形成磁阻式随机存取存储器单元的方法
专利汇可以提供形成磁阻式随机存取存储器单元的方法专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 发明 公开一种形成磁阻式随机存取 存储器 单元的方法，包含有下述步骤。首先，形成一第一介电层于一基底上，其中第一介电层包含一第一金属线。接着，形成一 图案化 第二介电层 覆盖 第一介电层，其中图案化第二介电层包含一凹槽暴露出第一金属线。接续，形成一阻障层顺应覆盖凹槽以及图案化第二介电层。续之，一金属填满凹槽以及覆盖阻障层。继之，以阻障层为一停止层平坦化金属至暴露出阻障层。后续，形成一 磁性 隧穿接面以及一顶 电极 覆盖金属，因而形成一磁阻式 随机存取存储器 单元。，下面是形成磁阻式随机存取存储器单元的方法专利的具体信息内容。
1.一种形成磁阻式随机存取存储器单元的方法，其特征在于，包含有：
形成一第一介电层于一基底上，其中该第一介电层包含一第一金属线；
形成一图案化第二介电层覆盖该第一介电层，其中该图案化第二介电层包含一凹槽暴露出该第一金属线；
形成一阻障层顺应覆盖该凹槽以及该图案化第二介电层；
金属填满该凹槽以及覆盖该阻障层；
以该阻障层为一停止层平坦化该金属至暴露出该阻障层；以及
形成一磁性隧穿接面以及一顶电极覆盖该金属，因而形成一磁阻式随机存取存储器单元。
2.如权利要求1所述的形成磁阻式随机存取存储器单元的方法，其中形成该图案化第二介电层覆盖该第一介电层的步骤，包含：
形成一第二介电层覆盖该第一介电层；
图案化该第二介电层，以暴露出该第一金属线，并形成该图案化第二介电层。
3.如权利要求1所述的形成磁阻式随机存取存储器单元的方法，其中该阻障层包含钛层、氮化钛层或钛/氮化钛层。
4.如权利要求1所述的形成磁阻式随机存取存储器单元的方法，其中该金属包含钨。
5.如权利要求1所述的形成磁阻式随机存取存储器单元的方法，其中形成该磁性隧穿接面以及该顶电极覆盖该金属的步骤，包含：
全面沉积一磁性隧穿接面层以及一顶电极层覆盖该金属以及该阻障层；以及图案化该磁性隧穿接面层以及该顶电极层，以形成该磁性隧穿接面以及该顶电极。
6.如权利要求5所述的形成磁阻式随机存取存储器单元的方法，其中在图案化该磁性隧穿接面层以及该顶电极层的同时，移除该磁性隧穿接面以及该顶电极暴露出的该阻障层。
7.如权利要求5所述的形成磁阻式随机存取存储器单元的方法，其中在图案化该磁性隧穿接面层以及该顶电极层的同时，移除该磁性隧穿接面以及该顶电极暴露出的该金属。
8.如权利要求1所述的形成磁阻式随机存取存储器单元的方法，其中在平坦化该金属之后，移除该凹槽外的该阻障层。
9.如权利要求1所述的形成磁阻式随机存取存储器单元的方法，还包含：
形成一盖层顺应覆盖该磁性隧穿接面以及该顶电极。
10.如权利要求1所述的形成磁阻式随机存取存储器单元的方法，还包含：
形成一第三介电层覆盖该图案化第二介电层并暴露出该顶电极。
11.如权利要求10所述的形成磁阻式随机存取存储器单元的方法，其中该基底包含磁阻式随机存取存储器区以及逻辑区，其中该磁阻式随机存取存储器区包含该磁阻式随机存取存储器单元。
12.如权利要求11所述的形成磁阻式随机存取存储器单元的方法，其中该第一介电层包含第一金属内连线结构位于其中，其中该第一金属内连线结构包含该第一金属线于该磁阻式随机存取存储器区，以及第二金属线于该逻辑区。
13.如权利要求12所述的形成磁阻式随机存取存储器单元的方法，还包含：
形成一第二金属内连线结构于该第三金属层以及该图案化第二介电层中，其中该第二金属内连线结构接触该第二金属线。
14.如权利要求1所述的形成磁阻式随机存取存储器单元的方法，其中以一平坦化制作工艺平坦化该金属，且该平坦化制作工艺对于该金属及该阻障层具有高选择比。
形成磁阻式随机存取存储器单元的方法
技术领域
背景技术
发明内容
具体实施方式
详细而言，可先全面沉积一第三介电层(未绘示)并平坦化第三介电层(未绘示)及盖层170而暴露出顶电极166，并形成第三介电层180。可再以例如一双镶嵌制作工艺形成第二金属内连线结构190于第三金属层180以及图案化第二介电层140中。第二金属内连线结构190直接接触第二金属线134。第二金属内连线结构190可例如包含二插塞192/194，且各插塞192/
194可包含一阻障层192a/194a围绕一金属192b/194b。阻障层192a/1944a可例如为一氮化坦层，而金属192b/194b可例如为铜，但本发明不限于此。
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