首页 / 专利库 / 电子零件及设备 / 应变层 / 用以製造應變大塊矽及使用具矽鍺及/或碳化矽閘極應力工程之絕緣體上矽互補金氧半導體裝置之方法 METHODS FOR MANUFACTURING BULK SILICON AND SOI CMOS DEVICES BY GATE STRESS ENGINEERING WITH SIGE AND/OR SI:C

用以製造應變大塊矽及使用具矽鍺及/或化矽閘極應工程之絕緣體上矽互補金半導體裝置之方法 METHODS FOR MANUFACTURING BULK SILICON AND SOI CMOS DEVICES BY GATE STRESS ENGINEERING WITH SIGE AND/OR SI:C

阅读:645发布:2024-02-28

专利汇可以提供用以製造應變大塊矽及使用具矽鍺及/或化矽閘極應工程之絕緣體上矽互補金半導體裝置之方法 METHODS FOR MANUFACTURING BULK SILICON AND SOI CMOS DEVICES BY GATE STRESS ENGINEERING WITH SIGE AND/OR SI:C专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且本文揭示了用以製造大塊矽中無差排應 力 通道及使用具SiGe(矽鍺)及/或Si:C( 碳 化矽)閘極應力工程之SOI(絕緣體上矽)CMOS(互補金 氧 半導體)裝置之結構及方法。CMOS裝置包括:一大塊Si或SOI 基板 ;一位於該基板上之閘極介電層;及一SiGe及/或SiC堆疊閘極結構,其具有在該堆疊閘極結構中之SSi(應變矽)/SiGe或SSi/Si:C之界面處產生之應力。該堆疊閘極結構具有一位於該閘極介電層上之第一大晶粒尺寸Si或SiGe應力膜層、一位於該第一應力膜層上之第二應變SiGe或應變Si:C應力膜層,及一位於該第二應力膜層上之諸如多晶Si之半導體或導體。,下面是用以製造應變大塊矽及使用具矽鍺及/或化矽閘極應工程之絕緣體上矽互補金半導體裝置之方法 METHODS FOR MANUFACTURING BULK SILICON AND SOI CMOS DEVICES BY GATE STRESS ENGINEERING WITH SIGE AND/OR SI:C专利的具体信息内容。

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