专利汇可以提供一种由8个MOS晶体管和2个MIM电容器构成的硅基有源寻址矩阵像素单元电路专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且一种由8个MOS晶体管和2个MIM电容器构成的 硅 基有源寻址矩阵 像素 单元 电路 ,主要由第1-NMOS管与第1-MIM电容器 串联 形成 开关 电容结构,第1-PMOS管与第3-PMOS管串联形成共漏 放大器 结构,且该共漏放大器的输入与开关电容形成电学串联,且该共漏放大器的输出与第3-NMOS管形成电学串联;同样,第2-NMOS管与第2-MIM电容器串联形成开关电容结构,第2-PMOS管与第4-PMOS管串联形成共漏放大器结构,且该共漏放大器的输入与开关电容形成电学串联,且该共漏放大器的输出与第4-NMOS管形成电学串联。其效果是,提供了一种由8个MOS晶体管和2个MIM电容器构成的像素单元电路,做到完全与常规5V~8V的MOS 半导体 芯片生产工序相匹配,另外,在单元电路中配置两个MIM电容器有利于存储一对差分模拟电平 信号 。,下面是一种由8个MOS晶体管和2个MIM电容器构成的硅基有源寻址矩阵像素单元电路专利的具体信息内容。
1.一种由8个MOS晶体管和2个MIM电容器构成的硅基有源寻址矩阵像素单元电路,其特征是:第1-NMOS管(1)与第1-MIM电容器(45)串联形成开关电容结构,第1-PMOS管(7)与第3-PMOS管(5)串联形成共漏放大器结构,且该共漏放大器的输入与开关电容形成电学串联,且该共漏放大器的输出与第3-NMOS管(9)形成电学串联;同样,第2-NMOS管(24)与第2-MIM电容器(28)串联形成开关电容结构,第2-PMOS管(16)与第4-PMOS管(34)串联形成共漏放大器结构,且该共漏放大器的输入与开关电容形成电学串联,且该共漏放大器的输出与第4-NMOS管(35)形成电学串联,该硅基有源寻址矩阵像素单元电路还配置有:第1选择控制线(3)、第2选择控制线(19)、扫描寻址线(4)、电源供给线(10)、偏置电压供给线(12)、第1模拟电平输入线(48)、第2模拟电平输入线(20)、接地线(30)、接固定电位线(31),分别与8个MOS晶体管和2个MIM电容器电连接。
2.根据权利要求1所述的硅基有源寻址矩阵像素单元电路,其特征是:第1-NMOS栅极(2)与所述扫描寻址线(4)相连,且第1-NMOS漏极(47)与所述第1模拟电平输入线(48)相连接,且第1-MIM电容上极板(43)与第1-NMOS源极(46)、第3-PMOS栅极(42)相连接,且第1-MIM电容下极板(44)与所述接固定电位线(31)相连接,输入至所述接固定电位线(31)的固定电平值不低于像素电路的地电平,且不高于像素电路的最大供给电源电平。
3.根据权利要求1所述的硅基有源寻址矩阵像素单元电路,其特征是:第1-PMOS栅极(6)连接至所述偏置电压供给线(12),且第1-PMOS源极(8)连接至所述电源供给线(10),且第1-PMOS漏极(39)、第3-NMOS源极(38)、第3-PMOS漏极(40)相互连通,且第3-PMOS源极(41)与所述接地线(30)相连接,第3-NMOS栅极(11)连接至所述第1选择控制线(3)。
4.根据权利要求1所述的硅基有源寻址矩阵像素单元电路,其特征是:第2-NMOS栅极(23)与所述扫描寻址线(4)相连,且第2-NMOS漏极(25)与所述第2模拟电平输入线(20)相连接,且第2-MIM电容上极板(27)与第2-NMOS源极(26)、第4-PMOS栅极(32)相连接,且第2-MIM电容下极板(29)与所述接固定电位线(31)相连接。
5.根据权利要求1所述的硅基有源寻址矩阵像素单元电路,其特征是:第2-PMOS栅极(18)连接至所述偏置电压供给线(12),且第2-PMOS源极(17)连接至所述电源供给线(10),且第2-PMOS漏极(21)、第4-NMOS源极(15)、第4-PMOS漏极(22)相互连通,且第4-PMOS源极(33)与所述接地线(30)相连接,第4-NMOS栅极(14)连接至所述第2选择控制线(19),且第3-NMOS漏极(37)与第4-NMOS漏极(13)相互连通,且连接至镜面电极(36)。
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