常温稳定存储的组合物及量子点发光二极管器件的制法
阅读：810发布：2024-01-06
专利汇可以提供常温稳定存储的组合物及量子点发光二极管器件的制法专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 发明 公开一种能够常温稳定存储的组合物，包括稳定分散液和絮凝剂，所述稳定分散液包括 电子 传输层 纳米粒子 、配体和 溶剂 ，所述絮凝剂与稳定分散液混合使用。本发明还公开一种 量子点 发光 二极管 器件的制作方法，其中电子传输层的制作步骤包括：提供所述组合物；将所述絮凝剂添加于所述稳定分散液中，之后利用形成的混合物于第一 电极 上制作电子传输层，而后对所述电子传输层进行 退火 处理。相较于 现有技术 ，本发明的组合物可以稳定的存储在室温中。在量子点 发光二极管 器件的制作过程中，随着退火时间的增加，电子传输层纳米粒子表面的配体脱落，由此在保证量子点发光二极管器件制作效果的同时还能降低生产过程中的存储成本。，下面是常温稳定存储的组合物及量子点发光二极管器件的制法专利的具体信息内容。
1.一种能够常温稳定存储的组合物，其特征在于：包括稳定分散液和絮凝剂；
所述稳定分散液包括电子传输层纳米粒子、配体和溶剂；
所述絮凝剂与稳定分散液混合使用。
2.根据权利要求1所述的组合物，其特征在于：所述配体包括聚丙烯酸钠、聚苯乙烯磺酸钠、聚乙烯基磷酸酯钠，聚丙烯酸钾、聚苯乙烯磺酸钾和聚乙烯基磷酸酯钾中的任意一种或两种以上的组合；和/或，所述絮凝剂包括氯化钠和/或氯化钾。
3.根据权利要求1所述的组合物，其特征在于：所述电子传输层纳米粒子的尺寸为3-
5nm。
4.根据权利要求1所述的组合物，其特征在于：在所述絮凝剂与稳定分散液混合后形成的混合体系中，絮凝剂的浓度为10mmol/ml-30mmol/ml；和/或，所述稳定分散液中配体的浓度为30mmol/ml-50mmol/ml。
5.根据权利要求1所述的组合物，其特征在于：所述电子传输层纳米粒子包括ZnO、TiO2、SnO、ZrO2、Ta2O3、ZnSnO和InSnO n型半导体材料中的任意一种或两种以上的组合；和/或，所述电子传输层纳米粒子包括掺杂有Mg、Li、Hg、Al、Ni、Mn、Co、Ga、In、Sb、Er、Sr、Cu、Y、Nd和Pd中的任意一种或两种以上元素的n型半导体。
6.一种量子点发光二极管器件的制作方法，包括制作第一电极、电子传输层、空穴阻挡层、量子点发光层、空穴传输层、空穴注入层及第二电极的步骤，其特征在于，所述电子传输层的制作步骤包括：
提供权利要求1-5中任一项所述的组合物；
将所述絮凝剂添加于所述稳定分散液中，之后利用形成的混合物于第一电极上制作电子传输层，而后对所述电子传输层进行退火处理。
7.根据权利要求6所述的制作方法，其特征在于，所述退火处理的退火温度为50-100℃，时间为10-100min。
8.根据权利要求6所述的制作方法，其特征在于：所述空穴注入层的材质包括PEDOT：
PSS、CuPc、F4-TCNQ、HATCN、氧化钼、氧化钒、氧化钨、氧化铬、MoS2、WS2、MoSe2和WSe2中的任意一种或两种以上的组合；和/或，所述空穴传输层的材质包括NPB、TPD、Poly-TPD、TFB、PVK、CBP、TCTA和mCP中的任意一种或两种以上的组合；和/或，所述第一电极包括ITO导电玻璃；和/或，所述第二电极包括Al电极或Ag电极。
9.根据权利要求6所述的制作方法，其特征在于：所述电子传输层的制作步骤具体包括于第一电极上沉积电子传输层，而后对所述电子传输层进行退火处理，之后进行清洗去除所述配体及絮凝剂。
10.根据权利要求9所述的制作方法，其特征在于：所述电子传输层的浓度为30mmol/ml-50mmol/ml，所述稳定分散液中配体的浓度为30mmol/ml-50mmol/ml；和/或，所述旋涂转速为1000r/min-5000r/min；和/或，清洗所选用的溶剂为丙二醇、甘油和甲酸中的任意一种或两种以上的组合。
常温稳定存储的组合物及量子点发光二极管器件的制法
技术领域
背景技术
[0002] 基于半导体量子点(QDs)发光的量子点发光二极管器件(QLEDs)具有发光效率高、色纯度高以及发光颜色简单可调等优点。近年来，对量子点材料及QLED器件的开发受到了越来越多的关注。与有机发光二极管器件相比较，QLED器件中的发光层由无机纳米粒子组成。在目前主流的QLED制作过程中，电子传输层采用的是无机的金属氧化物纳米材料，这种纳米粒子是一种直接带隙宽禁带纳米粒子，具有较高的电子迁移率。但电子传输层通常是没有配体的纳米粒子，因为有配体的纳米粒子运用在电子传输层中会使得电子传输受阻，降低QLED各项参数。但没有配体的纳米颗粒室温下放置会熟化，使得纳米粒子尺寸发生变化，会使得QLED器件效果变差，通常电子传输层纳米粒子的存储是采用低温存储，但低温存储，将会加大企业生产成本。
[0003] 因此，如何降低电子传输层的存放成本，且轻松实现量产，降低生产成本，成为了亟待解决的问题。
发明内容
[0004] 本发明的主要目的在于提供一种能够常温稳定存储的组合物及量子点发光二极管器件的制作方法，以克服现有技术中的不足。为实现前述发明目的，本发明采用的技术方案包括：
[0005] 本发明实施例提供了一种能够常温稳定存储的组合物，包括稳定分散液和絮凝剂；
[0006] 所述稳定分散液包括电子传输层纳米粒子、配体和溶剂；
[0007] 所述絮凝剂与稳定分散液混合使用。
[0010] 将所述絮凝剂添加于所述稳定分散液中，之后利用形成的混合物于第一电极上制作电子传输层，而后对所述电子传输层进行退火处理。
[0011] 与现有技术相比，本发明的有益效果包括：
[0012] (1)本发明实施例提供的能够常温稳定存储的组合物，包括稳定分散液和絮凝剂，稳定分散液包括电子传输层纳米粒子、配体和溶剂，絮凝剂与稳定分散液混合使用，可以实现在室温下存储电子传输层纳米粒子。
[0013] (2)在量子点发光二极管器件的制作过程中，随着退火时间的增加，电子传输层纳米粒子的浓度逐渐增大，到达一定浓度后，由于絮凝剂的存在，使得电子传输层纳米粒子表面的配体脱落，再通过溶剂对基体进行清洗，以去除其中的配体和絮凝剂。从而使得电子传输层纳米粒子可以稳定的存储在室温中，在保证量子点发光二极管器件制作效果的同时降低生产过程中的存储成本。附图说明
[0014] 为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明中记载的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
具体实施方式
[0016] 鉴于现有技术中的不足，本案发明人经长期研究和大量实践，得以提出本发明的技术方案。如下将对该技术方案、其实施过程及原理等作进一步的解释说明。
[0017] 本发明实施例提供的一种能够常温稳定存储的组合物，包括稳定分散液和絮凝剂；
[0018] 所述稳定分散液包括电子传输层纳米粒子、配体和溶剂；
[0019] 所述絮凝剂与稳定分散液混合使用。
[0020] 具体的，电子传输层纳米粒子的表面加入配体和絮凝剂后即可存放在室温下。
[0023] 在一些实施方案中，所述电子传输层纳米粒子的尺寸为3-5nm。
[0024] 在一些实施方案中，在所述絮凝剂与稳定分散液混合后形成的混合体系中，絮凝剂的浓度为10mmol/ml-30mmol/ml。
[0025] 在一些实施方案中，所述稳定分散液中配体的浓度为30mmol/ml-50mmol/ml。
[0026] 在一些实施方案中，所述电子传输层纳米粒子包括ZnO、TiO2、SnO、ZrO2、Ta2O3、ZnSnO和InSnO n型半导体材料中的任意一种或两种以上的组合。
[0027] 在一些实施方案中，所述电子传输层纳米粒子包括掺杂有Mg、Li、Hg、Al、Ni、Mn、Co、Ga、In、Sb、Er、Sr、Cu、Y、Nd和Pd中的任意一种或两种以上元素的n型半导体。
[0028] 电子传输层纳米粒子选用具有较高电子迁移率且透光性良好的n型半导体。
[0029] 本发明实施例还提供一种量子点发光二极管器件的制作方法，包括制作第一电极、电子传输层、空穴阻挡层、量子点发光层、空穴传输层、空穴注入层及第二电极的步骤，所述电子传输层的制作步骤包括：
[0030] 提供所述的组合物；
[0031] 将所述絮凝剂添加于所述稳定分散液中，之后利用形成的混合物于第一电极上制作电子传输层，而后对所述电子传输层进行退火处理。
[0032] 在一些实施方案中，所述退火处理的退火温度为50-100℃，时间为10-100min。
[0033] 在一些实施方案中，所述空穴注入层的材质包括PEDOT：PSS、CuPc、F4-TCNQ、HATCN、氧化钼、氧化钒、氧化钨、氧化铬、MoS2、WS2、MoSe2和WSe2中的任意一种或两种以上的组合。
[0034] 在一些实施方案中，所述空穴传输层的材质包括NPB、TPD、Poly-TPD、TFB、PVK、CBP、TCTA和mCP中的任意一种或两种以上的组合。
[0035] 在一些实施方案中，所述第一电极包括ITO导电玻璃。
[0036] 在一些具体实施方案中，先对ITO导电玻璃进行清洗：将ITO导电玻璃片依次放入盛有丙酮、酒精和去离子水的烧杯，并将烧杯置于超声波清洗仪中，依次清洗10分钟。将洗过的ITO导电玻璃置于真空干燥箱中，烘干备用。
[0037] 在一些实施方案中，所述第二电极包括Al电极或Ag电极。
[0038] 在一些实施方案中，所述电子传输层的制作步骤具体包括于第一电极上沉积电子传输层，而后对所述电子传输层进行退火处理，之后进行清洗去除所述配体及絮凝剂。
[0039] 具体的，在退火处理后，将基体放入溶剂中进行清洗，从而去除电子传输层中脱落的配体和絮凝剂。
[0040] 在一些实施方案中，所述电子传输层的浓度为30mmol/ml-50mmol/ml，所述稳定分散液中配体的浓度为30mmol/ml-50mmol/ml。
[0041] 在一些实施方案中，所述旋涂转速为1000r/min-5000r/min。
[0042] 在一些实施方案中，清洗所选用的溶剂为丙二醇、甘油和甲酸中的任意一种或两种以上的组合。
[0043] 在一些具体的实施方案中，一种量子点发光二极管器件的制作方法可以包括以下步骤：
[0044] (1)ITO导电玻璃清洗：
[0045] 例如，将ITO导电玻璃片依次放入盛有丙酮、酒精和去离子水的烧杯，并将烧杯置于超声波清洗仪中，依次清洗10分钟。将洗过的ITO导电玻璃置于真空干燥箱中，烘干备用；
[0046] (2)在ITO导电玻璃上沉积氧化锌电子传输层，电子传输层可以为ZnO、TiO2、SnO、ZrO2、Ta2O3、AlZnO、ZnSnO和InSnO等具有较高电子迁移率的且透光性良好的n型半导体，在一定温度下退火一定时间，温度范围在50℃-100℃之间，时间范围在10min-100min之间；其中，沉积方式可以选用旋涂或打印工艺，或其他工艺；
[0047] (3)在电子传输层上沉积空穴阻挡层；
[0048] (4)在空穴阻挡层上沉积量子点发光层；
[0049] (5)在量子点发光层中沉积空穴传输层；空穴注入层可以包括PEDOT：PSS、CuPc、F4-TCNQ、HATCN、氧化钼、氧化钒、氧化钨、氧化铬、MoS2、WS2、MoSe2和WSe2中的任意一种或两种以上的组合；
[0050] (6)在空穴传输层上沉积空穴注入层；
[0052] 以下通过实施例进一步详细说明本发明的技术方案。然而，所选的实施例仅用于说明本发明，而不限制本发明的范围。
[0053] 实施例1：
[0054] (1)ITO清洗：将ITO玻璃片依次放入盛有丙酮、酒精和去离子水的烧杯，并将烧杯置于超声波清洗仪中，依次清洗10分钟。将洗过的ITO置于真空干燥箱中，烘干备用。
[0055] (2)在ITO导电玻璃上旋涂一层电子传输层ZnO。
[0056] (3)在电子传输层上旋涂一层空穴阻挡层。
[0057] (4)在空穴阻挡层上旋涂一层量子点发光层。
[0058] (5)在量子点发光层上旋涂一层空穴传输层。
[0059] (6)在空穴传输层上旋涂空穴注入层。
[0060] (7)在空穴注入层上，蒸镀一层阴极金属Al电极。
[0061] 上述步骤(2)，电子传输层中添加配体和絮凝剂，配体为聚丙烯酸钠，絮凝剂为氯化钠，絮凝剂的浓度为10mmol/ml。退火后，将上述基体放入丙二醇溶剂中进行清洗，去除电子传输层中脱落的配体和絮凝剂。退火后再进行退火使得清洗溶剂蒸发，退火温度为70℃，退火时间为30min。其中，电子传输层中ZnO的浓度为30mmol/ml，配体的浓度为30mmol/ml，旋涂电子传输层的转速为1000r/min。
[0062] 请参见图1，由该图可看出，使用本实施例的电子传输层制作QLED器件，QLED器件电流效率和外量子效率高，器件性能优异。
[0063] 实施例2：
[0064] (1)ITO清洗：将ITO玻璃片依次放入盛有丙酮、酒精和去离子水的烧杯，并将烧杯置于超声波清洗仪中，依次清洗10分钟。将洗过的ITO置于真空干燥箱中，烘干备用。
[0065] (2)在ITO导电玻璃上旋涂一层电子传输层ZnO。
[0066] (3)在电子传输层上旋涂一层空穴阻挡层。
[0067] (4)在空穴阻挡层上旋涂一层量子点发光层。
[0068] (5)在量子点发光层上旋涂一层空穴传输层。
[0069] (6)在空穴传输层上旋涂空穴注入层。
[0070] (7)在空穴注入层上，蒸镀一层阴极金属Al电极。
[0071] 上述步骤(2)，电子传输层中添加配体和絮凝剂，配体为聚丙烯酸钠，絮凝剂为氯化钠，絮凝剂的浓度为10mmol/ml。退火后，将上述基体放入丙二醇溶剂中进行清洗，去除电子传输层中脱落的配体和絮凝剂。退火后再进行退火使得清洗溶剂蒸发，退火温度为70℃，退火时间为30min。其中，电子传输层中ZnO的浓度为40mmol/ml，配体的浓度为40mmol/ml，旋涂电子传输层的转速为3000r/min。
[0072] 实施例3：
[0073] (1)ITO清洗：将ITO玻璃片依次放入盛有丙酮、酒精和去离子水的烧杯，并将烧杯置于超声波清洗仪中，依次清洗10分钟。将洗过的ITO置于真空干燥箱中，烘干备用。
[0074] (2)在ITO导电玻璃上旋涂一层电子传输层TiO2。
[0075] (3)在电子传输层上旋涂一层空穴阻挡层。
[0076] (4)在空穴阻挡层上旋涂一层量子点发光层。
[0077] (5)在量子点发光层上旋涂一层空穴传输层。
[0078] (6)在空穴传输层上旋涂空穴注入层。
[0079] (7)在空穴注入层上，蒸镀一层阴极金属Al电极。
[0080] 上述步骤(2)，电子传输层中添加配体和絮凝剂，配体为聚丙烯酸钠，絮凝剂为氯化钠，絮凝剂的浓度为10mmol/ml。退火后，将上述基体放入丙二醇溶剂中进行清洗，去除电子传输层中脱落的配体和絮凝剂。退火后再进行退火使得清洗溶剂蒸发，退火温度为50℃，退火时间为30min。其中，电子传输层中TiO2的浓度为50mmol/ml，所述配体的浓度为50mmol/ml，旋涂电子传输层的转速为5000r/min。
[0081] 实施例4：
[0082] (1)ITO清洗：将ITO玻璃片依次放入盛有丙酮、酒精和去离子水的烧杯，并将烧杯置于超声波清洗仪中，依次清洗10分钟。将洗过的ITO置于真空干燥箱中，烘干备用。
[0083] (2)在ITO导电玻璃上打印一层电子传输层ZnO。
[0084] (3)在电子传输层上旋涂一层空穴阻挡层。
[0085] (4)在空穴阻挡层上旋涂一层量子点发光层。
[0086] (5)在量子点发光层上打印一层空穴传输层。
[0087] (6)在空穴传输层上旋涂空穴注入层。
[0088] (7)在空穴注入层上，蒸镀一层阴极金属Al电极。
[0089] 上述步骤(2)，电子传输层中添加配体和絮凝剂，配体为聚丙烯酸钠，絮凝剂为氯化钠，絮凝剂的浓度为10mmol/ml。退火后，将上述基体放入丙二醇溶剂中进行清洗，去除电子传输层中脱落的配体和絮凝剂。退火后再进行退火使得清洗溶剂蒸发，退火温度为100℃，退火时间为10min。其中，电子传输层中ZnO的浓度为50mmol/ml，配体的浓度为50mmol/ml。
[0090] 实施例5：
[0091] (1)ITO清洗：将ITO玻璃片依次放入盛有丙酮、酒精和去离子水的烧杯，并将烧杯置于超声波清洗仪中，依次清洗10分钟。将洗过的ITO置于真空干燥箱中，烘干备用。
[0092] (2)在ITO导电玻璃上旋涂一层电子传输层SnO。
[0093] (3)在电子传输层上旋涂一层空穴阻挡层。
[0094] (4)在空穴阻挡层上旋涂一层量子点发光层。
[0095] (5)在量子点发光层上旋涂一层空穴传输层。
[0096] (6)在空穴传输层上旋涂空穴注入层。
[0097] (7)在空穴注入层上，蒸镀一层Al电极。
[0098] 上述步骤(2)，电子传输层中添加配体和絮凝剂，配体为聚丙烯酸钠，絮凝剂为氯化钠，絮凝剂的浓度为20mmol/ml。退火后，将上述基体放入丙二醇溶剂中进行清洗，去除电子传输层中脱落的配体和絮凝剂。退火后再进行退火使得清洗溶剂蒸发，退火温度为80℃，退火时间为30min。其中，电子传输层中SnO的浓度为30mmol/ml，配体的浓度为30mmol/ml，旋涂电子传输层的转速为1000r/min。
[0099] 实施例6：
[0100] (1)ITO清洗：将ITO玻璃片依次放入盛有丙酮、酒精和去离子水的烧杯，并将烧杯置于超声波清洗仪中，依次清洗10分钟。将洗过的ITO置于真空干燥箱中，烘干备用。
[0101] (2)在ITO导电玻璃上旋涂一层电子传输层ZnO。
[0102] (3)在电子传输层上旋涂一层空穴阻挡层。
[0103] (4)在空穴阻挡层上旋涂一层量子点发光层。
[0104] (5)在量子点发光层上旋涂一层空穴传输层。
[0105] (6)在空穴传输层上旋涂空穴注入层。
[0106] (7)在空穴注入层上，蒸镀一层Al电极。
[0107] 上述步骤(2)，电子传输层中添加配体和絮凝剂，配体为聚丙烯酸钠，絮凝剂为氯化钠，絮凝剂的浓度为20mmol/ml。退火后，将上述基体放入丙二醇溶剂中进行清洗，去除电子传输层中脱落的配体和絮凝剂。退火后再进行退火使得清洗溶剂蒸发，退火温度为70℃，退火时间为70min。其中，电子传输层中ZnO的浓度为40mmol/ml，配体的浓度为40mmol/ml，旋涂电子传输层的转速为3000r/min。
[0108] 实施例7：
[0109] (1)ITO清洗：将ITO玻璃片依次放入盛有丙酮、酒精和去离子水的烧杯，并将烧杯置于超声波清洗仪中，依次清洗10分钟。将洗过的ITO置于真空干燥箱中，烘干备用。
[0110] (2)在ITO导电玻璃上旋涂一层电子传输层ZrO2。
[0111] (3)在电子传输层上旋涂一层空穴阻挡层。
[0112] (4)在空穴阻挡层上旋涂一层量子点发光层。
[0113] (5)在量子点发光层上旋涂一层空穴传输层。
[0114] (6)在空穴传输层上旋涂空穴注入层。
[0115] (7)在空穴注入层上，蒸镀一层Al电极。
[0116] 上述步骤(2)，电子传输层中添加配体和絮凝剂，配体为聚丙烯酸钠，絮凝剂为氯化钠，絮凝剂的浓度为20mmol/ml。退火后，将上述基体放入丙二醇溶剂中进行清洗，去除电子传输层中脱落的配体和絮凝剂。退火后再进行退火使得清洗溶剂蒸发，退火温度为90℃，退火时间为50min。其中，电子传输层中ZrO2的浓度为50mmol/ml，配体的浓度为50mmol/ml，旋涂电子传输层的转速为5000r/min。
[0117] 实施例8：
[0118] (1)ITO清洗：将ITO玻璃片依次放入盛有丙酮、酒精和去离子水的烧杯，并将烧杯置于超声波清洗仪中，依次清洗10分钟。将洗过的ITO置于真空干燥箱中，烘干备用。
[0119] (2)在ITO导电玻璃上旋涂一层电子传输层Ta2O3。
[0120] (3)在电子传输层上旋涂一层空穴阻挡层。
[0121] (4)在空穴阻挡层上旋涂一层量子点发光层。
[0122] (5)在量子点发光层上旋涂一层空穴传输层。
[0123] (6)在空穴传输层上旋涂空穴注入层。
[0124] (7)在空穴注入层上，蒸镀一层Al电极。
[0125] 上述步骤(2)，电子传输层中添加配体和絮凝剂，配体为聚丙烯酸钠，絮凝剂为氯化钠，絮凝剂的浓度为30mmol/ml。退火后，将上述基体放入丙二醇溶剂中进行清洗，去除电子传输层中脱落的配体和絮凝剂。退火后再进行退火使得清洗溶剂蒸发，退火温度为70℃，退火时间为30min。其中，电子传输层中Ta2O3的浓度为30mmol/ml，配体的浓度为30mmol/ml，旋涂电子传输层的转速为1000r/min。
[0126] 实施例9：
[0127] (1)ITO清洗：将ITO玻璃片依次放入盛有丙酮、酒精和去离子水的烧杯，并将烧杯置于超声波清洗仪中，依次清洗10分钟。将洗过的ITO置于真空干燥箱中，烘干备用。
[0128] (2)在ITO导电玻璃上旋涂一层电子传输层ZnO。
[0129] (3)在电子传输层上旋涂一层空穴阻挡层。
[0130] (4)在空穴阻挡层上旋涂一层量子点发光层。
[0131] (5)在量子点发光层上旋涂一层空穴传输层。
[0132] (6)在空穴传输层上旋涂空穴注入层。
[0133] (7)在空穴注入层上，蒸镀一层Al电极。
[0134] 上述步骤(2)，电子传输层中添加配体和絮凝剂，配体为聚丙烯酸钠，絮凝剂为氯化钠，絮凝剂的浓度为30mmol/ml。退火后，将上述基体放入丙二醇溶剂中进行清洗，去除电子传输层中脱落的配体和絮凝剂。退火后再进行退火使得清洗溶剂蒸发，退火温度为70℃，退火时间为30min。其中，电子传输层中ZnO的浓度为40mmol/ml，配体的浓度为40mmol/ml，旋涂电子传输层的转速为3000r/min。
[0135] 实施例10：
[0136] (1)ITO清洗：将ITO玻璃片依次放入盛有丙酮、酒精和去离子水的烧杯，并将烧杯置于超声波清洗仪中，依次清洗10分钟。将洗过的ITO置于真空干燥箱中，烘干备用。
[0137] (2)在ITO导电玻璃上旋涂一层电子传输层ZnO。
[0138] (3)在电子传输层上旋涂一层空穴阻挡层。
[0139] (4)在空穴阻挡层上旋涂一层量子点发光层。
[0140] (5)在量子点发光层上旋涂一层空穴传输层。
[0141] (6)在空穴传输层上旋涂空穴注入层。
[0142] (7)在空穴注入层上，蒸镀一层Al电极。
[0143] 上述步骤(2)，电子传输层中添加配体和絮凝剂，配体为聚丙烯酸钠，絮凝剂为氯化钠，絮凝剂的浓度为30mmol/ml。退火后，将上述基体放入丙二醇溶剂中进行清洗，去除电子传输层中脱落的配体和絮凝剂。退火后再进行退火使得清洗溶剂蒸发，退火温度为60℃，退火时间为50min。其中，电子传输层中ZnO的浓度为50mmol/ml，配体的浓度为50mmol/ml，旋涂电子传输层的转速为5000r/min。
[0145] 应当理解，以上所述的仅是本发明的一些实施方式，应当指出，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明的创造构思的前提下，还可以做出其它变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。
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