专利汇可以提供一种电荷补偿结构半导体晶片及其制备方法专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且本 发明 公开了一种电荷补偿结构 半导体 晶片 ,在半导体 漂移层 中引入了条状浮空的电荷补偿结构,通过两次或三次 刻蚀 外延 工艺,形成在垂直方向上具有较大高宽比的电荷补偿结构,提高了晶片反向阻断特性;本发明还提供了一种电荷补偿结构 半导体晶片 的制备方法。,下面是一种电荷补偿结构半导体晶片及其制备方法专利的具体信息内容。
1.一种电荷补偿结构半导体晶片,其特征在于:包括:
第一漂移层,为条状第一导电类型半导体材料与条状第二导电类型半导体材料交替排列构成;
中间层,位于第一漂移层之上,为第一导电类型半导体材料构成;
第二漂移层,位于中间层之上,为条状第一导电类型半导体材料与条状第二导电类型半导体材料交替排列构成;
第一漂移层和第二漂移层中的第二导电类型半导体材料在器件表面投影相互交替排列。
2.如权利要求1所述的半导体晶片,其特征在于:所述的中间层中的第一导电类型半导体材料的杂质掺杂浓度与第一漂移层和第二漂移层中第一导电类型半导体材料的杂质掺杂浓度相同。
3.如权利要求1所述的半导体晶片,其特征在于:所述的第一漂移层和第二漂移层中的条状第二导电类型半导体材料具有不相同的宽度和高度。
4.如权利要求1所述的半导体晶片,其特征在于:所述的第二漂移层表面设置有第二中间层和第三漂移层。
5.如权利要求1所述的一种电荷补偿结构半导体晶片的制备方法,其特征在于:包括如下步骤:
1)在衬底层表面形成第一导电类型半导体材料外延层;
2)在外延层中形成多个沟槽;
3)通过外延层生长形成第二导电类型半导体材料外延层,对表面进行平整化处理;
4)再次进行第一导电类型半导体材料外延,在表面形成多个沟槽,在沟槽内外延生长第二导电类型半导体材料,进行表面平整化工艺。
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