CMOS薄膜晶体管及其制备方法、显示面板
专利汇可以提供CMOS薄膜晶体管及其制备方法、显示面板专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 发明 提供一种CMOS 薄膜 晶体管及其制备方法、 显示面板 ，采用高迁移 薄膜晶体管 器件，通过使用 碳 纳米管 有源层和金属 氧 化物有源层来构建p型区以及n型区的CMOS薄膜晶体管，可降低功耗、提高增益、改善 稳定性 、减小器件反应时间。并且通过将栅极镶进柔性 基板 中，可减小CMOS薄膜晶体管的高度，防止后续制程中出现爬坡断线问题；p型区 碳纳米管 TFT和n型区金属氧化物TFT是在同一基板上形成的，因此n型区的薄膜晶体管以及p型区的薄膜晶体管由独立的栅极进行驱动，可改善CMOS 反相器 的性能。，下面是CMOS薄膜晶体管及其制备方法、显示面板专利的具体信息内容。
1.一种CMOS薄膜晶体管，其特征在于，包括:
柔性基板，具有n型区以及p型区；
栅极，设于所述柔性基板中且显露于所述柔性基板的一侧；
绝缘层，设于所述柔性基板以及所述栅极上；
有源层，设于所述绝缘层上且对应所述栅极；
源漏极金属层，设于所述有源层以及所述绝缘层上；
钝化层，设于所述绝缘层、所述有源层以及所述源漏极金属层上；
第一金属层，设于所述钝化层上，一端连接位于所述n型区的所述源漏极金属层，另一端连接位于所述p型区的源漏极金属层；
其中，在所述n型区，所述有源层为金属氧化物有源层，在所述p型区，所述有源层为碳纳米管有源层。
2.根据权利要求1所述的CMOS薄膜晶体管，其特征在于，
所述金属氧化物为铟镓锡氧化物。
3.根据权利要求1所述的CMOS薄膜晶体管，其特征在于，
在所述n型区，所述有源层的迁移率为30cm2/Vs；和/或，
在所述p型区，所述有源层的迁移率为30cm2/Vs。
4.根据权利要求1所述的CMOS薄膜晶体管，其特征在于，
所述钝化层具有一凹槽，所述凹槽设于所述n型区以及所述p型区之间，所述第一金属层还设于所述凹槽中。
5.根据权利要求1所述的CMOS薄膜晶体管，其特征在于，
所述钝化层还包括一对应所述n型区的第一过孔，所述第一过孔延伸至所述源漏极金属层表面，所述第一金属层通过所述第一过孔连接所述n型区的所述源漏极金属层。
6.根据权利要求1所述的CMOS薄膜晶体管，其特征在于，
所述钝化层还包括一对应所述p型区的第二过孔，所述第二过孔延伸至所述源漏极金属层表面，所述第一金属层通过所述第二过孔连接所述p型区的所述源漏极金属层。
7.一种CMOS薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括：
提供一柔性基板，所述柔性基板具有n型区以及p型区；
在所述n型区以及所述p型区分别沉积一栅极于所述柔性基板中且显露于所述柔性基板的一侧；
沉积一绝缘层于所述柔性基板以及所述栅极上；
在所述n型区，沉积并图案化一金属氧化物有源层；
在所述p型区，沉积并图案化一碳纳米管有源层；
在所述n型区以及所述p型区分别沉积并图案化一源漏极金属层于所述有源层以及所述绝缘层上；
沉积一钝化层于所述绝缘层、所述有源层以及所述源漏极金属层上；
沉积一第一金属层于所述钝化层上，所述第一金属层一端连接位于所述n型区的所述有源层，另一端连接位于所述p型区的源漏极金属层。
8.根据权利要求7所述的CMOS薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，
在所述n型区以及所述p型区分别沉积并图案化一栅极于所述柔性基板中且显露于柔性基板的一侧的步骤中，具体包括：
在所述n型区以及所述p型区分别纳米压印一开槽；
在所述n型区以及所述p型区的所述开槽中涂覆纳米银胶，并高温形成一栅极。
9.根据权利要求8所述的CMOS薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，在所述p型区沉积并图案化一碳纳米管有源层的步骤中，具体包括：将一金属原料沉浸到碳纳米管溶液中，取出、烘干，重复三次后，涂布光刻胶、曝光显影、氧等离子体刻蚀、洗脱光刻胶后得到碳纳米管原料；
将得到的所述碳纳米管原料沉积在所述绝缘层上，图案化形成所述碳纳米管有源层。
10.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求1～6任一项所述的CMOS薄膜晶体管。
CMOS薄膜晶体管及其制备方法、显示面板
技术领域
背景技术
阳能电池的接触电极)。为了拓宽氧化物半导体的应用领域，实现类似于目前集成电路中的高速、低功耗的硅基互补型金属氧化物半导体(CMOS)电子单元的氧化物CMOS逻辑单元，高
性能p-type半导体材料是必不可少的。
虽然多数有机半导体呈现p-type传导，但有机TFT的空穴迁移率较低(<2cm2V-1s-1)，器件寿命、器件和器件之间的均匀性以及器件在氧气氛和潮湿环境下的稳定性均比较差，且有机
材料的可加工性能也较差。
优势。尽管CNT-TFT技术尚处于实验室研究阶段，但其迁移率、开态电流具有明显优势，且工艺温度以及工艺复杂度都较低，更重要的是CNT-TFT的沟道层可以采用碳纳米管溶液制备，原则上可以利用印刷工艺实现大规模低成本制造。
发明内容
金属层。
金属层。
层上；沉积一钝化层于所述绝缘层、所述有源层以及所述源漏极金属层上；沉积一第一金属层于所述钝化层上，所述第一金属层一端连接位于所述n型区的所述有源层，另一端连接位于所述p型区的源漏极金属层。
印一凹槽；在所述n型区以及所述p型区的所述凹槽中涂覆纳米银胶，并高温形成一栅极。
缘层上，图案化形成所述碳纳米管有源层。
断线问题；p型区碳纳米管TFT和n型区金属氧化物TFT是在同一基板上形成的，因此n型区的薄膜晶体管以及p型区的薄膜晶体管由独立的栅极进行驱动，可改善CMOS反相器的性能。
附图说明
具体实施方式
物。
金属层105的源极走线。
述源漏极金属层105的漏级走线。
驱动，可改善CMOS反相器的性能。
金属层105的源极走线。在所述p型区120，所述钝化层106还包括一对应的第二过孔1063，所述第二过孔1063延伸至所述源漏极金属层105表面，所述第一金属层107通过所述第二过孔
1063连接所述源漏极金属层105的漏级走线。
CMOS薄膜晶体管100，可降低功耗、提高增益、改善稳定性、减小器件反应时间。并且通过将栅极102镶进柔性基板101中，可减小CMOS薄膜晶体管100的高度，防止后续制程中出现爬坡断线问题；p型区120碳纳米管TFT和n型区110金属氧化物TFT是在同一基板上形成的，因此n型区110的薄膜晶体管以及p型区120的薄膜晶体管由独立的栅极102进行驱动，可改善CMOS
反相器的性能。
区以及n型区的CMOS薄膜晶体管，可降低功耗、提高增益、改善稳定性、减小器件反应时间。
并且通过将栅极镶进柔性基板中，可减小CMOS薄膜晶体管的高度，防止后续制程中出现爬
坡断线问题；p型区碳纳米管TFT和n型区金属氧化物TFT是在同一基板上形成的，因此n型区的薄膜晶体管以及p型区的薄膜晶体管由独立的栅极进行驱动，可改善CMOS反相器的性能。
的变换或替代以及改型。
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