一种像素结构、显示面板及显示装置
专利汇可以提供一种像素结构、显示面板及显示装置专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本实用新型公开了一种 像素 结构、 显示面板 及显示装置，包括 基板 ，所述基板上形成有存储电容 电极 和数据线，所述存储电容电极与数据线之间形成有第一保护层，所述数据线形成在相邻两个存储电容电极之间且所述数据线在基板上的正投影的两端与所述存储电容电极在基板上的正投影有重叠区域。通过将数据线形成在相邻两个存储电容电极之间且所述数据线在基板上的正投影的两端与所述存储电容电极在基板上的正投影有重叠区域，既可防止漏光，也可防止数据线全 覆盖 在存储电容电极上造成较大的寄生电容进而使驱动负载增大的现象。，下面是一种像素结构、显示面板及显示装置专利的具体信息内容。
1.一种像素结构，其特征在于，包括基板，所述基板上形成有存储电容电极和数据线，所述存储电容电极与数据线之间形成有第一保护层，所述数据线形成在相邻两个存储电容电极之间且所述数据线在基板上的正投影的两端与所述存储电容电极在基板上的正投影有重叠区域。
2.如权利要求1所述的一种像素结构，其特征在于，所述第一保护层为PA-SiNx。
3.如权利要求1所述的一种像素结构，其特征在于，所述存储电容电极设置在基板上，所述存储电容电极远离基板的一侧覆盖有第一保护层，所述第一保护层上且位于存储电容电极之间形成有数据线，所述数据线远离存储电容电极的一侧覆盖有第二保护层。
4.如权利要求1所述的一种像素结构，其特征在于，所述基板为玻璃基板。
5.如权利要求1所述的一种像素结构，其特征在于，所述数据线包括依次设置的多层导电结构，靠近所述第一保护层的导电结构的材料相较于远离所述第一保护层的导电结构的材料易被干法刻蚀。
6.如权利要求5所述的一种像素结构，其特征在于，所述数据线包括依次远离第一保护层设置的第一导电线和第二导电线，所述第一导电线由Al构成，所述第二导电线由Mo构成。
7.如权利要求6所述的一种像素结构，其特征在于，所述第一导电线和第二导电线的厚度范围分别为200-250nm。
8.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求1-7任一项所述的像素结构。
9.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求8所述的显示面板。
一种像素结构、显示面板及显示装置
技术领域
背景技术
的TN像素结构，是通过像素电极覆盖到上一行扫描线上形成存储电容，连接TFT开关栅极的扫描线，连接TFT开关源漏极的数据线与像素电极是TN像素的主要共通结构。
实用新型内容
与所述存储电容电极在基板上的正投影有重叠区域。
远离存储电容电极的一侧覆盖有第二保护层。
覆盖在存储电容电极上造成较大的寄生电容进而使驱动负载增大的现象。
附图说明
具体实施方式
元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，旨在用于解释本实用新型，而不能理解为对本实用新型的限制。
本实用新型的限制。
可以根据具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。
区W，当斜视屏幕时，会造成大视角漏光。
线3的下方。
止数据线3全覆盖在存储电容电极2上造成较大的寄生电容进而使驱动负载增大的现象。优
选地，所述数据线3在基板7上的正投影的一端与所述存储电容电极2在基板7上的正投影的
重叠区域的宽度D范围为1-2μm，可使寄生电容控制在影响较小的范围内并达到防止漏光的目的。
蚀。也就是说，数据线3可以是一层、两层或者更多层构成，利用不同材料的干法刻蚀程度不同来实现上述厚度不同的方案，即靠近所述第一保护层8的导电结构的材料易于被干法刻
蚀，远离第一保护层8的导电结构的材料相对不易于被干法刻蚀。
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