。

図２は、画素回路１４０の一例を表したものである。 画素回路１４０は、サンプリングトランジスタＴ１およびドライブトランジスタＴ５と、その間の画素容量Ｃ１と、ドライブトランジスタＴ５およびカソード電位（Ｖｃａｔ）の間に接続された有機発光素子ＥＬと、ドライブトランジスタＴ５と電源ラインＶＬとの間に接続されたスイッチングトランジスタＴ４とを有するアクティブ型の駆動回路である。

サンプリングトランジスタＴ１は、走査線ＷＳから供給される制御信号に応じて導通し、信号線ＳＬから供給された映像信号Ｓｉｇの信号電位Ｖｓｉｇを画素容量Ｃ１にサンプリングするものである。 画素容量Ｃ１は、サンプリングされた映像信号Ｓｉｇの信号電位Ｖｓｉｇに応じてドライブトランジスタＴ５のゲートＧとソースＳ間に入力電圧Ｖｇｓを印加するものである。 ドライブトランジスタＴ５は、入力電圧Ｖｇｓに応じた出力電流Ｉｄｓを有機発光素子ＥＬ（１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ）に供給するものである。 有機発光素子ＥＬは、出力電流Ｉｄｓにより、映像信号Ｓｉｇの信号電位Ｖｓｉｇに応じた輝度で発光するようになっている。 スイッチングトランジスタＴ４は、走査線ＤＳから供給される制御信号に応じて導通し、発光期間中にはドライブトランジスタＴ５を電源ラインＶＬに接続し、非発光期間中には非導通状態となってドライブトランジスタＴ５を電源ラインＶＬから切り離すものである。

ここで、有機発光素子ＥＬに供給される出力電流Ｉｄｓは、ドライブトランジスタＴ５の閾電圧Ｖｔｈに対して依存性を有する。 そこで、ライトスキャナ１３１およびドライブスキャナ１３２は、この出力電流Ｉｄｓの閾電圧Ｖｔｈに対する依存性をキャンセルするため、画素容量Ｃ１に補正をかける補正動作と、補正された画素容量Ｃ１に映像信号Ｖｓｉｇの信号電位Ｖｓｉｇを書き込むサンプリング動作とを実行するようになっている。 水平セレクタ１２１は、補正動作中は信号線ＳＬに固定電位Ｖｏｆｓを供給し、その後、サンプリング動作に合わせて信号電位Ｖｓｉｇに切り替える。 また、電源ラインスキャナ１３３は、補正動作中は、発光期間中に供給する通常の電源電位Ｖｃｃから、補正動作に必要な電位Ｖｓｓに切り替える。

図３は、表示領域１１０の断面構成を表したものである。 表示領域１１０には、赤色の光を発生する有機発光素子１０Ｒと、緑色の光を発生する有機発光素子１０Ｇと、青色の光を発生する有機発光素子１０Ｂとが、順に全体としてマトリクス状に形成されている。 なお、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂは短冊形の平面形状を有し、隣り合う有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの組み合わせが一つの画素（ピクセル）を構成している。

有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂは、それぞれ、基板１１の側から、上述した画素回路１４０、平坦化層１２、陽極としての第１電極１３、絶縁膜１４、後述する発光層１５Ｃを含む有機層１５、および陰極としての第２電極１６がこの順に積層された構成を有している。 また、基板１１には、第１電極１３とは電気的に絶縁された補助配線１７が形成されており、この補助配線１７と第２電極１６とが電気的に接続されている。

このような有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂは、必要に応じて、窒化ケイ素（ＳｉＮ）または酸化ケイ素（ＳｉＯ）などの保護膜１８により被覆され、更にこの保護膜１８上に、熱硬化型樹脂または紫外線硬化型樹脂などの接着層２０を間にしてガラスなどよりなる封止用基板３１が全面にわたって貼り合わされることにより封止されている。 封止用基板３１には、必要に応じてカラーフィルタ３２およびブラックマトリクスとしての光遮蔽膜（図示せず）が設けられていてもよい。

画素回路１４０および配線等は、平坦化層１２に設けられた接続孔１２Ａを介して第１電極１３に電気的に接続されている。

平坦化層１２は、画素回路１４０が形成された基板１１の表面を平坦化するためのものであり、微細な接続孔１２Ａが形成されるためパターン精度が良い材料により構成されていることが好ましい。 平坦化層１２の構成材料としては、例えば、ポリイミド等の有機材料、あるいは酸化シリコン（ＳｉＯ ₂ ）などの無機材料が挙げられる。

第１電極１３は、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの各々に対応して形成されている。 また、第１電極１３は、発光層で発生した光を反射させる反射電極としての機能を有しており、できるだけ高い反射率を有するようにすることが発光効率を高める上で望ましい。 第１電極１３は、例えば、厚みが１００ｎｍ以上１０００ｎｍ以下、具体的には２００ｎｍ程度であり、アルミニウム（Ａｌ）あるいはアルミニウム（Ａｌ）を含む合金、または、銀（Ａｇ）あるいは銀（Ａｇ）を含む合金により構成されている。 また、第１電極１３は、クロム（Ｃｒ），チタン（Ｔｉ），鉄（Ｆｅ），コバルト（Ｃｏ），ニッケル（Ｎｉ），モリブデン（Ｍｏ），銅（Ｃｕ），タンタル（Ｔａ），タングステン（Ｗ），白金（Ｐｔ）あるいは金（Ａｕ）などの他の金属元素の単体または合金により構成されていてもよい。

絶縁膜１４は、第１電極１３と第２電極１６との絶縁性を確保すると共に発光領域を正確に所望の形状にするためのものであり、例えば、感光性のアクリル，ポリイミド，ポリベンズオキサゾールなどの有機材料により構成されている。 絶縁膜１４は、第１電極１３の発光領域および補助配線１７に対応して開口部１４Ａ，１４Ｂをそれぞれ有している。

図４は、有機層１５の断面構成を表したものである。 有機層１５は、少なくとも絶縁膜１４の開口部１４Ａ内の第１電極１３上に形成されており、発光が生じるのは開口部１４Ａのみであるが、絶縁膜１４の上にも連続して設けられていてもよい。 有機層１５は、例えば、第１電極１３の側から順に、正孔注入層１５Ａ，正孔輸送層１５Ｂ，発光層１５Ｃおよび電子輸送層１５Ｄを積層した構成を有するが、これらのうち発光層１５Ｃ以外の層は必要に応じて設ければよい。 また、有機層１５は、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの発光色によってそれぞれ構成が異なっていてもよい。 正孔注入層１５Ａは、正孔注入効率を高めるためのものであると共に、リークを防止するためのバッファ層である。 正孔輸送層１５Ｂは、発光層１５Ｃへの正孔輸送効率を高めるためのものである。 発光層１５Ｃは、電界をかけることにより電子と正孔との再結合が起こり、光を発生するものである。 電子輸送層１５Ｄは、発光層１５Ｃへの電子輸送効率を高めるためのものである。 なお、電子輸送層１５Ｄと第２電極１６との間には、ＬｉＦ，Ｌｉ ₂ Ｏなどよりなる電子注入層（図示せず）を設けてもよい。

有機発光素子１０Ｒの正孔注入層１５Ａは、例えば、厚みが１ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、アザトリフェニレン誘導体，４，４'，４”−トリス（３−メチルフェニルフェニルアミノ）トリフェニルアミン（ｍ−ＭＴＤＡＴＡ）あるいは４，４'，４”−トリス（２−ナフチルフェニルアミノ）トリフェニルアミン（２−ＴＮＡＴＡ）により構成されている。 有機発光素子１０Ｒの正孔輸送層１５Ｂは、例えば、厚みが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、ビス［（Ｎ−ナフチル）−Ｎ−フェニル］ベンジジン（α−ＮＰＤ）により構成されている。 有機発光素子１０Ｒの発光層１５Ｃは、例えば、厚みが１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下であり、８−キノリノールアルミニウム錯体（Ａｌｑ ₃ ）に２，６−ビス［４−［Ｎ−（４−メトキシフェニル）−Ｎ−フェニル］アミノスチリル］ナフタレン−１，５−ジカルボニトリル（ＢＳＮ−ＢＣＮ）を４０体積％混合したものにより構成されている。 有機発光素子１０Ｒの電子輸送層１５Ｄは、例えば、厚みが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、Ａｌｑ ₃により構成されている。

有機発光素子１０Ｇの正孔注入層１５Ａは、例えば、厚みが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、ｍ−ＭＴＤＡＴＡあるいは２−ＴＮＡＴＡにより構成されている。 有機発光素子１０Ｇの正孔輸送層１５Ｂは、例えば、厚みが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、α−ＮＰＤにより構成されている。 有機発光素子１０Ｇの発光層１５Ｃは、例えば、厚みが１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下であり、Ａｌｑ ₃にクマリン６（Ｃｏｕｍａｒｉｎ６）を３体積％混合したものにより構成されている。 有機発光素子１０Ｇの電子輸送層１５Ｄは、例えば、厚みが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、Ａｌｑ ₃により構成されている。

有機発光素子１０Ｂの正孔注入層１５Ａは、例えば、厚みが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、ｍ−ＭＴＤＡＴＡあるいは２−ＴＮＡＴＡにより構成されている。 有機発光素子１０Ｂの正孔輸送層１５Ｂは、例えば、厚みが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、α−ＮＰＤにより構成されている。 有機発光素子１０Ｂの発光層１５Ｃは、例えば、厚みが１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下であり、スピロ６Φ（ｓｐｉｒｏ６Φ）により構成されている。 有機発光素子１０Ｂの電子輸送層１５Ｄは、例えば、厚みが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、Ａｌｑ ₃により構成されている。

第２電極１６は、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂに共通に形成され、例えば、厚みが５ｎｍ以上５０ｎｍ以下であり、アルミニウム（Ａｌ），マグネシウム（Ｍｇ），カルシウム（Ｃａ），ナトリウム（Ｎａ）などの金属元素の単体または合金により構成されている。 中でも、マグネシウムと銀との合金（ＭｇＡｇ合金）、またはアルミニウム（Ａｌ）とリチウム（Ｌｉ）との合金（ＡｌＬｉ合金）が好ましい。 また、第２電極１６は、ＩＴＯ（インジウム・スズ複合酸化物）またはＩＺＯ（インジウム・亜鉛複合酸化物）により構成されていてもよい。

補助配線１７は、第２電極１６における電圧降下を抑制するものであり、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの隙間に形成されている。 補助配線１７は、例えば、基板１１上の第１電極１３と同層に、第１電極１３と同一の材料により構成されている。 補助配線１７を第１電極１３と同一の材料により構成することにより、後述する製造工程で補助配線１７と第１電極１３とを同一工程で形成することができる。 なお、補助配線１７の材料および構成は必ずしも第１電極１３と同一でなくてもよい。

図５は、第１電極１３および補助配線１７と、絶縁膜１４との平面的位置関係の一例を表したものである。 図６は、図５のＶＩ−ＶＩ線における断面および写真、図７は、図５のＶＩＩ−ＶＩＩ線における断面および写真をそれぞれ表したものである。 絶縁膜１４の開口部１４Ａ，１４Ｂは矩形である。 絶縁膜１４には、開口部１４Ａの周囲の一部に、低テーパ部４１が設けられている。 この低テーパ部４１は、開口部１４Ａの側面が基板１１の平坦面１１Ａに対してなす傾斜角θ１が、開口部１４Ａの周囲の他の部分すなわち高テーパ部４２の傾斜角θ２よりも小さくなっているものである。 これにより、この表示装置では、第２電極１６の断線を抑えると共に、有機層１５を介した漏れ電流を低減させることができるようになっている。

図８は、漏れ電流の流れる経路を模式的に表したものである。 有機層１５のうち、第１電極１３に接する層の導電性が大きいので、この高導電性層１５Ｅを介して、矢印で示したように、第１電極１３と第２電極１６の間に漏れ電流Ｌが流れる。 なお、ここにいう高導電性層１５Ｅは、有機層１５の積層構成により異なるが、図４に示した正孔注入層１５Ａまたは正孔輸送層１５Ｂに相当するものである場合が多い。 また、図示しないが、第１電極１３を陰極、第２電極１６を陽極とした場合には、高導電性層１５Ｅは、電子注入層または電子輸送層に相当することもある。

次に、図９に基づいて、絶縁膜１４の開口部１４Ａの傾斜角により漏れ電流の大きさが変わることを説明する。 有機層１５は、蒸着法などにより成膜される。 蒸着法では、成膜される材料の粒子は基板１１に対し垂直方向からの飛翔成分が多い。 そのため、開口部１４Ａの側面での高導電性層１５Ｅの厚みｔ１は、開口部１４Ａ内の平坦な部分での厚みをｔ０、傾斜角をθとすると、ｔ１≒ｔ０×ｃｏｓθとなる。 つまり、開口部１４Ａの側面では高導電性層１５Ｅの厚みが薄くなり、その分抵抗が上がり、傾斜角θと厚みとによっては、薄くなりすぎて連続的な膜が形成されず絶縁化される（いわゆる「段切れ」がおきる）。 このように、傾斜角θによって、高導電性層１５Ｅの導電性を制御することが可能である。

ここで、開口部１４Ａの傾斜角θを大きくすると、漏れ電流の原因となる高導電性層１５Ｅを段切れさせ、漏れ電流を防ぐことができる一方で、第２電極１６も段切れしてしまうという問題が生じるおそれがある。 そこで、開口部１４Ａの周囲の大半は傾斜角θの大きい高テーパ部４２とし、傾斜角θの小さい低テーパ部４１を部分的に設けることにより、漏れ電流を低減すると共に第２電極１６の非導通化を抑えることが可能となる。 低テーパ部４１の幅ｗは、小さいほうが漏れ電流を小さくすることができ、例えば３μｍないし５μｍ程度であることが望ましい。

ここに「傾斜角」とは、開口部１４Ａの側面の端から厚みの最も厚い部分に至るまでの各点における傾斜角のうち最大の角度をいう。 例えば、図１０に示したように、低テーパ部４１において、大部分が小さい傾斜角θ１１になっていても、一部のみが大きな傾斜角θ１２となっていた場合、大きな傾斜角θ１２の部分で段切れがおきる可能性があるからである。

なお、高テーパ部４２における傾斜角θ２は、例えば６０°以上、低テーパ部４１における傾斜角θ１は、例えば３０°以下とすることができるが、必ずしもこれに限定されない。

一方、補助配線１７用の開口部１４Ｂでは、開口部１４Ａと同様に、周囲の一部に低テーパ部４１が設けられていてもよいが、全周に低テーパ部４１が設けられていることが好ましい。 第２電極１６と補助配線１７とのコンタクト抵抗を良好に保つためである。

低テーパ部４１は、開口部１４Ａの四辺のうち、隣接する開口部１４Ａとの間に有機層１５が形成されていない有機層無し領域５１が存在する辺に設けられていることが好ましい。 以下、図１１ないし図１３を参照して、その理由について説明する。

図１１は、絶縁膜１４と有機層１５との平面的位置関係の一例を表したものである。 絶縁膜１４の開口部１４Ａは、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの発光寿命を延ばすため、第１電極１３に対する開口率をなるべく大きくする必要がある。 このため、Ｒ，Ｇ，Ｂ各色の有機層１５は、開口部１４Ａの長辺では、部分的に重なり合うように形成されることになる。 また、有機層１５は、補助配線１７と第２電極１６との接続孔となる開口部１４Ｂを回避して形成されている。 このため、開口部１４Ａの短辺では、有機層１５は重なり合わず、隣接する開口部１４Ａとの間に有機層無し領域５１が存在している。

図１２は、図１１のＸＩＩ−ＸＩＩ線における断面構造、図１３は、図１１のＸＩＩＩ−ＸＩＩＩ線における断面構造をそれぞれ表したものである。 漏れ電流の経路は、図１２に示した場合（有機層１５が重なり合わない辺）と、図１３に示した場合（有機層１５が重なり合った辺）との二つがある。 漏れ電流の大きさは、その経路の長さ、つまり高導電性層１５Ｅ中の距離に比例して増減する。 そのため、図１４に示したように有機層１５の成膜位置が横方向（左右方向）にばらついた場合に、有機層１５が重なり合った辺では成膜位置精度によって漏れ電流が大幅に変化し、表示領域１１０内で漏れ電流が不均一になり、輝度ムラの原因となってしまうおそれがある。 よって、低テーパ部４１は、有機層１５が重なり合わない辺、すなわち隣接する開口部１４Ａとの間に有機層無し領域５１が存在する辺に設けられているほうが、成膜位置精度による漏れ電流の変化を小さくすることができる。

また、低テーパ部４１は、開口部１４Ａの対向する二つの辺に形成されていることが好ましい。 なぜなら、有機層１５の成膜位置は、図１４のように横方向（左右方向）にずれるだけでなく、縦方向（上下方向）にずれる場合もある。 低テーパ部４１を、対向する二つの辺のうち一方だけに設けた場合には、成膜位置が縦方向にずれると、漏れ電流が大幅に変化し、表示領域１１０内で漏れ電流が不均一になり、輝度ムラの原因となってしまうおそれがある。 これに対して、低テーパ部４１が対向する二つの辺の両方に設けられていれば、成膜位置が縦方向にずれた場合にも、一画素単位でみれば漏れ電流の経路の合計長さ（Ｌ１＋Ｌ２）を常に一定にすることができる。 よって、表示領域１１０内で漏れ電流を均一化することができ、輝度ムラを抑えることが可能となる。

この表示装置は、例えば次のようにして製造することができる。

まず、上述した材料よりなる基板１１の上に画素回路１４０を形成したのち、基板１１の全面に感光性樹脂を塗布し、露光および現像することにより、平坦化層１２および接続孔１２Ａを形成し、焼成する。

次いで、例えばスパッタ法により、第１電極１３および補助配線１７を形成するための金属膜を形成し、フォトリソグラフィおよびエッチングによりパターニングして、第１電極１３および補助配線１７を形成する。

続いて、基板１１の全面にわたり上述した材料よりなるポジ型感光性樹脂を塗布し、投影型露光機およびフォトマスクを用いて、絶縁膜１４の開口部１４Ａおよび開口部１４Ｂとなる部分に近紫外線を照射し感光させる。 この際、開口部１４Ａの開口端の一部に、開口部１４Ａの露光量よりも小さい露光量で近紫外線を照射させる（以下、ハーフ露光という。）。 これにより、ハーフ露光した部分の傾斜角θ１が他の部分の傾斜角θ２よりも小さくなり、低テーパ部４１が形成される。 傾斜角θ２の大きな部分は高テーパ部４２となる。

そののち、ＴＭＡＨ（水酸化テトラメチルアンモニウム）などの現像液を用いて現像を行い、例えばＮ ₂中で２３０℃、３０分間焼成することにより、絶縁膜１４を形成する。

そののち、例えば蒸着法により、上述した材料よりなる有機層１５を形成する。 その際、有機層１５は、各色別のシャドウマスクを用いて補助配線１７上を回避して形成する。

有機層１５を形成したのち、例えば蒸着法により、電子注入層および第２電極１６を成膜し、第２電極１６と補助配線１７とを電気的に接続する。 なお、電子注入層および第２電極１６は、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ共通に形成する。 以上により、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂが形成される。

第２電極１６を形成したのち、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂを、上述した材料よりなる保護膜１８で覆い、この保護膜１８の上に、接着層２０を形成する。 続いて、カラーフィルタ３２が設けられ、上述した材料よりなる封止用基板３１を用意し、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂが形成された基板１１と封止用基板３１とを接着層２０を間にして貼り合わせる。 以上により、図１ないし図４に示した表示装置が完成する。

この表示装置では、走査線ＷＳから供給される制御信号に応じてサンプリングトランジスタＴ１が導通し、信号線ＳＬから供給された映像信号Ｓｉｇの信号電位Ｖｓｉｇが画素容量Ｃ１にサンプリングされる。 この信号電位Ｖｓｉｇに応じてドライブトランジスタＴ５のゲートＧとソースＳ間に入力電圧Ｖｇｓが印加され、これに応じた出力電流Ｉｄｓが有機発光素子ＥＬ（１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ）に供給される。 有機発光素子ＥＬは、出力電流Ｉｄｓにより、映像信号Ｓｉｇの信号電位Ｖｓｉｇに応じた輝度で発光する。 この光は、第２電極１６，カラーフィルタ３２および封止用基板３１を透過して取り出される。

このとき、出力電流Ｉｄｓの閾電圧Ｖｔｈに対する依存性をキャンセルするため、信号電位Ｖｓｉｇを画素容量Ｃ１にサンプリングする前に、ドライブトランジスタＴ５の閾電圧Ｖｔｈに相当する電圧を画素容量Ｃ１に書き込む補正動作を行う。 その際、図１５に示したように、有機発光素子ＥＬの等価回路はダイオードＴｅｌと容量Ｃｅｌとで表されるため、有機発光素子ＥＬの漏れ電流がドライブトランジスタＴ５に流れる電流よりもかなり小さければ、ドライブトランジスタＴ５の電流は、画素容量Ｃ１と有機発光素子ＥＬの容量Ｃｅｌとを充電するために使われる。

ここでは、絶縁膜１４の開口部１４Ａの周囲の一部に低テーパ部４１が設けられており、この低テーパ部４１の傾斜角θ１が、低テーパ部４１以外の高テーパ部４２の傾斜角θ２よりも小さくなっている。 よって、高テーパ部４２では、有機層１５を介した漏れ電流が低減され、上述したような有機発光素子ＥＬを容量Ｃｅｌとして活用する補正動作が良好に行われ、輝度ムラなどの不良が抑制される。 一方、低テーパ部４１では、第２電極１６の断線が抑えられ、発光しない等の欠陥が抑制される。

このように本実施の形態では、絶縁膜１４の開口部１４Ａの周囲の一部に低テーパ部４２を設け、この低テーパ部４１の傾斜角θ１を、低テーパ部４１以外の高テーパ部４２の傾斜角θ２よりも小さくするようにしたので、第２電極１６の断線を抑えることができると共に、有機層１５を介した漏れ電流を低減させることができる。 特に、有機発光素子ＥＬを容量Ｃｅｌとして活用する駆動回路を用いた場合に好適であり、輝度ムラの発生を抑制することが可能となる。

特に、低テーパ部４１を、開口部１４Ａの四辺のうち、隣接する開口部１４Ａとの間に有機層無し領域５１が存在する辺に設けるようにすれば、成膜位置精度による漏れ電流の変化を小さくすることができる。

また、特に、低テーパ部４１を、開口部１４Ａの対向する二つの辺に形成すれば、成膜位置がずれた場合にも、一画素単位でみれば漏れ電流の経路の合計長さ（Ｌ１＋Ｌ２）を常に一定にすることができる。 よって、表示領域１１０内で漏れ電流を均一化することができ、輝度ムラを抑えることが可能となる。

（第２の実施の形態）
図１６は、本発明の第２の実施の形態に係る表示装置の絶縁膜１４と有機層１５との平面的位置関係の一例を表したものであり、図１７は、図１６のＸＶＩＩ−ＸＶＩＩ線における断面構造を表したものである。 この表示装置は、低テーパ部４１の位置が異なることを除いては、上記第１の実施の形態と同様に構成されている。 よって、対応する構成要素には同一の符号を付して説明する。

本実施の形態は、有機層１５を転写法により形成する場合に適したものである。 具体的には、有機層１５の正孔注入層１５Ａ，正孔輸送層１５Ｂおよび電子輸送層１５Ｄは、蒸着法により全面に形成されており、発光層１５Ｃは、転写法により各色別に形成されている。 そのため、開口部１４Ａの長辺では、隣接する開口部１４Ａとの間に、有機層１５のうち発光層１５Ｃのみが重なり合う有機層重なり領域５２が存在している。 この有機層重なり領域５２では、発光層１５Ｃのみが重なり合っているので、漏れ電流の経路となる高導電層１５Ｅ（正孔注入層１５Ａまたは正孔輸送層１５Ｂ）が第２電極１６と接触しておらず、漏れ電流が極めて小さくなる。

低テーパ部４１は、開口部１４Ａの四辺のうち、隣接する開口部１４Ａとの間に有機層重なり領域５２が存在する辺に設けられている。 これにより、この表示装置では、第２電極１６の断線を抑えると共に、有機層１５を介した漏れ電流を極めて小さくすることができるようになっている。

この表示装置は、ハーフ露光の位置を変えることにより低テーパ部４１の位置を異ならせること、および有機層１５の発光層１５Ｃを転写法により形成することを除いては、第１の実施の形態と同様にして製造することができる。

この表示装置では、第１の実施の形態と同様にして、映像信号Ｓｉｇの信号電位Ｖｓｉｇが画素容量Ｃ１にサンプリングされ、この信号電位Ｖｓｉｇに応じてドライブトランジスタＴ５のゲートＧとソースＳ間に入力電圧Ｖｇｓが印加され、これに応じた出力電流Ｉｄｓにより、有機発光素子ＥＬ（１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ）が映像信号Ｓｉｇの信号電位Ｖｓｉｇに応じた輝度で発光する。 また、第１の実施の形態と同様にして、信号電位Ｖｓｉｇを画素容量Ｃ１にサンプリングする前に、ドライブトランジスタＴ５の閾電圧Ｖｔｈに相当する電圧を画素容量Ｃ１に書き込む補正動作が行われる。

ここでは、低テーパ部４１が、開口部１４Ａの四辺のうち、隣接する開口部１４Ａとの間に有機層重なり領域５２が存在する辺に設けられている。 よって、高テーパ部４２だけでなく低テーパ部４１においても、有機層１５を介した漏れ電流が極めて小さくなり、上述したような有機発光素子ＥＬを容量Ｃｅｌとして活用する補正動作が良好に行われ、輝度ムラなどの不良が抑制される。 更に、低テーパ部４１では、第２電極１６の断線が抑えられ、発光しない等の欠陥が抑制される。

このように本実施の形態では、低テーパ部４１を、開口部１４Ａの四辺のうち、隣接する開口部１４Ａとの間に有機層重なり領域５２が存在する辺に設けるようにしたので、第１の実施の形態の効果に加えて、低テーパ部４１における漏れ電流を極めて小さくすることができる。 特に、有機層１５の発光層１５Ｃを転写法により形成する場合に好適であり、輝度ムラの発生を抑制することが可能となる。

（モジュールおよび適用例）
以下、上記実施の形態で説明した表示装置の適用例について説明する。 上記実施の形態の表示装置は、テレビジョン装置，デジタルカメラ，ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話等の携帯端末装置あるいはビデオカメラなど、外部から入力された映像信号あるいは内部で生成した映像信号を、画像あるいは映像として表示するあらゆる分野の電子機器の表示装置に適用することが可能である。

（モジュール）
上記実施の形態の表示装置は、例えば、図１８に示したようなモジュールとして、後述する適用例１〜５などの種々の電子機器に組み込まれる。 このモジュールは、例えば、基板１１の一辺に、封止用基板５０および接着層４０から露出した領域２１０を設け、この露出した領域２１０に、信号線駆動回路１２０および走査線駆動回路１３０の配線を延長して外部接続端子（図示せず）を形成したものである。 外部接続端子には、信号の入出力のためのフレキシブルプリント配線基板（ＦＰＣ；Flexible Printed Circuit）２２０が設けられていてもよい。

（適用例１）
図１９は、上記実施の形態の表示装置が適用されるテレビジョン装置の外観を表したものである。 このテレビジョン装置は、例えば、フロントパネル３１０およびフィルターガラス３２０を含む映像表示画面部３００を有しており、この映像表示画面部３００は、上記各実施の形態に係る表示装置により構成されている。

（適用例２）
図２０は、上記実施の形態の表示装置が適用されるデジタルカメラの外観を表したものである。 このデジタルカメラは、例えば、フラッシュ用の発光部４１０、表示部４２０、メニュースイッチ４３０およびシャッターボタン４４０を有しており、その表示部４２０は、上記各実施の形態に係る表示装置により構成されている。

（適用例３）
図２１は、上記実施の形態の表示装置が適用されるノート型パーソナルコンピュータの外観を表したものである。 このノート型パーソナルコンピュータは、例えば、本体５１０，文字等の入力操作のためのキーボード５２０および画像を表示する表示部５３０を有しており、その表示部５３０は、上記各実施の形態に係る表示装置により構成されている。

（適用例４）
図２２は、上記実施の形態の表示装置が適用されるビデオカメラの外観を表したものである。 このビデオカメラは、例えば、本体部６１０，この本体部６１０の前方側面に設けられた被写体撮影用のレンズ６２０，撮影時のスタート／ストップスイッチ６３０および表示部６４０を有しており、その表示部６４０は、上記各実施の形態に係る表示装置により構成されている。

（適用例５）
図２３は、上記実施の形態の表示装置が適用される携帯電話機の外観を表したものである。 この携帯電話機は、例えば、上側筐体７１０と下側筐体７２０とを連結部（ヒンジ部）７３０で連結したものであり、ディスプレイ７４０，サブディスプレイ７５０，ピクチャーライト７６０およびカメラ７７０を有している。 そのディスプレイ７４０またはサブディスプレイ７５０は、上記各実施の形態に係る表示装置により構成されている。

以上、実施の形態を挙げて本発明を説明したが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、種々変形が可能である。 例えば、上記実施の形態において説明した各層の材料および厚み、または成膜方法および成膜条件などは限定されるものではなく、他の材料および厚みとしてもよく、または他の成膜方法および成膜条件としてもよい。

また、上記実施の形態では、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｂ，１０Ｇの構成を具体的に挙げて説明したが、全ての層を備える必要はなく、また、他の層を更に備えていてもよい。 例えば、上記実施の形態では、開口部１４Ａが矩形である場合について説明したが、開口部１４Ａは、矩形に限らず、複数の辺を含む平面形状であればよく、例えば図２４に示したような不規則な形状であってもよい。 その場合も、低テーパ部４１は、対向する二つの辺に設けるようにすることが可能である。

本発明の第１の実施の形態に係る表示装置の構成を表す図である。

図１に示した画素回路の一例を表す等価回路図である。

図１に示した表示領域の構成を表す断面図である。

図３に示した有機層の構成を表す断面図である。

図３に示した第１電極および補助配線と、絶縁膜との位置関係の一例を表す平面図である。

図５のＶＩ−ＶＩ線における断面図および写真である。

図５のＶＩＩ−ＶＩＩ線における断面図および写真である。

漏れ電流の流れる経路を説明するための断面図である。

絶縁膜の開口部の傾斜角による漏れ電流の大きさの変化を説明するための断面図である。

傾斜角の定義を説明するための断面図である。

図３に示した絶縁膜と有機層との位置関係の一例を表す平面図である。

図１１のＸＩＩ−ＸＩＩ線における断面図である。

図１１のＸＩＩＩ−ＸＩＩＩ線における断面図である。

図１１の有機層の成膜位置がずれた場合を表す平面図である。

有機発光素子を容量として使用する閾電圧補正動作を表す回路図である。

本発明の第２の実施の形態に係る表示装置の表示領域の平面図である。

図１６のＸＶＩＩ−ＸＶＩＩ線における断面図である。

上記実施の形態の表示装置を含むモジュールの概略構成を表す平面図である。

上記実施の形態の表示装置の適用例１の外観を表す斜視図である。

（Ａ）は適用例２の表側から見た外観を表す斜視図であり、（Ｂ）は裏側から見た外観を表す斜視図である。

適用例３の外観を表す斜視図である。

適用例４の外観を表す斜視図である。

（Ａ）は適用例５の開いた状態の正面図、（Ｂ）はその側面図、（Ｃ）は閉じた状態の正面図、（Ｄ）は左側面図、（Ｅ）は右側面図、（Ｆ）は上面図、（Ｇ）は下面図である。

本発明の変形例を表す平面図である。

符号の説明

１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ…有機発光素子、１１…基板、１３…第１電極、１４…絶縁膜、１４Ａ，１４Ｂ…開口部、１５…有機層、１６…第２電極、１７…補助配線、１８…保護膜、２０…接着層、３１…封止用基板、３２…カラーフィルタ、４１…低テーパ部、４２…高テーパ部、１１０…表示領域、１４０…画素駆動回路、Ｃｓ…キャパシタ、Ｔｒ１…駆動トランジスタ、Ｔｒ２…書き込みトランジスタ