埋め込みゲート型炭化珪素静電誘導トランジスタおよびその製造方法
专利汇可以提供埋め込みゲート型炭化珪素静電誘導トランジスタおよびその製造方法专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且 本発明の埋め込みゲートＳｉＣ－ＳＩＴは、第１伝導型の高濃度ＳｉＣ 基板 上（２）に形成された第１伝導型のドリフト層（３）と、該ドリフト層上に略平行な横方向に隣接して配列された第２伝導型の高濃度ゲート領域（５）及び第１伝導型の低濃度チャネル領域（４）と、該高濃度ゲート領域及び低濃度チャネル領域上に形成された第１伝導型層（７）と、該第１伝導型層上に形成された第１伝導型の高濃度ソース領域（８）からなるトランジスタ構造を備えている。そして、該トランジスタ構造はノーマリーオフ型であって、その降伏電圧及び特性オン抵抗がそれぞれ６００Ｖ以上及び４．０ｍΩｃｍ ２ 以下の特性を有するように、上記のトランジスタ構造の導通特性および降伏特性を半導体デバイスシミュレーションを用いて解析することによって、上記の低濃度チャネル領域の長さ、半幅及び不純物濃度が決定される。，下面是埋め込みゲート型炭化珪素静電誘導トランジスタおよびその製造方法专利的具体信息内容。
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