一种显示面板和显示装置
阅读：1038发布：2020-11-25
专利汇可以提供一种显示面板和显示装置专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 发明 实施例 公开了一种 显示面板 和显示装置，该显示面板包括：显示区和围绕显示区的非显示区；显示区包括邻接设置的第一矩形区和第一异形区，非显示区包括与第一矩形区邻接的第二矩形区和与第一异形区邻接的第二异形区；显示区包括阵列排布的 像素 单元，第二矩形区以及第二异形区设置有多个移位寄存器，每级移位寄存器与一行像素单元对应连接；第二异形区包括 激光切割 影响区域，至少部分激光切割影响区域中不设置移位寄存器。与 现有技术 相比，本发明实施例提供的显示面板，可以减少激光切割对移位寄存器的性能的影响，从而利于实现显示面板正常显示，且有利于提高显示面板的可靠性。，下面是一种显示面板和显示装置专利的具体信息内容。
1.一种显示面板，其特征在于，包括：显示区和围绕所述显示区的非显示区；所述显示区包括邻接设置的第一矩形区和第一异形区，所述非显示区包括与所述第一矩形区邻接的第二矩形区和与所述第一异形区邻接的第二异形区；
所述显示区包括阵列排布的像素单元，所述第二矩形区以及所述第二异形区设置有多个移位寄存器，每级所述移位寄存器与一行所述像素单元对应连接；
所述第二异形区包括激光切割影响区域，至少部分所述激光切割影响区域中不设置所述移位寄存器。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述激光切割影响区域包括激光入刀影响区域和激光出刀影响区域。
3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，至少部分不设置所述移位寄存器的所述激光切割影响区域中设置有多晶硅吸收层。
4.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，至少部分不设置所述移位寄存器的所述激光切割影响区域中设置有虚拟移位寄存器；所述虚拟移位寄存器不与所述像素单元连接。
5.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述不设置所述移位寄存器的所述激光切割影响区域包括沿阵列排布的列方向依次排列的第一区域、第二区域和第三区域；
所述第一区域和所述第三区域设置有虚拟移位寄存器；所述虚拟移位寄存器不与所述像素单元连接；
所述第二区域设置有多晶硅吸收层。
6.根据权利要求3或5所述的显示面板，其特征在于，所述移位寄存器包括多晶硅层；所述移位寄存器的所述多晶硅层与所述多晶硅吸收层在同一工艺中采用同种材料形成。
7.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，所述多晶硅吸收层包括阵列排布的多晶硅块。
8.根据权利要求7所述的显示面板，其特征在于，在平行于所述显示面板所在平面的平面内，所述多晶硅块的形状为圆形。
9.根据权利要求4或5所述的显示面板，其特征在于：
所述移位寄存器还包括在所述多晶硅层远离衬底基板一侧依次层叠的第一绝缘层、第一金属层、第二绝缘层和第二金属层；所述第一金属层包括栅极，所述第二金属层包括源极和漏极；所述源极和所述漏极分别通过过孔与所述多晶硅层的源极区和漏极区电连接；所述过孔贯通形成于所述第一绝缘层和所述第二绝缘层中；
所述虚拟移位寄存器包括在衬底基板一侧依次层叠的多晶硅层、第一绝缘层、第二绝缘层和第二金属层；其中，所述虚拟移位寄存器所在区域的所述第一绝缘层和所述第二绝缘层中均不包括过孔结构。
10.根据权利要求4或5所述的显示面板，其特征在于：
所述移位寄存器还包括在所述多晶硅层远离衬底基板一侧依次层叠的第一绝缘层、第一金属层、第二绝缘层和第二金属层；所述第一金属层包括栅极，所述第二金属层包括源极和漏极；所述源极和所述漏极分别通过过孔与所述多晶硅层的源极区和漏极区电连接；所述过孔贯通形成于所述第一绝缘层和所述第二绝缘层中；
所述虚拟移位寄存器包括在衬底基板一侧依次层叠的多晶硅层、第一绝缘层和第二绝缘层；其中，所述虚拟移位寄存器所在区域的所述第一绝缘层和所述第二绝缘层中均不包括过孔结构。
11.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-10任一项所述的显示面板。
一种显示面板和显示装置
技术领域
[0001] 本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板和显示装置。
背景技术
[0002] 随着电子技术的不断发展，作为用户与电子设备互动窗口之一的显示装置备受关注。现有技术中显示装置的核心部件为显示面板，显示面板包括显示区和围绕显示区设置的非显示区。显示区通常为规则的矩形，设置有多条平行的扫描线。沿多条扫描线的延伸方向，显示区两侧的非显示区可以同时设置有包括级联的移位寄存器的扫描驱动电路，各移位寄存器分别电连接一条扫描线，用于为该扫描线提供扫描驱动信号。
[0003] 由于用户需求的多样化，显示装置可被设置成多种形状，例如，圆形、椭圆形或不规则图形，为了增加屏占比，显示面板也被设计成对应的形状。通常，将规则的矩形加工为不规则图形可采用激光切割的方式。但是，激光切割时，会存在一定范围的激光切割影响区域，在该区域内，移位寄存器的性能受到影响，导致显示面板不能正常显示，或者显示面板存在可靠性问题。
发明内容
[0004] 本发明提供一种显示面板和显示装置，以减少激光切割对移位寄存器的性能的影响，从而利于实现显示面板正常显示，且有利于提高显示面板的可靠性。
[0005] 第一方面，本发明实施例提供了一种显示面板，该显示面板包括：显示区和围绕所述显示区的非显示区；所述显示区包括邻接设置的第一矩形区和第一异形区，所述非显示区包括与所述第一矩形区邻接的第二矩形区和与所述第一异形区邻接的第二异形区；
[0007] 所述第二异形区包括激光切割影响区域，至少部分所述激光切割影响区域中不设置所述移位寄存器。
[0008] 第二方面，本发明实施例还提供了一种显示装置，该显示装置包括第一方面提供的任一种显示面板。
[0009] 本发明实施例提供的显示面板包括显示区和围绕显示区的非显示区，显示区包括邻接设置的第一矩形区和第一异形区，非显示区包括与第一矩形区邻接的第二矩形区和与第一异形区邻接的第二异形区；显示区包括阵列排布的像素单元，第二矩形区以及第二异形区设置有多个移位寄存器，每级移位寄存器与一行像素单元对应连接；第二异形区包括激光切割影响区域，通过设置至少部分激光切割影响区域中不设置移位寄存器，可避免该区域中激光切割对移位寄存器的性能的影响，从而利于实现显示面板的正常显示，以及利于确保显示面板的可靠性。附图说明
[0010] 图1为本发明实施例提供的一种显示面板的结构示意图；
[0011] 图2为图1示出的显示面板的R/C角区域的结构示意图；
[0012] 图3为图1示出的显示面板的notch区域的结构示意图；
[0013] 图4为本发明实施例提供的另一种显示面板的结构示意图；
[0014] 图5为本发明实施例提供的又一种显示面板的结构示意图；
[0015] 图6为本发明实施例提供的又一种显示面板的结构示意图；
[0016] 图7为沿图6中A1-A2的剖面结构示意图；
[0018] 图9为本发明实施例提供的又一种阵列基板的剖面结构示意图；
[0019] 图10为本发明实施例提供的一种显示装置的结构示意图。
具体实施方式
[0020] 下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部结构。
[0021] 图1为本发明实施例提供的一种显示面板的结构示意图，图2为图1示出的显示面板的R/C角区域的结构示意图，图3为图1示出的显示面板的notch区域的结构示意图。结合图1-图3，该显示面板10包括：显示区11和围绕显示区11的非显示区12；显示区11包括邻接设置的第一矩形区111和第一异形区112，非显示区12包括与第一矩形区111邻接的第二矩形区121和与第一异形区112邻接的第二异形区122；显示区11包括阵列排布的像素单元，第二矩形区121以及第二异形区122设置有多个移位寄存器123，每级移位寄存器123与一行像素单元(图2和图3中示例性的以像素行113示出一行像素单元)对应连接；第二异形区122包括激光切割影响区域122L，至少部分激光切割影响区域122L中不设置移位寄存器123。
[0023] 其中，通过显示面板10中的阵列排布的像素单元发光，可实现显示面板10显示画面。像素单元的发光颜色可包括红色、绿色、蓝色或本领域技术人员可知的其他颜色，本发明实施例对此不作限定。
[0024] 其中，移位寄存器123可通过扫描线(图中未示出)与像素行113中的像素单元电连接，用于实现像素单元逐行驱动。当然，本领域技术人员可理解，移位寄存器123可仅设置于位于显示面板10的显示区11的某一侧的非显示区12中，也可以设置于位于显示面板10的显示区11的相对的两侧的非显示区12中，还可以采用其他的设置方式；像素行113与移位寄存器123的具体连接关系可根据移位寄存器123的分布位置设置，本发明实施例对此不作限定。
[0025] 其中，异形区(包括第一异形区111和第二异形区112)是指形状不是规则的矩形的区域，异形区可通过异形切割(将规则的矩形切割为不规则的异形图形)的方式形成，异形切割通常采用激光切割方式进行，以确保较高的切割精度和较快的切割速度，从而有利于确保较高的切割效率。
[0026] 示例性的，异形切割主要包括两个方面：一方面，在规则的矩形的显示面板10的四个顶角的位置进行倒角结构切割，以提升显示面板10的强度，该倒角结构可包括倒圆角(R角)或倒直角(C角)，本领域技术人员可理解，R角的弧度和C角的角度可根据显示面板的实际需求设定，本发明实施例对此不作限定；另一方面，在显示面板10上方进行槽口(notch)结构切割，以放置前置摄像头、距离传感器、声音传感器或本领域技术人员可知的其他元件，该槽口结构可包括V型槽、U型槽或者本领域技术人员可知的其它形状的槽口结构，本发明实施例对比不作限定。
[0027] 现有技术中，在利用激光切割的方式进行异形切割的过程中，在激光光束的能量较高时，由于激光“溅射”影响，会影响移位寄存器中的多晶硅的性能，从而导致移位寄存器失效，显示面板显示异常或显示面板可靠性降低。若降低激光光束的能量，虽然可以降低激光“溅射”对移位寄存器的性能的影响，但是激光光束的能量较低时，激光切割效率较低。
[0028] 本发明实施例通过设置至少部分激光切割影响区域122L中不设置移位寄存器123，可避免该区域中激光切割对移位寄存器123的性能的影响，从而利于实现显示面板10的正常显示，以及利于确保显示面板10的可靠性。同时，不降低激光光束的能量，可确保较高的激光切割效率。
[0029] 其中，上文中的“不设置移位寄存器123”可理解为，将移位寄存器123向下避让。示例性的，以图2中示出的显示面板的R/C角区域或图3中示出的显示面板的notch区域为示例进行说明。激光切割影响区域122L对应位置处不设置移位寄存器123，与该位置对应的像素行113电连接的移位寄存器123向下避让，即避开该区域，将移位寄存器123设置于与该区域相邻的非显示区12(包括第二矩形区121和第二异形区122)的其他位置处。还可以理解为，相邻的两个移位寄存器123之间存在空白区域，该空白区域对应激光切割影响区域122L，该空白区域中不设置移位寄存器123。如此，即使激光“溅射”对该空白区域有影响，但是该空白区域中不设置移位寄存器123，所以激光“溅射”不会影响移位寄存器123的性能，由此，可避免激光“溅射”对移位寄存器123的性能的影响，从而利于实现显示面板10的正常显示，以及利于确保显示面板10的可靠性。
[0030] 示例性的，上述空白区域在列方向上的宽度可至少大于一个移位寄存器123在列方向上的宽度。
[0031] 需要说明的是，图2和图3中仅示例性的示出了移位寄存器123向下避让设置，但并非对本发明实施例提供的显示面板10的限定。在其他实施方式中，还可以根据显示面板10的实际需求，设置移位寄存器123向上避让，或者采用本领域技术人员可知的其他避让方式，本发明实施例对此不作限定。
[0032] 可选的，参照图2和图3，激光切割影响区域122L包括激光入刀影响区域和激光出刀影响区域。
[0033] 其中，异形区的异形轮廓均可采用激光切割方式形成。激光切割过程中的影响区域可包括激光入刀影响区域、激光切割过程影响区域和激光出刀影响区域。其中，激光入刀影响区域可理解为以激光入刀点122L0为中心的，一定半径范围内的区域；激光出刀影响区域可理解为以激光出刀点(图中未示出，可参照激光入刀点理解)为中心的，一定半径范围内的区域；激光切割过程影响区域为位于激光入刀影响区域与激光出刀影响区域之间的，异形轮廓所对应的区域。
[0034] 其中，激光入刀影响区域和激光出刀影响区域受激光“溅射”的影响较大，而激光切割过程影响区域受激光“溅射”影响较小。因此，在激光入刀影响区域和激光出刀影响区域不设置移位寄存器123，可避免该区域处激光“溅射”对移位寄存器123的性能的影响，从而利于实现显示面板10的正常显示，且有利于确保显示面板10的可靠性。
[0035] 需要说明的是，上文中仅示例性的示出了激光入刀影响区域和激光出刀影响区域的形状为一定半径范围内的半圆形区域，但并非对本发明实施例的限定。本领域技术人员可理解，激光入刀影响区域和激光出刀影响区域的形状还与被切割的显示面板中的膜层性质以及切割工艺相关，本发明实施例对激光入刀影响区域和激光出刀影响区域的形状并不作限定。
[0036] 可选的，图4为本发明实施例提供的另一种显示面板的结构示意图。参照图4，至少部分不设置移位寄存器123的激光切割影响区域122L中设置有多晶硅吸收层1241。
[0037] 其中，多晶硅吸收层1241可用于吸收激光“溅射”能量。如此设置，可降低激光“溅射”能量对与该激光切割影响区域122L相邻设置的移位寄存器123的性能的影响，从而利于实现显示面板10的正常显示，且利于确保显示面板10的可靠性。
[0038] 需要说明的是，图4中仅示例性的示出了多晶硅吸收层1241在显示面板10所在平面的膜层位置，下文中详述多晶硅吸收层1241的具体内部结构。
[0039] 可选的，图5为本发明实施例提供的又一种显示面板的结构示意图。参照图5，至少部分不设置移位寄存器123的激光切割影响区域122L中设置有虚拟移位寄存器1242；虚拟移位寄存器1242不与像素单元连接。
[0040] 其中，该虚拟移位寄存器1242不与像素单元连接，由此，即使激光“溅射”影响虚拟移位寄存器1242的性能，但由于虚拟移位寄存器1242的性能并不影响像素单元发光，因此，显示面板10可正常显示；且显示面板10的可靠性不受影响。
[0041] 此外，该虚拟移位寄存器1242与移位寄存器123的膜层结构相似(下文中详述)，由此，一方面，可降低激光切割影响区域122L与非显示区12中的其他区域之间的厚度差，使得显示面板10的整体膜层的平坦性较好。另一方面，虚拟移位寄存器1242与移位寄存器123中相同的膜层可在同一工艺制程中形成，且对于掩模曝光的工艺制程而言，通过设置虚拟移位寄存器1242，可使该制程所使用的掩模板上的图形密度在掩模板上的各个位置处保持一致，由此利于确保曝光边缘膜层的特征尺寸一致，从而避免了曝光边缘膜层均一性较差的问题。
[0042] 需要说明的是，图5中仅示例性的示出了虚拟移位寄存器1242的数量为3个，但并非对本发明实施例提供的显示面板10的限定。在其他实施方式中，可根据显示面板10的实际需求，设置虚拟移位寄存器1242的数量，本发明实施例对此不作限定。
[0043] 可选的，图6为本发明实施例提供的又一种显示面板的结构示意图。参照图6，不设置移位寄存器123的激光切割影响区域122L包括沿阵列排布的列方向Y依次排列的第一区域、第二区域和第三区域；第一区域和第三区域设置有虚拟移位寄存器1242；虚拟移位寄存器1242不与像素单元连接；第二区域设置有多晶硅吸收层1241。
[0044] 其中，多晶硅吸收层1241可用于吸收一部分激光“溅射”能量。虚拟移位寄存器1242可减缓曝光边缘膜层均一性较差的问题，从而有利于确保与虚拟移位寄存器1242紧邻设置的移位寄存器123的性能与其他位置处的移位寄存器13的性能保持一致，从而利于实现显示面板10的正常显示，且确保显示面板10的可靠性。
[0045] 需要说明的是，图6中仅示例性的第一区域和第三区域中的虚拟移位寄存器1242的数量分别为1个，但并非对本发明实施例提供的显示面板10的限定。在其他实施方式中，还可以根据显示面板10的实际需求设置第一区域和第三区域中虚拟移位寄存器1242的数量，两区域中虚拟移位寄存器1242的数量可相同，也可不同，本发明实施例对此不作限定。
[0046] 可选的，图7为沿图6中A1-A2的剖面结构示意图。参照图7，移位寄存器123包括多晶硅层22；移位寄存器的多晶硅层22与多晶硅吸收层1241在同一工艺中采用同种材料形成。
[0047] 如此设置，可不增加工艺制程且不引入新的材料。
[0048] 可选的，图8为本发明实施例提供的显示面板中多晶硅吸收层的结构示意图。参照图8，多晶硅吸收层1241包括阵列排布的多晶硅块12410。
[0049] 如此设置，可在利用多晶硅层1241吸收激光“溅射”能量的同时，避免多晶硅吸收层1241上的静电积累，从而避免静电释放对显示面板10的正常显示和可靠性的影响。
[0050] 需要说明的是，图8中仅示例性的示出了8列5行的多晶硅块12410，但并非对本发明实施例提供的显示面板10中的多晶硅吸收层1241的限定。在其他实施方式中，可根据显示面板10的实际需求，设置多晶硅块12410的数量以及多晶硅块12410的阵列排布方式，本发明实施例对此不作限定。
[0051] 可选的，继续参照图8，在平行于显示面板10所在平面的平面内，多晶硅块12410的形状为圆形。
[0052] 如此设置，可使多晶硅块12410的轮廓边缘平滑，可避免尖端放电对显示面板10的显示性能的影响，从而有利于实现显示面板10的正常显示，以及有利于确保显示面板10的可靠性。
[0053] 可选的，继续参照图7，移位寄存器123还包括在多晶硅层22远离衬底基板20一侧依次层叠的第一绝缘层23、第一金属层24、第二绝缘层25和第二金属层26；第一金属层24包括栅极，第二金属层26包括源极和漏极；源极和漏极分别通过过孔与多晶硅层22的源极区和漏极区电连接；过孔贯通形成于第一绝缘层23和第二绝缘层25中；虚拟移位寄存器1242包括在衬底基板20一侧依次层叠的多晶硅层22、第一绝缘层23、第二绝缘层25和第二金属层26；其中，虚拟移位寄存器1242所在区域的第一绝缘层23和第二绝缘层25中均不包括过孔结构。
[0054] 其中，虚拟移位寄存器1242不包括第一金属层24，可避免第一金属层24中的电荷积累，从而避免第一金属层24的静电释放对显示面板10的显示功能和可靠性的影响。
[0055] 同时，虚拟移位寄存器1242的第一绝缘层23和第二绝缘层25中均不包括过孔结构，由此，虚拟移位寄存器1242的对应位置在第一绝缘层23和第二绝缘层25中不形成电连接线，由此可避免该电连接线存在时引起的电荷积累，从而可避免该电连接线存在时的静电释放对显示面板10的显示功能和可靠性的影响。
[0056] 此外，图7示出的虚拟移位寄存器1242与移位寄存器123的膜层结构的差异在于，虚拟移位寄存器1242不包括第一金属层24。由此，虚拟移位寄存器1242的膜层结构与移位寄存器123的膜层整体厚度相当，从而显示面板10整体平坦性较好。
[0057] 可选的，图9为本发明实施例提供的又一种阵列基板的剖面结构示意图。参照图9，移位寄存器123还包括在多晶硅层22远离衬底基板20一侧依次层叠的第一绝缘层23、第一金属层24、第二绝缘层25和第二金属层26；第一金属层24包括栅极，第二金属层26包括源极和漏极；源极和漏极分别通过过孔与多晶硅层22的源极区和漏极区电连接；过孔贯通形成于第一绝缘层23和第二绝缘层25中；虚拟移位寄存器1242包括在衬底基板20一侧依次层叠的多晶硅层22、第一绝缘层23和第二绝缘层25；其中，虚拟移位寄存器1242所在区域的第一绝缘层23和第二绝缘层25中均不包括过孔结构。
[0058] 其中，虚拟移位寄存器1242不包括第一金属层24、也不包括第二金属层26，由此，可避免第一金属层24和第二金属层26中的电荷积累，从而避免第一金属层24和第二金属层26的静电释放对显示面板10的显示功能和可靠性的影响。
[0059] 需要说明的是，图9中示出的虚拟移位寄存器1242中的多晶硅层22与多晶硅吸收层1241的平面形状可不同。具体的，在掩模曝光的工艺制程中，虚拟移位寄存器1242中的多晶硅层22与移位寄存器123中的多晶硅层22可采用相同的掩模图形进行曝光。由此，该掩模曝光工艺制程中，与移位寄存器123相邻的位置处的掩模图形密度与该移位寄存器123对应位置处的掩模图形密度相同，从而该移位寄存器123的多晶硅层22的曝光边缘膜层均一性与其他位置处的移位寄存器123的多晶硅层22的曝光边缘膜层均一性，有利于确保该移位寄存器123的性能与其他位置处的移位寄存器123的性能一致，从而有利于显示面板10的正常显示。
[0060] 示例性的，继续参照图7或图9，移位寄存器123和虚拟移位寄存器1242还可包括：第一钝化层21、平坦化层27、第二钝化层28；其中，第一钝化层21位于多晶硅层22(多晶硅吸收层1241)靠近衬底基板20的一侧，平坦化层27位于第二金属层26远离衬底基板20的一侧，第二钝化层28位于平坦化层27远离衬底基板20的一侧。其中，第一钝化层21、平坦化层27以及第二钝化层28的材料以及形成方式可采用本领域技术人员可知的材料以及对应的形成方式，本发明实施例对此不再赘述，也不作限定。
[0061] 本发明实施例还提供一种显示装置，示例性的，图10为本发明实施例提供的一种显示装置的结构示意图。参照图10，显示装置30包括上述实施方式提供的显示面板10。
[0062] 本发明实施例提供的显示装置30包括上述实施方式中的显示面板10，因此本发明实施例提供的显示装置30也具备上述实施例中所描述的有益效果，此处不再赘述。示例性的，显示装置30可以包括手机、电脑以及智能可穿戴设备等显示装置，本发明实施例对此不作限定。
[0063] 注意，上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本发明不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整、相互结合和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明，但是本发明不仅仅限于以上实施例，在不脱离本发明构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。
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