闪存存储器的位线控制电路
专利汇可以提供闪存存储器的位线控制电路专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 发明 公开了一种闪存 存储器 的位线控制 电路 ；包括：相邻两个存储单元A和B；存储单元A和B的位线分别为BL1和BL2；存储单元A和B共有的源极 信号 线SL；存储单元A和B共有的SONOS线和字线分别为WLS和WL；位线写控制电路D，晶体管M10和晶体管M11控制BL1；晶体管M12和晶体管M13控制BL2；字线译码及驱动电路C；在VNEG进入M11及M13之前加入一个N型晶体管M14，晶体管M14的漏极、栅极、源极和衬底分别接VNEG_C、VNEG_HALF、VNEG和VNEG；VENG_C接至M11和M13的漏极；由VNEG_HALF的电位决定VNEG是否进入位线。本发明的选择管处于开启状态时，位线信号从编程 电压 断开，当选择管关闭时，位线信号才正确连接至编程电压，从而改善电荷 泵 启动过程中位线间漏 电流 的情况。，下面是闪存存储器的位线控制电路专利的具体信息内容。
1.一种闪存存储器的位线控制电路；包括：
相邻两个存储单元A和B；
存储单元A和B的位线分别为BL1和BL2；
存储单元A和B共有的源极信号线SL；
存储单元A和B共有的SONOS线和字线分别为WLS和WL；
位线写控制电路D，晶体管M10和晶体管M11控制BL1；
晶体管M12和晶体管M13控制BL2；
字线译码及驱动电路C；
其特征在于，
在晶体管M11及晶体管M13之前加入一个N型晶体管M14，晶体管M14的漏极、栅极、源极分别接负位线控制晶体管的域值电压VNEG_C、负高压信号VNEG_HALF、负高压信号VNEG，其衬底接负高压信号VNEG；
位线控制晶体管的域值电压VENG_C接至晶体管M11和晶体管M13的漏极；
由负高压信号VNEG_HALF的电位决定负高压信号VNEG是否进入位线。
2.如权利要求1所述的闪存存储器的位线控制电路，其特征在于，所述位线控制晶体管的域值电压要大于字线最后一级驱动的N型晶体管的域值电压。
闪存存储器的位线控制电路
技术领域
背景技术
发明内容
由VNEG_HALF的电位决定VNEG是否进入位线。
具体实施方式
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