Mapping data marking unit for semiconductor device
专利汇可以提供Mapping data marking unit for semiconductor device专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且PURPOSE: To prevent a die bonder from deteriorating in bonding efficiency and to solve a complication of data management by a method wherein the mapping data of a semiconductor wafer are recorded in a pellet located at the corner of the semiconductor wafer.
CONSTITUTION: A P/W measured semiconductor wafer 4 is fixed on a suction head 11. Laser rays projected from a laser oscillation unit 8 are controlled in path by a galvano mirror 9. Reduced markings are recorded in such a manner that dots and lines are marked through the laser oscillation unit 8 and the galvano mirror 9. An address reference mark 10-1, a non-defective pellet mark 10-2, and a defective pellet 10-3 are marked on a semiconductor pellet 10 in reduction marking. By this setup, a die bonder can be prevented from deteriorating in efficiency and a complication of data management can be solved at the same time.
COPYRIGHT: (C)1993,JPO&Japio，下面是Mapping data marking unit for semiconductor device专利的具体信息内容。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置用マッピングデータ・マーキングユニットに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の半導体装置用マッピングテータ・
マーキングユニットは、図３に示す様に、半導体ウェハース４をハンドラーで保持しテスター１により半導体ウェハース内の各ペレットを測定し、その結果を測定結果メモリー媒体３に記憶させ、それによってマーキングプローバ１２で不良ペレットに不良マークを付けて、不良マーキング済み半導体ウェハース５を得ていた（以下この図３の方法を第１の方法と記す）。
【０００３】あるいは図４に示す様に、テスター２の測定結果をデータベース化し、Ｍ／ＴあるいはＦ／Ｄの様なメモリー媒体３に記録し、後工程であるダイボンディング装置１３まで伝達し、ここにおけるダイボンディング工程では上記測定結果のデータに基づき良品ペレットのみをピックアップしてリードフレーム（Ｌ／Ｆ）上にダイボンディングして半導体ペレットがダイボンディングされたリードフレーム１４を得ていた（以下この図４
の方法を第２の方法と記す）。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記第１の方法によれば、ダイボンディング工程にて全ての半導体ペレットの不良マークの有無確認を実施し、ダイボングの可・否判断をせねばならず、特に良品率の低い場合、ダイボンディング効率ダウンとなる問題が有った。
【０００５】一方第２の方法によれば、半導体ウェハース対データのマッチングを確実なものにする為に半導体ウェハース一枚一枚に型名、ロットＮＯ． ウェハースＮ
Ｏ． 等を記入する必要が有り、ダイボンディング工程までのデータ管理が煩雑となる問題が有った。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明のマッピングデータ・マーキングユニットは、マッピングデーターを各半導体ウェハースの一角の半導体ペレットを利用するという縮少マッピングデータ記録機能を有する。
【０００７】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明する。 図１はＰ／Ｗハンドラに縮少マーキングユニットを付属させた外観図を示す。
【０００８】測定未了の半導体ウェハース４はプローバステージ２へ運ばれ、テスター１による各半導体ペレットの良、不良の結果はケーブルによりメモリー媒体３へ記録される。
【０００９】１枚目の半導体ウェハースの測定が終了すると、半導体ウェハースはマーキングステージ１５へ運ばれる。 マーキングステージ１５では測定結果をメモリー媒体３からケーブル７を通して入手してマーキング作業を開始する。 そして不良ペレットに不良マークが付けられた半導体ウェハース５を得る。
【００１０】図２は本発明の縮少マーキングユニット部の拡大図（Ａ）であり、角の半導体ペレット１０をさらに拡大した平面図が（Ｂ）である。
【００１１】Ｐ／Ｗ測定済の半導体ウェハース４は吸着ヘッド（Ｘ・Ｙテーブル）１１上に固定されている。 レーザー発振ユニット８から発射されたレーザはガルバノミラー９により軌跡を制御される。 縮少マーキングはレーザー発振ユニット及びガルバノミラーにより点及び線をマーキングする。 図２の（Ｂ）を参照するに、１個の半導体ペレット１０の内にアドレス基準マーク１０−
１、良品ペレットマーク１０−２、不良ペレット１０−
３を縮少マーキングした例を示す。
【００１２】
【発明の効果】以上説明した様に本発明は、１枚の半導体ウェハース内の１角に、１枚の半導体ウェハース分のマッピングデータを１個のペレットに記録する。 これにより従来技術の、第１の方法の欠点である、ダイボンダーの効率ダウン第２の方法の欠点であるデーター管理の煩雑さを同時に解決できるという効果を有する。
【図１】本発明の一実施例のマッピングデータ、縮少マーキングユニット付プローバーの外観図。
【図２】縮少マーキングユニット分を示す図で、（Ａ）
は拡大図、（Ｂ）は１ペレット内の縮少マーキングを示す平面図。
【図３】ペレット１個１個にマーキングする方式の外観図。
【図４】従来技術のマッピングデータとしてダイボンディングまで送る方法を示す外観図。
１ テスター ２ ハンドラ ３ 測定結果メモリー媒体 ４ マーキング前の半導体ウェハース ５ マーキング済みの半導体ウェハース ６ ケーブル ７ ケーブル ８ レーザー発振ユニット ９ ガルバノミラー １０ 縮少マーキングされた半導体ペレット １０−１ 基準アドレスマーク １０−２ 良品マーク １０−３ 不良ペレット １１ 吸着テーブル（Ｘ・Ｙテーブル） １２ マーキングプローバー １３ ダイボンダー １４ ダイボンド済みの半製品（リードフレーム） １５ 縮少マーキングステージ １６ 制御されたレーザー光
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