1、一种基本放大器的制造技术，涉及高频、宽带、超线性、低噪声、高稳定、高可靠、深负反馈或以上性能任意组合的分立或集成、厚膜、薄膜生产方法，或者其中任意几种的组合生产法。本发明的特征在于控制分布参数，改善地线系统、元件紧密排列、改善变压器参数，使本发明的放大器可使用在近50GHZ或以下，从而使Kf·△f(闭环增益×有效使用带宽)和(1+Kβ)·△f(反馈深度×有效使用带宽)乘积增大。施以公知的二窄一宽与公知的波特校正法的折衷，可使本发明的放大器校正大为简化，适用于大规模生产，并可系列化设计与生产。适用于近50GHZ或以下的频率范围的各种用途。
2、按权项1所述的放大器，其进一步的特征在于：采用粗短导线或多层板技术，使地线系统的分布电感量在10-20～10-4H之间，而对于其它元件的分布电容在10-13～10-8F之间，可使反馈加深至少4%。
3、接权项1或2所述的放大器，其进一步的特征在于：采用改变变压器磁蕊形状或采用改变绕制方法或两者兼用之，使变压器的漏感与电感量之比为10-1～10-6之间，各相对分布电容在10-13F～10-8F（包括对地），可使反馈加深至少8%。
4、接权项1或3所述的放大器其进一步的特征在于，采用元件紧密排列，使总的环路长度为1～400mm之间，可使反馈至少增加12%。
5、接权项1或4所述的放大器，控制校正元件参数与晶体管参数使某一级的带宽为另二窄级的2-104倍，再同时加入波特校正法，使校正元件数降为波特法的98%～5%之间，最少为1～7个，可以只在某1～2个节点，插入串联吸收网络。
6、接权项1或5所述的放大器，其进一步的特征在于：由于使分布参数影响减小及校正元件减少而构成系列化简易校正法与系列化产品，从而达到理论与实际接近的效果。
7、按权项1或6所述的放大器，其进一步的特征在于，用于一级加三级或二级加二级或各种组合型。达到其一级加三级型的KfΔf和（1+Kβ）Δf优于二级加二级式。因其三级型的上述特性较波特三级型低5dB
8、按权项1所述的放大器，其进一步的特征在于，将其共发型改为共基或其它组合，可达到原来的效果。
9、按权项1所述的放大器，其进一步的特征在于：可变更输入输出端子。若输入改为第一级发射极入，可获得低阻抗等，或改变使用频带范围等。
10、按权项1所述的放大器，其进一步特征在于：在末级发射极加入R.L网络，可抗二次击穿，提高抗雷击性能。
11、按权项1所述的放大器，其进一步特征在于：采用变压器的反馈端子抽头下移或减小反馈阻抗对于输入、输出信号的分流之方法，可获得在3.1KHZ带宽，300°K室温，-137dB近的低噪声。如温度下降可按理论值下降。
12、按权项1所述的放大器，其进一步特征在于：本放大器可用晶体管或电子管或其它器件制造。
13、按权项1所述的放大器，其进一步特征在于：可通过改变反馈阻抗的方法改变增益与频响曲线。
14、按权项1所述的放大器，其进一步特征在于：由于大大减少元件数目或集成化生产，可提高抗加速性能。
15、按权项1所述的放大器，其进一步特征在于：由于大大减少了元件，如最少可为1-7个校正元件，从而提高可靠性与稳定性。
16、按权项1所述的放大器，其进一步特征在于：不使用变压器时，可同时加电流反馈与电压反馈，以获得定阻抗。
17、按权项1所述的放大器，其进一步特征在于：可以因无变压器而集成化，亦可获得-137dB的低噪声。
18、按权项17所述的放大器，其进一步特征在于：三级型的性能优于二级型。
19、按权项1所述的放大器。其进一步特征在于：采用部份或全部分隔或MOS高电场隔离法或三者兼之，可以进行集成、厚、薄膜化制造，以消除各种分布参数的影响。
20、按权项1所述的放大器，其进一步特征在于：对硅片计算机定位法镜检，剔除晶格差的生产方法，可得到高可靠性产品。
21、按权项1所述的放大器，其进一步特征在于：为控制分布参数，采用底座或其它部位上的散热金属片分层制造，且作为地线，作为纯散热用的。可以分块置于座子或其它部位，地线且可作屏敝用。
22、按权项1所述的放大器，其进一步特征在于：地线与蕊片间可加入任何导热性绝缘材料。
23、按权项1所述的放大器。其进一步特征在于：因其属于基本放大器类，可用于各种与放大有关的范围，只要采用本发明技术，使用于已有技术达不到的高频、高稳定、超越性、低噪声等由权项1所限的范围。
24、按权项1所述的放大器，其进一步的特征在于：采用单线包的变压器〔21〕，减少分布参数影响。
25、按权项2所述的放大器，其进一步的特征在于：多层板中，可有一层为地线，或部分作为地线。
26、按权项3所述的放大器，其进一步的特征在于：变压器的形状，在高频时，可将中间舌心开出大的气隙。
27、按权项1所述的放大器，其进一步的特征在于：可以将集成化、厚膜、薄膜、分立法任意组合制造。
28、对以上权项的任意组合。
29、一种基本放大器的制造技术。涉及高频、宽带、超线性、低噪声、高稳定、高可靠、深负反馈或以上性能任意组合的分立或集成厚膜、薄膜生产方法。或者其中任意几种的组合生产法。本发明的特征在于控制分布参数、改善地线系统、元件紧密排列、改善变压器参数，使本发明的放大器可使用在近50GHZ或以下，从而使Kf·Δf（闭环增益×有效使用带宽）和（1+Kβ）·Δf（反馈深度×有效使用带宽）乘积增大，分别施以公知的二窄一宽与波特法的折哀、二窄一宽法、波特法，可使本发明的放大器校正大为简化。适用于大规模生产，并可系列化设计与生产，适用于近50GHZ或以下频率范围的各种用途。且满足权项1或其各从属权项的任意组合要求。
按权项1所述的放大器，其进一步的特征在于：可适用于数字前置放大，因其具有低噪声，可变阻抗频宽可达50GHZ以下。〔图5〕
30、一种基本放大器的制造技术，涉及高频、宽带、超线性、低噪声、高稳定、高可靠、深负反馈或以上性能任意组合的分立或集成厚膜、薄膜生产方法，或者其中任意几种的组合生产法。本发明的特征在于控制分布参数、改善地线系统、元件紧密排列、改善变压器参数，使本发明的放大器可使用在50GHZ或以下。从而使Kf·Δf（闭环增益×有效使用带宽）和（1+Kβ）·Δf（反馈深度×有效使用带宽）乘积增大。分别施以公知的二窄一宽与波特法的折哀、二窄一宽法、波特法，可使本发明的放大器校正大为简化。适用于大规模生产，并可系列化设计与生产，适用于近50GHZ或以下频率范围的各种用途，且满足权项1或其各从属权项的任意组合要求。
按权项1所述的放大器，其进一步的特征在于：可适用于仪器仪表，因其性能稳定，可用于50GHZ以下。〔图5〕
31、一种基本放大器的制造技术，涉及高频、宽带、超线性、低噪声、高稳定、高可靠、深负反馈或以上性能任意组合的分立或集成厚膜、薄膜生产方法，或者其中任意几种的组合生产法。本发明的特征在于控制分布参数、改善地线系统、元件紧密排列、改善变压器参数。使本发明的放大器可使用在近50GHZ或以下。从而使Kf·Δf（闭环增益×有效使用带宽）和（1+Kβ）·Δf（反馈深度×有效使用带宽）乘积增大，分别施以公知的二窄一宽与波特法的折哀、二窄一宽法、波特法，可使本发明的放大器校正大为简化。适用于大规模生产，并可系列化设计与生产，适用于近50GHZ或以下频率范围的各种用途。且满足权项1或其各从属权项的任意组合要求。
按权项1所述的放大器，其进一步的特征在于：由于其低频处带内相移小，可用于解决音频电路的各种调制失真。〔图6〕
32、一种基本放大器的制造技术，涉及高频、宽带、超线性、低噪声、高稳定、高可靠、深负反馈或以上性能任意组合的分立或集成厚膜、薄膜生产方法，或者其中任意几种的组合生产法。本发明的特征在于控制分布参数、改善地线系统、元件紧密排列、改善变压器参数，使本发明的放大器可使用在50GHZ或以下。从而使Kf·Δf（闭环增益×有效使用带宽）和（1+Kβ）·Δf（反馈深度×有效使用带宽）乘积增大。分别施以公知的二窄一宽与波特法的折哀、二窄一宽法、波特法，可使本发明的放大器校正大为简化。适用于大规模生产，并可系列化设计与生产，适用于近50GHZ或以下频率范围的各种用途，且满足权项1或其各从属权项的任意组合要求。
按权项1所述的放大器，其进一步的特性在于：当缺口频率稍低时，可用于视频音频信号处理。〔图6〕
33、一种基本放大器的制造技术，涉及高频、宽带、超线性、低噪声、高稳定、高可靠、深负反馈或以上性能任意组合的分立或集成厚膜、薄膜生产方法，或者其中任意几种的组合生产法。本发明的特征在于控制分布参数、改善地线系统、元件紧密排列、改善变压器参数。使本发明的放大器可使用在近50GHZ或以下。从而使Kf·Δf（闭环增益×有效使用带宽）和（1+Kβ）·Δf（反馈深度×有效使用带宽）乘积增大，分别施以公知的二窄一宽与波特法的折哀、二窄一宽法、波特法，可使本发明的放大器校正大为简化。适用于大规模生产，并可系列化设计与生产，适用于近50GHZ或以下频率范围的各种用途。且满足权项1或其各从属权项的任意组合要求。
按权项1所述的放大器，其进一步特征在于：可用于各种时分、频分制系统中的分路线路放大器，或其它与放大有大的电路中。〔图1〕
34、一种基本放大器的制造技术，涉及高频、宽带、超线性、低噪声、高稳定、高可靠、深负反馈或以上性能任意组合的分立或集成厚膜、薄膜生产方法，或者其中任意几种的组合生产法。本发明的特征在于控制分布参数、改善地线系统、元件紧密排列、改善变压器参数，使本发明的放大器可使用在近50GHZ或以下。从而使Kf·Δf（闭环增益×有效使用带宽）和（1+Kβ）·Δf（反馈深度×有效使用带宽）乘积增大。分别施以公知的二窄一宽与波特法的折哀、二窄一宽法、波特法，可使本发明的放大器校正大为简化。适用于大规模生产，并可系列化设计与生产，适用于近50GHZ或以下频率范围的各种用途，且满足权项1或其各从属权项的任意组合要求。
按权项1所述的放大器，其进一步的特征在于：可用于自动控制系统，因其性能高度稳定。〔图5〕
35、一种基本放大器的制造技术，涉及高频、宽带、超线性、低噪声、高稳定、高可靠、深负反馈或以上性能任意组合的分立或集成厚膜、薄膜生产方法，或者其中任意几种的组合生产法。本发明的特征在于控制分布参数、改善地线系统、元件紧密排列、改善变压器参数。使本发明的放大器可使用在近50GHZ或以下。从而使Kf·Δf（闭环增益×有效使用带宽）和（1+Kβ）·Δf（反馈深度×有效使用带宽）乘积增大，分别施以公知的二窄一宽与波特法的折哀、二窄一宽法、波特法，可使本发明的放大器校正大为简化。适用于大规模生产，并可系列化设计与生产，适用于近50GHZ或以下频率范围的各种用途。且满足权项1或其各从属权项的任意组合要求。
按权项1所述的放大器，其进一步的特征在于：可用于有源滤波器中代替运算放大器，因其频带宽、噪音低。〔图5〕
36、一种基本放大器的制造技术，涉及高频、宽带、超线性、低噪声、高稳定、高可靠、深负反馈或以上性能任意组合的分立或集成厚膜、薄膜生产方法，或者其中任意几种的组合生产法。本发明的特征在于控制分布参数、改善地线系统、元件紧密排列、改善变压器参数，使本发明的放大器可使用在50GHZ或以下。从而使Kf·Δf（闭环增益×有效使用带宽）和（1+Kβ）·Δf（反馈深度×有效使用带宽）乘积增大。分别施以公知的二窄一宽与波特法的折哀、二窄一宽法、波特法，可使本发明的放大器校正大为简化。适用于大规模生产，并可系列化设计与生产，适用于近50GHZ或以下频率范围的各种用途，且满足权项1或其各从属权项的任意组合要求。
按权项1所述的放大器，其进一步特征在于：因其超线性、高速，可用于模拟运算。〔图7〕
37、一种基本放大器的制造技术，涉及高频、宽带、超线性、低噪声、高稳定、高可靠、深负反馈或以上性能任意组合的分立或集成厚膜、薄膜生产方法，或者其中任意几种的组合生产法。本发明的特征在于控制分布参数、改善地线系统、元件紧密排列、改善变压器参数。使本发明的放大器可使用在近50GHZ或以下。从而使Kf·Δf（闭环增益×有效使用带宽）和（1+Kβ）·Δf（反馈深度×有效使用带宽）乘积增大，分别施以公知的二窄一宽与波特法的折哀、二窄一宽法、波特法，可使本发明的放大器校正大为简化。适用于大规模生产，并可系列化设计与生产，适用于近50GHZ或以下频率范围的各种用途。且满足权项1或其各从属权项的任意组合要求。
按权项1所述的放大器，其进一步的特征在于：因其为高速，可用于模数转换。〔图8〕
38、一种基本放大器的制造技术，涉及高频、宽带、超线性、低噪声、高稳定、高可靠、深负反馈或以上性能任意组合的分立或集成、厚膜、薄膜生产方法。或者其中任意几种的组合生产法。本发明的特征在于控制分布参数、改善地线系统、元件紧密排列、改善变压器参数，使本发明的放大器可使用在近50GHZ或以下，从而使Kf·Δf（闭环增益×有效使用带宽）和（1+Kβ）·Δf（反馈深度×有效使用带宽）乘积增大。施以公知的波特校正法，使元件少至98%～35%。适用于权项1与其各从属权项的任意组合及其使用范围，但频带为权项1所述放大器的1.2倍。
39、一种基本放大器的制造技术，涉及高频、宽带、超线性、低噪声、高稳定、高可靠、深负反馈或以上性能任意组合的分立或集成、厚膜、薄膜生产方法，或者其中任意几种的组合生产法。本发明的特征在于控制分布参数、改善地线系统、元件紧密排列、改善变压器参数，使本发明的放大器可使用在近50GHZ或以下，从而使Kf·Δf（闭环增益×有效使用带宽）和（1+Kβ）·Δf（反馈深度×有效使用带宽）乘积增大。施以公知的二窄一宽法，可使校正元件数为已有技术波特法的98%～2%，最少为1～3个元件，但其使用频宽为权项1所述放大器的0.8倍。适用于权项1与其各从属权项的任意组合及其使用范围，但频带为权项1所述放大器的0.8倍。