专利汇可以提供Fabrication of insulated gate field-effect transistors involving ion implantation专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且An insulated gate field-effect transistor is made which utilizes both Schottky barrier connections and ion-implanted zones. The resultant structure incorporates source and drain zones, which are formed by ion implantation and whose spacing is fixed by the gate electrode, and source and drain electrodes which make ohmic connection to the implanted source and drain zones and rectifying connections to unimplanted material.,下面是Fabrication of insulated gate field-effect transistors involving ion implantation专利的具体信息内容。
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