显示装置及其制造方法
阅读：55发布：2020-05-08
专利汇可以提供显示装置及其制造方法专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且公开了显示装置和显示装置的制造方法。显示装置包括第一衬底。晶体管布置在第一衬底上。发光元件连接到晶体管。绝缘层布置在晶体管与发光元件之间。第二衬底至少部分地与第一衬底重叠。 颜色 转换层布置在第二衬底上。绝缘层包括第一绝缘层和第二绝缘层。第一绝缘层与第一衬底之间的距离小于第二绝缘层与第一衬底之间的距离。第一绝缘层包括阻光材料。，下面是显示装置及其制造方法专利的具体信息内容。
1.显示装置，包括：
第一衬底；
晶体管，所述晶体管布置在所述第一衬底上；
发光元件，所述发光元件连接到所述晶体管；
绝缘层，所述绝缘层布置在所述晶体管与所述发光元件之间；
第二衬底，所述第二衬底至少部分地与所述第一衬底重叠；以及
颜色转换层，所述颜色转换层布置在所述第二衬底上，
其中，所述绝缘层包括第一绝缘层和第二绝缘层，
其中，所述第一绝缘层与所述第一衬底之间的距离小于所述第二绝缘层与所述第一衬底之间的距离，以及
其中，所述第一绝缘层包括阻光材料。
2.如权利要求1所述的显示装置，还包括：
滤色器层，所述滤色器层布置在所述第二衬底与所述颜色转换层之间。
3.如权利要求2所述的显示装置，其中，所述发光元件发射蓝色光。
4.如权利要求3所述的显示装置，其中，从所述发光元件发射的所述蓝色光依次透过所述颜色转换层和所述滤色器层，且然后发射到所述显示装置的外部。
5.如权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一绝缘层的厚度在2μm至4μm的范围内，并且所述第二绝缘层的厚度在2μm至4μm的范围内。
6.如权利要求1所述的显示装置，其中，所述绝缘层的厚度在4μm至8μm的范围内。
7.如权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一衬底包括非显示区域，所述晶体管布置在所述第一衬底的所述非显示区域中，并且所述绝缘层布置在所述非显示区域的所述晶体管上。
8.如权利要求1所述的显示装置，其中，所述发光元件包括第一电极、发光元件层和第二电极，所述第一电极为依次堆叠有透明导电氧化物层、金属层和透明导电氧化物层的三层结构，并且所述金属层的厚度在 至 的范围内。
9.如权利要求8所述的显示装置，其中，所述绝缘层包括开口，所述第一电极和所述晶体管在所述开口中彼此接触，所述第一电极在所述开口中具有台阶形区，并且所述第一电极的所述台阶形区上方布置有平坦化层。
10.显示装置的制造方法，包括以下步骤：
在第一衬底上形成晶体管；
在所述晶体管上形成包括阻光材料的第一绝缘层；
在所述第一绝缘层上形成配置成透射光的第二绝缘层；
使用单个掩模对所述第一绝缘层和所述第二绝缘层图案化以在所述第一绝缘层和所述第二绝缘层中形成开口；以及
形成通过所述开口连接到所述晶体管的第一电极。
显示装置及其制造方法
[0001] 相关申请的交叉引用
技术领域
[0003] 本公开涉及显示装置，并且更具体地，涉及在布置在晶体管与发光元件之间的绝缘层中具有阻光材料的显示装置及其制造方法。
背景技术
[0007] 显示装置包括第一衬底。晶体管布置在第一衬底上。发光元件连接到晶体管。绝缘层布置在晶体管与发光元件之间。第二衬底至少部分地与第一衬底重叠。颜色转换层布置在第二衬底上。绝缘层包括第一绝缘层和第二绝缘层。第一绝缘层与第一衬底之间的距离小于第二绝缘层与第一衬底之间的距离。第一绝缘层包括阻光材料。
[0008] 显示装置的制造方法包括在第一衬底上形成晶体管。在晶体管上形成包括阻光材料的第一绝缘层。在第一绝缘层上形成第二绝缘层。第二绝缘层配置成透射光。使用单个掩模对第一绝缘层和第二绝缘层图案化以在第一绝缘层和第二绝缘层中形成开口。形成第一电极。第一电极通过开口连接到晶体管。
[0009] 显示装置包括第一衬底。半导体层布置在第一衬底上。层间绝缘层布置在半导体层上。源电极和漏电极布置在层间绝缘层上。绝缘层布置在源电极和漏电极上。第一电极布置在绝缘层上。层间绝缘层和/或绝缘层包括阻光材料。附图说明
[0010] 当结合附图考虑时，通过参考以下详细描述，本公开的更完整的理解及其许多附带的方面将容易地获得同时变得更好理解，在附图中：
[0011] 图1是示出根据本发明的示例性实施方式的显示装置的示意图；
[0013] 图3是示出与光的颜色有关的阈值电压的变化量(△Vth)的曲线图；
[0014] 图4是示意性地示出根据本发明的示例性实施方式的显示面板的俯视图；
[0015] 图5是沿图4的线V-V'截取的剖面图；
[0016] 图6是根据本发明的示例性实施方式的显示装置中沿图4的线V-V'截取的剖面图；
[0017] 图7是根据本发明的示例性实施方式的显示装置中沿图4的线V-V'截取的剖面图；
[0018] 图8是根据本发明的示例性实施方式的显示装置中沿图4的线V-V'截取的剖面图；
[0019] 图9是示出根据本发明的示例性实施方式的显示装置的剖面图；以及[0020] 图10至图15是示出用于制造图9的显示面板的工艺的剖面图。
具体实施方式
[0021] 在下文中，将参考示出了本发明的示例性实施方式的附图，对本发明进行更加全面的描述。本领域普通技术人员将理解，所描述的实施方式可以以各种不同的方式进行修改，所有修改均不背离本发明的精神或范围。
[0023] 另外，为了更好地理解和描述的便利，附图中所示的每个配置的尺寸和厚度可被放大，并且本发明并不必限于所示的精确配置。例如，在附图中，为了清楚起见，层、膜、面板、区等的厚度可被放大。
[0024] 应理解，当诸如层、膜、区或衬底的元件被称为“在”另一元件“上”时，该元件可直接在另一元件上，或者也可存在有中间元件。
[0025] 参考附图对根据本发明的示例性实施方式的显示装置进行详细描述。图1是示出根据本发明的示例性实施方式的显示装置的示意图。
[0026] 参照图1，根据本发明的示例性实施方式的显示装置，包括第一衬底110和至少部分地与第一衬底110重叠的第二衬底210。第一衬底110是显示面板100的一部分。显示面板100还包括发光元件层370。第二衬底210是颜色转换面板300的一部分。颜色转换面板300还包括滤色器230和颜色转换层330。
[0027] 在显示面板100中，晶体管TFT连接到布置在第一衬底110上的第一电极191，并且绝缘层180布置在第一电极191与第一衬底110之间。绝缘层180可包括有机材料。
[0028] 绝缘层180包括第一绝缘层181和第二绝缘层182，并且第一绝缘层181包括不透光的材料或者自身是不透光的(例如，其吸收或反射光)。例如，第一绝缘层181可包括黑色矩阵材料。如稍后将详细描述的，通过阻挡光，第一绝缘层181可防止晶体管TFT被从发光元件层370发射的光损坏。
[0029] 参照图1，包括开口的分隔壁380布置在第一电极191处，并且第二电极270布置在分隔壁380上方。发光元件层370布置在分隔壁380的开口处。发光元件层370通过保持第一电极191与第二电极270之间的电压差而发光。
[0030] 绝缘层180在第一电极191与晶体管TFT彼此接触的区处被去除(或以其它方式省略)，从而形成开口。第一电极191的布置在绝缘层180的开口处的一部分相对于第一电极191的其它部分凹陷，以使得发生台阶。平坦化层381可布置在台阶区处，以使得平坦化层
381的顶表面与第一电极191的上述其它部分的顶表面处于平面中。平坦化层381包括与分隔壁380相同的材料，并且可通过与分隔壁380相同的工艺形成。平坦化层381补偿第一电极
191的台阶，从而使发光元件层370布置在平坦表面上。当平坦化层381被省略时，发光元件层370的上表面可能不是平坦的。然而，这仅是示例，并且平坦化层381可被省略。
381的顶表面与第一电极191的上述其它部分的顶表面处于平面中。平坦化层381包括与分隔壁380相同的材料，并且可通过与分隔壁380相同的工艺形成。平坦化层381补偿第一电极
191的台阶，从而使发光元件层370布置在平坦表面上。当平坦化层381被省略时，发光元件层370的上表面可能不是平坦的。然而，这仅是示例，并且平坦化层381可被省略。
[0031] 封装层390可布置在第二电极270上。封装层390可包括交替地堆叠的有机层和无机层。
[0032] 在颜色转换面板300中，滤色器230布置在第二衬底210下方。在这种情况下，滤色器230布置在第一衬底110与第二衬底210之间。阻光构件220布置在滤色器230与第二衬底210之间，并且阻光构件220可与滤色器230部分地重叠。
[0033] 滤色器绝缘层250布置在滤色器230和阻光构件220下方。颜色转换层330布置在滤色器绝缘层250下方。例如，滤色器绝缘层250布置在颜色转换层330与滤色器230之间。颜色转换层330可布置成至少部分地与滤色器230重叠。
[0034] 颜色转换层330可包括量子点，并且颜色转换层330可配置成将入射光转换为不同的颜色。颜色转换层330可包括绿色转换层、红色转换层和透射层。从发光元件层370发射的蓝色光可分别被颜色转换为绿色或红色，或者蓝色光可按原样地透射。
[0035] 绿色转换层可至少部分地与绿色滤色器重叠，红色转换层可至少部分地与红色滤色器重叠，并且透射层可至少部分地与蓝色滤色器重叠。
[0036] 平坦化层350可布置在颜色转换层330下方。平坦化层350可与封装层390接触。
[0037] 例如，在根据本发明的示例性实施方式的显示装置中，将包括发光元件层370的显示面板100和包括颜色转换层330的颜色转换面板300组合。从发光元件层370发射蓝色光。蓝色光在穿过颜色转换层330的同时在每个颜色转换层中被颜色转换为红色和绿色，并且在透射层中透射为蓝色。
[0038] 在穿过颜色转换层330的光再次穿过每个滤色器时，颜色纯度增加。而且，滤色器230防止从外部入射的光在颜色转换层330中经历颜色转换。
[0039] 如上所述，在根据本发明的示例性实施方式的显示装置中，从发光元件层370发射的蓝色光在穿过颜色转换层330和滤色器230的同时被发射到外部，以使得可提供具有更高色纯度的显示装置。
[0040] 然而，在颜色转换层330中被颜色转换的光在所有方向上发射。因此，如所期望的那样，经颜色转换的光中的一部分被发射到显示装置的内部而不是发射到外部，并且当发射到显示装置内部的光进入晶体管时，其可能影响晶体管的阈值电压。
[0041] 图2是示出相对于曝光时间的阈值电压的变化量(△Vth)的曲线图。参照图2，随着开关晶体管SW_TR中的曝光时间增加，阈值电压的变化量(△Vth)增加。图3是示出相对于光的颜色的阈值电压的变化量(△Vth)的曲线图。参照图3，当蓝色光入射时，阈值电压的变化量(△Vth)看起来最大。
[0042] 在没有颜色转换层的普通有机发光二极管(OLED)装置的情况下，从发光元件层370发射的光主要在前表面中(在远离第一衬底110的方向上)发射。在后表面中(在朝向第一衬底110的方向上)发射的光被第一电极191反射并且再次朝向前表面发射。因此，从发光元件层370发射的光不会显著影响晶体管。
[0043] 然而，在包括颜色转换层330的显示装置的情况下，从发光元件层370发射的光主要发射到前表面，但是在颜色转换层330中被颜色转换的光在包括前表面的所有方向上发射。因此，从颜色转换层330发射的光可入射在晶体管上，以使得晶体管的阈值电压改变，并且可能降低装置的可靠性。
[0044] 然而，在根据本发明的示例性实施方式的显示装置中，布置在第一电极191与第一衬底110之间的绝缘层180包括第一绝缘层181和第二绝缘层182，并且第一绝缘层181包括不透光的材料。因此，发射到颜色转换层330中的后表面的光被第一绝缘层181阻挡，并且不到达晶体管TFT。因此，可防止晶体管TFT的阈值电压偏移。
[0045] 第一绝缘层181的厚度可在2μm至4μm的范围内。第二绝缘层182的厚度可在2μm至4μm的范围内。因此，绝缘层180的厚度可在4μm至8μm的范围内。
[0046] 如果通过涂层形成的绝缘层的厚度增加，则可能难以均匀地涂覆绝缘层。因此，难以将绝缘层形成得超过预定厚度。通常，作为单层的绝缘层的厚度为约3μm。
[0047] 然而，在根据本发明的示例性实施方式的显示装置的情况下，绝缘层180是第一绝缘层181和第二绝缘层182的双层结构。因此，由于通过两次涂覆工艺形成绝缘层180，因此绝缘层180可形成为厚的。如果绝缘层180变厚，则可减少第一电极191与下层结构之间的电容，从而增加设计的自由度。
[0048] 图1以简化方式示出了显示装置，并且示出了布置在第一衬底110与第一电极191之间的绝缘层180阻挡光的配置。然而，阻光层不限于绝缘层180。布置在第一电极191与第一衬底110之间并且布置成比晶体管TFT的半导体层更远离第一衬底110的绝缘层180可包括阻光材料而没有限制。
[0049] 图1示出了绝缘层180包括用于阻挡光的第一绝缘层181和用于透射光的第二绝缘层182的配置。然而，整个绝缘层180可配置成用于阻挡光。包含透射光的第二绝缘层182可提供与第一电极191更好的表面特性，因此可包括第二绝缘层182。如果绝缘层180包括阻光材料，则可变化表面粘附特性，但是对于不包括阻光材料的传统绝缘层而言，不会减少表面粘附特性。
[0050] 接着，参考详细的附图对根据本发明的示例性实施方式的显示面板100进行详细描述。在下文中对显示面板100的配置进行描述，并且颜色转换面板300的配置与图1的配置相同。
[0051] 图4是示意性地示出根据本发明的示例性实施方式的显示面板的俯视图。图5是沿图4的线V-V'截取的剖面图。
[0052] 在附图中，示出了显示区域的每个像素包括两个薄膜晶体管(TFT)T1和T2以及一个电容元件C1的2Tr-1Cap结构的有源矩阵(AM)发光显示装置，但是本发明不限于此。相应地，发光装置可在一个像素中提供三个或更多个晶体管和两个或更多个电容元件，并且可进一步形成有单独的布线，以使得其可具有各种结构。此处，像素是用于显示图像的最小单位，并且显示区域通过多个像素显示图像。
[0053] 参照图4和图5，根据本发明的示例性实施方式的显示装置，包括分别形成在布置于衬底110上的多个像素中的开关薄膜晶体管T1、驱动薄膜晶体管T2、电容元件C1和发光元件E1。在衬底110上，沿一个方向布置有栅极线121，并且布置有与栅极线121相交的数据线171和公共电源线172。此处，每个像素可由栅极线121、数据线171和公共电源线172的边界限定，但是本发明不限于此。
[0054] 发光元件E1包括第一电极191、形成在第一电极191上的发光元件层370和形成在发光元件层370上的第二电极270。
[0055] 此处，第一电极191成为作为空穴注入电极的阳极，并且第二电极270成为作为电子注入电极的阴极。然而，本发明不限于此，取决于显示装置的驱动方法，第一电极191可成为阴极，并且第二电极270可成为阳极。第一电极191可为像素电极，并且第二电极270可为公共电极。
[0056] 发光元件层370可包括空穴注入层、空穴传输层、发射层、电子传输层和/或电子注入层。发射层可为有机发射层，并且注入的空穴和电子彼此结合以形成激子。当激子从激发态跃迁至基态时，发生光的发射。而且，发射层可包括量子点以生成期望的光谱。
[0057] 电容元件C1包括一对电容板158和178。层间绝缘层160可介于电容板158和178之间。此处，层间绝缘层160成为电介质材料。电容由电容元件C1中的电荷和一对电容板158和178之间的电压来确定。
[0058] 开关薄膜晶体管T1包括开关半导体层151、开关栅电极122、开关源电极176和开关漏电极177。驱动薄膜晶体管T2包括驱动半导体层155、驱动栅电极124、驱动源电极173和驱动漏电极175。
[0059] 开关薄膜晶体管T1用作用于开关待发射的像素的开关元件。开关栅电极122连接到栅极线121，并且开关源电极176连接到数据线171。开关漏电极177与开关源电极176分离，并且连接到一个电容板158。
[0060] 驱动薄膜晶体管T2向第一电极191施加驱动电力以用于使打开的像素内的发光元件E1的发光元件层370发射。驱动栅电极124连接到与开关漏电极177连接的电容板158。驱动源电极173和另一电容板178分别连接到公共电源线172。
[0061] 驱动漏电极175通过接触孔185连接到第一电极191。
[0062] 现在将参考图5以及图4对根据本发明的示例性实施方式的发光元件E1进行详细描述。
[0063] 缓冲层111布置在第一衬底110上。第一衬底110可由玻璃、石英、陶瓷、塑料等制成。缓冲层111可由氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)、氮氧化硅(SiOxNy)等制成，然而其不限于此。在本文中，x和y可各自表示1至5的整数。
[0065] 由氮化硅或氧化硅制成的栅极绝缘层140定位在驱动半导体层155上。驱动栅电极124和第一电容板158布置在栅极绝缘层140上。在这种情况下，驱动栅电极124与驱动半导体层155的至少一部分(例如，沟道区153)重叠。
[0066] 覆盖栅极绝缘层140的层间绝缘层160布置在驱动栅电极124上。与栅极绝缘层140相似，层间绝缘层160可由氮化硅或氧化硅形成。栅极绝缘层140和层间绝缘层160具有分别暴露驱动半导体层155的源区152和漏区154的第一接触孔163和第二接触孔165。
[0067] 驱动源电极173、驱动漏电极175、数据线171、公共电源线172和第二电容板178布置在层间绝缘层160上。驱动源电极173和驱动漏电极175分别通过第一接触孔163和第二接触孔165分别连接到驱动半导体层155的源区152和漏区154。
[0068] 覆盖驱动源电极173和驱动漏电极175的绝缘层180布置在层间绝缘层160上。绝缘层180可包括诸如聚丙烯系列、聚酰亚胺系列等的有机材料。
[0069] 绝缘层180包括第一绝缘层181和第二绝缘层182，并且第一绝缘层181包括不透光的材料。例如，第一绝缘层181可包括黑色矩阵材料。第二绝缘层182是透明的并且可透射光。
[0070] 第一绝缘层181布置成比第二绝缘层182更靠近第一衬底110。由于第一绝缘层181不透射光，因此可防止从发光元件层370发射的光和从布置在颜色转换面板300中的颜色转换层330发射的光入射到驱动半导体层155和开关半导体层151上。因此，可防止由于驱动半导体层155和开关半导体层151的曝光引起的阈值电压偏移。
[0071] 绝缘层180具有接触孔185。第一电极191布置在绝缘层180上。第一电极191可为像素电极。第一电极191通过接触孔185连接到驱动漏电极175。
[0072] 分隔壁380布置在绝缘层180上，并且移除或省略分隔壁380的部分，从而限定开口。在开口中，发光元件层370与第一电极191重叠，并且第二电极270与发光元件层370重叠。发光元件层370可包括空穴注入层、空穴传输层、发射层、电子传输层和/或电子注入层。第二电极270可为公共电极。发光元件E1包括第一电极191、发光元件层370和第二电极270。
[0073] 第一电极191可具有透明导电氧化物/金属/透明导电氧化物的三层结构。当第一电极191包括金属时，从发光元件层370发射的光被第一电极191反射并且被发射到前表面。例如，第一电极191可具有ITO/Ag/ITO的结构。
[0074] 在这种情况下，Ag层的厚度可为 至 当Ag层变厚时，第一电极191阻挡光，以使得可减少入射到半导体层的光量。随着Ag层厚度的增加，表面粗糙度增加并且反射率降低。作为实验结果，当Ag层的厚度为 时，反射率为296,700cd/m2，但当Ag层的厚度为 时，反射率降低至276,400cd/m2。因此，可能不期望增加Ag层的厚度。
[0075] 因此，当Ag层的厚度大于 时，由于增加的表面粗糙度，反射率降低并且显示装置的效率降低。然而，当Ag层的厚度小于 时，从发光元件层370发射的光可透过第一电极191并且入射到半导体层中。在这种情况下，半导体层的阈值电压改变并且可降低装置的可靠性。
[0076] 然而，在根据本发明的示例性实施方式的显示装置的情况下，由于绝缘层180布置在第一电极191与包括配置成阻挡光的第一绝缘层181的半导体层之间，因此第一绝缘层181可防止穿过第一电极191的光入射到半导体层。
[0077] 接着，对根据本发明的示例性实施方式的显示装置进行描述。图6是根据本发明的示例性实施方式的显示装置中的沿线V-V'截取的剖面图。参照图6，根据本发明的示例性实施方式的显示装置具有与图5中所示的绝缘层180和阻光绝缘层161不同的配置。对于相同的构成元件的详细描述被省略。
[0078] 参照图6，在根据本发明的示例性实施方式的显示装置中，绝缘层180是单层。然而，代替具有图5的层间绝缘层160，如图6中所示，布置有阻光绝缘层161。阻光绝缘层161包括阻光材料，因此防止从发光元件层370和颜色转换层330发射的光入射到半导体层。
[0079] 此处，绝缘层180可包括阻光材料。当绝缘层180包括阻光材料时，阻光效应增加，并且当绝缘层180不包括阻光材料时，与第一电极191的表面粘附特性可为优异的。
[0080] 在显示面板中，如图5中所示，层间绝缘层160包括无机材料，然而图6中所示的显示面板包括有机材料的阻光绝缘层161而不是无机材料的层间绝缘层160。因此，当显示面板应用于柔性显示装置等时，阻光绝缘层161可柔性地弯曲而不会破裂或断裂。
[0081] 图7是沿线V-V'截取的剖面图。在图7的方案中，层间绝缘层160的配置与上面所示的不同。对于相同的构成元件的详细描述被省略。
[0082] 参照图7，在根据本发明的示例性实施方式的显示装置中，层间绝缘层160由阻光绝缘层161和透光绝缘层162的双层形成。如图6中那样，阻光绝缘层161阻挡从发光元件层370和颜色转换层330入射的光。而且，透光绝缘层162透射光并且提供与数据线171和公共电源线172的优异的表面粘附性，而这将在后面进行描述。
[0083] 图8是示出阻光绝缘层161的不同配置的沿线V-V'截取的剖面图。对于相同的构成元件的详细描述被省略。
[0084] 在图8的显示面板中，布置有阻光绝缘层161来代替图5的层间绝缘层160。阻光绝缘层161包括阻光材料，并且相应地，防止从发光元件层370和颜色转换层330发射的光入射到半导体层。在图8的情况下，由于从发光元件层370和颜色转换层330发射的光被第一绝缘层181阻挡一次，且然后被阻光绝缘层161再次阻挡，因此能够更有效地防止光进入半导体层。
[0085] 在下文中，将参考图9对根据本发明的示例性实施方式的显示面板进行描述。图9的显示面板的主要特征与图4至图8的显示面板的特征相似。然而，图9的显示面板的堆叠结构与图4至图8的结构部分不同。在下文中，基于与图4至图8的差异来对图9的示例性实施方式进行描述。
[0086] 参照图9，根据本发明的示例性实施方式的显示装置，包括第一衬底110、缓冲层111、驱动半导体层155、开关半导体层151、栅极绝缘层140、包括驱动栅电极124、开关栅电极122和电容板158的栅极导体以及包括驱动源电极173、驱动漏电极175、开关源电极176和开关漏电极177的数据导体，并且其描述与图4至图8中的描述相同。对于相同的构成元件的详细描述被省略。
[0087] 参照图9，电压传输导体布置在包括驱动源电极173、驱动漏电极175、开关源电极176和开关漏电极177的数据导体上。
[0088] 电压传输导体包括与驱动源电极173重叠并连接到驱动源电极173的ELVDD线173a、与开关源电极176重叠并连接到开关源电极176的数据电压线171a和与驱动漏电极
175重叠并连接到驱动漏电极175的连接电极178a。
175重叠并连接到驱动漏电极175的连接电极178a。
[0089] 像素绝缘层280布置在电压传输导体上。像素绝缘层280包括第一像素绝缘层281和第二像素绝缘层282。第一像素绝缘层281布置成比第二像素绝缘层282更靠近第一衬底110。
[0090] 第一像素绝缘层281的厚度可在2μm至4μm的范围内。而且，第二像素绝缘层282的厚度可在2μm至4μm的范围内。像素绝缘层280的整个厚度可在4μm至8μm的范围内。
[0091] 第一像素绝缘层281包括不透光的材料。相应地，防止从发光元件层370发射的光入射到半导体层上。第二像素绝缘层282可透射光。第二像素绝缘层282增加与其后布置的第一电极191的表面粘附力。
[0092] 去除与连接电极178a重叠的区的像素绝缘层280，以使得连接电极178a的一部分不被像素绝缘层280覆盖。
[0093] 连接电极178a可包括三层结构的金属。例如，可包括Ti/Al/Ti结构的金属，并且每层的厚度可为 然而，这仅是示例，并且本发明不限于此。连接电极178a可具有 或更大的厚度。因此，即使连接电极178a未被像素绝缘层280覆盖，连接电极178a也可阻挡光。
[0094] 接着，第一电极191布置在像素绝缘层280上。第一电极191与未被像素绝缘层280覆盖的区的连接电极178a接触以接收电压。第一电极191可为像素电极。
[0095] 分隔壁380布置在第一电极191上。像素绝缘层280在第一电极191与连接电极178a彼此接触的区中被去除，以使得形成凹槽。包括与分隔壁380相同的材料的平坦化层381布置在凹槽的第一电极191上。平坦化层381对第一电极191的台阶进行补偿，并因此平坦化第一电极191的台阶，以将发光元件层370布置在平坦表面上。
[0096] 发光元件层370布置在第一电极191上。发光元件层370可包括空穴注入层、空穴传输层、发射层、电子传输层和/或电子注入层。
[0097] 第二电极270布置在发光元件层370上。第二电极270可为公共电极。
[0098] 例如，在图9的显示装置的情况下，电压传输导体层布置在绝缘层180上，像素绝缘层280布置在电压传输导体层与第一电极191之间，并且像素绝缘层280包括配置成用于阻挡光的第一像素绝缘层281。相应地，可防止从发光元件层370和颜色转换层330发射的光入射到半导体层。图9示出了像素绝缘层280包括阻光层的配置，但是附加地，绝缘层180和层间绝缘层160也可包括阻光层。
[0099] 接着，基于像素绝缘层280的形成过程，参考图10至图15对根据本发明的示例性实施方式的制造显示面板的工艺进行描述。图10至图15是用于制造图9的显示面板的工艺剖面图。
[0100] 参照图10，形成第一衬底110。在第一衬底110上形成缓冲层111。然后在缓冲层111上形成包括驱动半导体层155和开关半导体层151的半导体层。然后形成覆盖半导体层和缓冲层111的栅极绝缘层140。然后在栅极绝缘层140上方形成包括驱动栅电极124、开关栅电极122和电容板158的栅极导体。在栅极导体上形成包括驱动源电极173、驱动漏电极175、开关源电极176和开关漏电极177的数据导体。在数据导体上形成电压传输导体，电压传输导体包括与驱动源电极173重叠以彼此连接的ELVDD线173a、与开关源电极176重叠以彼此连接的数据电压线171a以及与驱动漏电极175重叠以彼此连接的连接电极178a。可通过本领域的普通方法准备图10的显示面板制造工艺。
[0101] 接着，参照图11，在显示面板的整个表面上涂覆包括阻光材料的第一像素绝缘层281。在这种情况下，第一像素绝缘层281可包括与阻光构件相同的材料。
[0102] 接着，参照图12，形成第二像素绝缘层282。第二像素绝缘层282可为透明的。
[0103] 接着，参照图13，通过使用掩模800(例如用紫外(UV)光)对像素绝缘层280进行图案化。使用一个掩模800通过单个工艺图案化第一像素绝缘层281和第二像素绝缘层282。通过图案化工艺去除与连接电极178a重叠的像素绝缘层280，以使得连接电极178a被暴露。由于第一像素绝缘层281和第二像素绝缘层282使用一个掩模800通过单个工艺被图案化，因此第一像素绝缘层281的边缘和第二像素绝缘层282的边缘可在开口中布置在相同的线上。
[0104] 接着，参照图14，在像素绝缘层280上形成第一电极191。第一电极191在像素绝缘层280的开口中与连接电极178a接触。
[0105] 接着，参照图15，形成分隔壁380和平坦化层381。分隔壁380与第一电极191的一部分重叠，并且主要形成在未形成有第一电极191的区中。平坦化层381在像素绝缘层280下方与像素绝缘层280的开口重叠的同时使由于开口而导致的台阶变平且平坦化。分隔壁380和平坦化层381可在完全涂覆分隔壁材料之后用一次图案化工艺通过单个工艺形成。
[0106] 接着，如图9中所示，形成发光元件层370和第二电极270，从而制造显示面板。
[0107] 图10至图15描述了制造显示面板的方法，其中，像素绝缘层280包括第一像素绝缘层281和第二像素绝缘层282，然而绝缘层180、层间绝缘层160等可通过与像素绝缘层280的制造方法相似的方法制造。例如，当绝缘层180具有第一绝缘层181和第二绝缘层182的双层结构时，如图10至图15中所示，第一绝缘层181和第二绝缘层182依次涂覆并且可使用一个掩模800通过图案化工艺形成。同样地，当层间绝缘层160具有阻光绝缘层161和透光绝缘层162的双层结构时，阻光绝缘层161和透光绝缘层162依次涂覆并且可使用一个掩模800通过图案化工艺形成。
[0108] 因此，不需要单独的图案化工艺，并且可简化制造工艺。
[0109] 如上所述，根据本发明的示例性实施方式的显示装置，包括显示面板，显示面板包括发光元件和布置有滤色器和颜色转换层的颜色转换面板。因此，通过颜色转换层和滤色器可在从发光元件发光的同时增加显示装置的色纯度。
[0110] 然而，由于在颜色转换层中被颜色转换的光在所有方向上发射并且具有高能量的蓝色光在发光元件中发射，因此该光入射到半导体层，以使得半导体层的阈值电压可偏移。然而，在根据本发明的示例性实施方式的显示装置中，由于布置在半导体层与第一电极之间的绝缘层包括阻光绝缘层，因此防止在发光元件层或颜色转换层中发射的光入射到半导体层。相应地，可防止阈值电压的偏移并且可增加显示装置的可靠性。
[0111] 在上文中，主要描述了布置在显示装置的显示区域中的晶体管，然而，包括阻光绝缘层的绝缘层也可应用于布置在非显示区域中的ASG晶体管或ESD晶体管。发光元件层或颜色转换层不布置在非显示区域的晶体管上，然而从布置在显示区域中的发光元件层或颜色转换层发射的光可在侧部处入射。因此，即使在定位在非显示区域中的晶体管中也可能由于光而导致阈值电压波动。然而，根据本发明的示例性实施方式，当包括阻光绝缘层的绝缘层布置在布置于非显示区域中的晶体管上时，可防止阈值电压的偏移，并且可稳定地驱动显示装置。
[0112] 虽然已结合附图对本发明的示例性实施方式进行了描述，但是应理解，本发明不限于所公开的实施方式，而是旨在涵盖包括在本公开的精神和范围内的各种修改和等同布置。
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