半導体装置
阅读：1发布：2020-08-28
专利汇可以提供半導体装置专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且半導体装置（１００）は、を持つ半導体 基板 （４）上に形成されたｎ型のドリフト層（１）と、ドリフト層（１）内に形成された複数のｐ型ピラー領域（２）と、ｐ型ピラー領域（２）を含むドリフト層（１）の上に形成された表面電極（５）とを備える。複数のｐ型ピラー領域（２）のうち、活性領域（１１）に設けられたｐ型ピラー領域（２）は、一定方向に伸び、且つ、活性領域（１１）のコーナー部では当該コーナー部の屈曲方向へ湾曲している。また、複数のｐ型ピラー領域（２）のうち、活性領域（１１）を取り囲む終端領域に設けられたｐ型ピラー領域（２）は、終端領域の内周側から外周側へ向かう方向に伸び、且つ、終端領域のコーナー部では終端領域の内周側から外周側へと広がる放射状に配設されている。，下面是半導体装置专利的具体信息内容。
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