专利汇可以提供LOW SWITCHING FIELD MAGNETIC TUNNELING JUNCTION USABLE FOR MULTI-STATE MAGNETIC MEMORY CELL专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且A low switching field magnetic tunneling junction memory cell including an antiferromagnetically coupled structure having first and second magnetoresistive layers of different thicknesses and a non-magnetic conducting layer sandwiched therebetween so that the magnetic vectors of the pair of layers are anti-parallel with no applied magnetic field, a magnetoresistive structure having a magnetic vector, and electrically insulating material sandwiched between the antiferromagnetically coupled structure and the magnetoresistive structure to form a magnetic tunneling junction.,下面是LOW SWITCHING FIELD MAGNETIC TUNNELING JUNCTION USABLE FOR MULTI-STATE MAGNETIC MEMORY CELL专利的具体信息内容。
标题 | 发布/更新时间 | 阅读量 |
---|---|---|
磁阻随机存取存储器件及其制造方法 | 2020-05-11 | 363 |
具有位置传感器的SMA致动器 | 2020-05-13 | 823 |
半导体器件、MRAM器件和制造存储器器件的方法 | 2020-05-14 | 921 |
一种三轴MTJ磁场传感器及其制备方法 | 2020-05-11 | 795 |
MRAM设备及其形成方法、和MRAM单元 | 2020-05-08 | 103 |
用于图案化磁隧道结的方法 | 2020-05-13 | 703 |
一种利用磁隧道结TMR效应测量温度的方法 | 2020-05-12 | 154 |
集成芯片及其形成方法 | 2020-05-13 | 566 |
一种金属管道工件裂纹快速检测装置 | 2020-05-13 | 365 |
一种磁隧道结刻蚀方法 | 2020-05-13 | 966 |
高效检索全球专利专利汇是专利免费检索,专利查询,专利分析-国家发明专利查询检索分析平台,是提供专利分析,专利查询,专利检索等数据服务功能的知识产权数据服务商。
我们的产品包含105个国家的1.26亿组数据,免费查、免费专利分析。
专利汇分析报告产品可以对行业情报数据进行梳理分析,涉及维度包括行业专利基本状况分析、地域分析、技术分析、发明人分析、申请人分析、专利权人分析、失效分析、核心专利分析、法律分析、研发重点分析、企业专利处境分析、技术处境分析、专利寿命分析、企业定位分析、引证分析等超过60个分析角度,系统通过AI智能系统对图表进行解读,只需1分钟,一键生成行业专利分析报告。