显示装置
阅读：217发布：2020-05-08
专利汇可以提供显示装置专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且公开了一种显示装置，所述显示装置包括包含第一区域和第二区域的 显示面板 以及位于显示面板的后侧上的感测模 块 。第一区域包括显示图像的第一 像素 区域。第二区域包括显示图像的第二像素区域和透射由感测模块输出的光的透射区域。第二区域与感测模块叠置。第二像素区域与阻挡由感测模块输出的光的第一层叠置。透射区域不与第一层叠置。，下面是显示装置专利的具体信息内容。
1.一种显示装置，所述显示装置包括：
显示面板，包括第一区域和第二区域；以及
感测模块，位于所述显示面板的后侧上，
其中，所述第一区域包括显示图像的第一像素区域，
所述第二区域包括显示所述图像的第二像素区域和透射由所述感测模块输出的光的透射区域，
所述第二区域与所述感测模块叠置，
所述第二像素区域与阻挡由所述感测模块输出的光的第一层叠置，并且所述透射区域不与所述第一层叠置。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中：
所述第二像素区域包括多个晶体管，并且
所述第一层与所有所述多个晶体管叠置。
3.根据权利要求1所述的显示装置，其中：
所述第二像素区域包括多个晶体管，并且
所述第一层与所述多个晶体管中的一些晶体管叠置。
4.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述透射区域在平面图中与所述第一层分开。
5.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一像素区域在平面图中与所述第一层分开。
6.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一像素区域与所述第一层叠置。
7.根据权利要求6所述的显示装置，其中，所述第一层与所述第一像素区域的一部分叠置。
8.根据权利要求6所述的显示装置，其中：
所述第一像素区域包括多个晶体管，并且
所述第一层与所述多个晶体管中的一些晶体管叠置。
9.根据权利要求1所述的显示装置，其中：
所述第二像素区域包括多个晶体管，并且
所述第一层与所述多个晶体管中的至少一个晶体管叠置。
10.根据权利要求9所述的显示装置，其中，所述第一像素区域不与所述第一层叠置。
11.根据权利要求9所述的显示装置，其中：
所述第一像素区域包括与多个晶体管中的一些晶体管叠置的所述第一层，并且与所述第一像素区域相比，所述第二像素区域与所述第一层叠置得更多。
12.根据权利要求1所述的显示装置，其中，由所述透射区域占据的面积是所述第二区域的20％至90％。
13.根据权利要求1所述的显示装置，其中：
所述显示面板包括其上设置有晶体管的第一基底，并且
所述第一层位于所述感测模块与所述晶体管之间。
14.一种显示装置，所述显示装置包括：
显示面板，包括第一区域和第二区域；以及
感测模块，设置在所述显示面板的后侧上，
其中，所述第二区域与所述感测模块叠置，
所述第一区域包括显示图像的第一像素区域，
所述第二区域包括显示所述图像的第二像素区域和透射由所述感测模块输出的光的透射区域，并且
对于相同的区域，第一层在所述第一像素区域中的叠置百分比与所述第一层在所述第二像素区域中的叠置百分比不同，所述第一层阻挡由所述感测模块输出的光。
15.根据权利要求14所述的显示装置，其中，所述透射区域不与所述第一层叠置。
16.根据权利要求14所述的显示装置，其中，所述透射区域不包括晶体管。
17.根据权利要求14所述的显示装置，其中：
所述第一像素区域不与所述第一层叠置，并且
所述第二像素区域的至少一部分与所述第一层叠置。
18.根据权利要求17所述的显示装置，其中，整个所述第二像素区域与所述第一层叠置。
19.根据权利要求14所述的显示装置，其中：
所述第一像素区域的一部分与所述第一层叠置，并且
整个所述第二像素区域与所述第一层叠置。
20.根据权利要求19所述的显示装置，其中，与所述第一像素区域叠置的所述第一层接收预定电压。
显示装置
技术领域
[0002] 本公开涉及一种显示装置。
背景技术
[0003] 发光二极管显示器具有自发光的特性，即，不需要单独的光源，因此可以减少显示器的厚度和重量。此外，发光二极管显示器具有附加的期望的特性，例如，低功耗、高亮度和高响应速度等。通常，发光二极管显示器包括基底、位于基底上的多个晶体管以及连接到晶体管的发光器件。发明内容
[0004] 示例性实施例提供了一种显示装置，该显示装置包括：显示面板，包括第一区域和第二区域；以及感测模块，位于显示面板的后侧上。第一区域包括显示图像的第一像素区域。第二区域与感测模块叠置。第二区域包括显示图像的第二像素区域和透射由感测模块输出的光的透射区域。第二像素区域与阻挡由感测模块输出的光的第一层叠置，透射区域不与第一层叠置。
[0005] 第二像素区域可以包括多个晶体管，并且第一层可以与所有晶体管叠置。
[0006] 第二像素区域可以包括多个晶体管，并且第一层可以与晶体管中的一些晶体管叠置。
[0007] 透射区域可以在平面图中与第一层分开。
[0008] 第一像素区域可以在平面图中与第一层分开。
[0009] 第一像素区域可以与第一层叠置。
[0010] 第一层可以与第一像素区域的一部分叠置。
[0011] 第一像素区域可以包括多个晶体管，并且第一层可以与晶体管中的一些晶体管叠置。
[0012] 第二像素区域可以包括多个晶体管，并且第一层可以与晶体管中的至少一个晶体管叠置。
[0013] 第一像素区域可以不与第一层叠置。
[0014] 第一像素区域可以包括与多个晶体管中的一些晶体管叠置的第一层，与第一像素区域相比，第二像素区域可以与第一层叠置得更多。
[0015] 由透射区域占据的面积可以是第二区域的20％至90％。
[0016] 显示面板可以包括其上设置有晶体管的第一基底，并且第一层可以位于感测模块与晶体管之间。
[0017] 另一实施例提供了一种显示装置，该显示装置包括：显示面板，包括第一区域和第二区域；以及感测模块，位于显示面板的后侧上。第二区域与感测模块叠置。第一区域包括显示图像的第一像素区域。第二区域包括显示图像的第二像素区域和透射由感测模块输出的光的透射区域。对于相同的区域，第一层在第一像素区域中的叠置百分比与第一层在第二像素区域中的叠置百分比不同，第一层阻挡由感测模块输出的光。
[0018] 透射区域可以不与第一层叠置。
[0019] 第一像素区域可以不与第一层叠置，并且第二像素区域中的至少一部分可以与第一层叠置。
[0020] 整个第二像素区域可以与第一层叠置。
[0021] 第一像素区域的一部分可以与第一层叠置，并且整个第二像素区域可以与第一层叠置。
[0023] 通过参照附图详细地描述示例性实施例，特征对于本领域技术人员将变得明显，在附图中：
[0024] 图1示出了根据示例性实施例的显示装置的俯视图。
[0025] 图2示出了相对于图1的线II-II'的剖视图。
[0026] 图3示出了根据示例性实施例的第一像素区域的电路图。
[0027] 图4示出了根据图3的示例性实施例的第一像素区域的俯视图。
[0028] 图5示出了根据示例性实施例的第二像素区域的电路图。
[0029] 图6示出了根据图5的示例性实施例的第二像素区域的俯视图。
[0030] 图7示出了相对于图6的线VII-VII'的剖视图。
[0031] 图8示出了根据示例性实施例的透射区域的俯视图。
[0032] 图9示出了根据示例性实施例的第一像素区域的电路图。
[0033] 图10示出了图9的第一像素区域的俯视图。
[0034] 图11示出了根据示例性实施例的第一像素区域的电路图。
[0035] 图12示出了图11的第一像素区域的俯视图。
[0036] 图13示出了根据示例性实施例的第二像素区域的电路图。
[0037] 图14示出了图13的第二像素区域的俯视图。
[0038] 图15示出了根据示例性实施例的第二像素区域的电路图。
[0039] 图16示出了图15的第二像素区域的俯视图。
具体实施方式
[0040] 现在，在下文中将参照附图更充分地描述示例实施例；然而，他们可以以不同的方式实施，并且不应该被解释为限于在这里阐述的实施例。相反，提供这些实施例使得该公开将是彻底的且完整的，并且将向本领域技术人员充分地传达示例性实施方式。
[0042] 为了更好地理解且易于描述，任意地示出了在附图中示出的每个构造的尺寸和厚度。在附图中，为了清楚，夸大了层、膜、面板、区域等的厚度。为了更好地理解且易于描述，夸大了一些层和区域的厚度。
[0043] 将理解的是，当诸如层、膜、区域或基底的元件被称为“在”另一元件“上”时，该元件可以直接在所述另一元件上，或者也可以存在中间元件。相反，当元件被称为“直接在”另一元件“上”时，不存在中间元件。词语“在……上”或者“在……上方”指位于目标部分上或者目标部分下方，并且基于重力的方向不必指位于目标部分的上侧上。
[0044] 除非明确地相反描述，否则词语“包括”及其变型将被理解为意味着包括所陈述的元件，但不排除任何其他元件。
[0045] 短语“在平面上”指从顶部观看目标部分，短语“在剖面上”指从侧面观看目标部分被竖直切割的剖面。
[0046] 在整个说明书中，平面图表示用于观看与彼此交叉的两个方向(例如，第一方向D1和第二方向D2)平行的侧面的视图，剖视图表示用于观看在与平行于第一方向D1和第二方向D2的侧面垂直的方向(例如，第三方向D3)上切割的侧面的视图。此外，当两个构成元件彼此叠置时，指的是所述两个构成元件在第三方向D3上(例如，在与基底的上侧垂直的方向上)彼此叠置。
[0047] 现在将参照图1和图2描述根据示例性实施例的显示装置。图1示出了根据示例性实施例的显示装置的俯视图，图2示出了相对于图1的线II-II'的剖视图。
[0048] 参照图1，根据示例性实施例的显示装置1000包括显示区域。显示装置1000可以将图像显示到显示装置1000的整个前向。显示装置1000的前向可以不包括边框或非显示区域，或者可以包括设置在显示装置1000的边缘上的非显示区域。
[0049] 显示区域可以包括用于显示图像的第一区域DA1和用于显示图像并具有其他功能的第二区域DA2。第二区域DA2可以比第一区域DA1多得多地接收或透射具有与显示的图像的光的波长不同的波长的光，即，与第一区域DA1相比，第二区域DA2对于不同波长可以更透明。
[0050] 在平面图中，第二区域DA2可以被第一区域DA1围绕，并且可以位于显示装置1000的第一侧面附近。第二区域DA2可以设置在显示装置1000上的各个位置上，可以具有各种平面的形式，并且可以在全部侧面、三个侧面或两个侧面上接触第一区域DA1。
[0051] 第一区域DA1包括多个第一像素区域PX1。第二区域DA2可以包括多个第二像素区域PX2和透射区域TA。在本说明书中，第一像素区域PX1、第二像素区域PX2和透射区域TA可以表示由在第一方向D1和第二方向D2上延伸的信号线区分的最小区域。
[0052] 第一像素区域PX1和第二像素区域PX2可以分别包括多个晶体管和发光器件。除了将描述的第一层的叠置状态和由第一层占据的面积的差异之外，根据示例性实施例的第一像素区域PX1和第二像素区域PX2的实际布置可以相同。由第一像素区域PX1和第二像素区域PX2包括的晶体管、电容器和发光器件的布置可以相同。稍后将描述第一像素区域PX1和第二像素区域PX2的详细的布置。
[0053] 对于相同的区域，第一层的与第一像素区域PX1叠置的面积可以同第一层的与第二像素区域PX2叠置的面积不同。例如，第一层的与第一像素区域PX1叠置的面积可以比第一层的与第二像素区域PX2叠置的面积小。换言之，第一层在第一像素区域PX1中和在第二像素区域PX2中的叠置百分比对于相同的区域是不同的，例如对于相同的区域在第二像素区域PX2中比在第一像素区域PX1中大。稍后将描述详细的构造。
[0054] 用于显示图像的区域的比例(即，被第二区域DA2中的第二像素区域PX2占据的面积的比例)可以比被第一区域DA1中的第一像素区域PX1占据的面积的比例小。在第一区域DA1中，多个第一像素区域PX1可以以矩阵形式设置。在第二区域DA2中，多个第二像素区域PX2和透射区域TA可以交替地设置，或者他们可以以各种方式设置。第二区域DA2包括多个透射区域TA，因此与具有相同面积的第一区域DA1相比，第二像素区域PX2的比例可以小。
[0056] 例如，透射区域TA的面积可以是第二区域DA2的面积的大约20％至90％。第二区域DA2包括第二像素区域PX2和透射区域TA，因此第二区域DA2可以是部分透明的。至少对于不同的波长，透射区域TA比第二像素区域PX2具有更大的透光率，并且第二区域DA2比第一区域DA1具有更大的透光率。
[0057] 入射到透射区域TA的具有不同波长的大部分光(例如，红外光)可以穿过透射区域TA。发射层未设置在透射区域TA中，因此不显示图像。
[0058] 参照图1和图2，根据示例性实施例的显示装置1000可以包括设置在显示面板100的后侧上的感测模块500。例如，感测模块500可以识别具体的图案，例如以指纹、虹膜或脸部等为例的生物识别特征。
[0059] 感测模块500可以朝向设置在显示面板100上的目标600传输预定波长内的光，或者可以接收从目标600反射的光。预定波长可以是除了将由感测模块500处理的可见光之外的波长。预定波长内的光可以主要穿过设置在第二区域DA2中的透射区域TA。由感测模块500输出的预定波长内的光可以是例如大约900nm至1000nm的红外光。在平面图中，感测模块500可以与第二区域DA2的全部或一部分对应。
[0060] 现在将参照图3至图8详细地描述根据示例性实施例的第一像素区域、第二像素区域和透射区域。图3示出了根据示例性实施例的第一像素区域的电路图，图4示出了根据示例性实施例的第一像素区域的俯视图，图5示出了根据示例性实施例的第二像素区域的电路图，图6示出了根据示例性实施例的第二像素区域的俯视图，图7示出了根据示例性实施例的第二像素区域的剖视图，图8示出了根据示例性实施例的透射区域的俯视图。
[0061] 参照图3，根据示例性实施例的第一像素区域PX1包括多个晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6和T7、存储电容器Cst以及连接到信号线127、151、152、153、158、171、172和741的发光二极管LED。
[0062] 多个晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6和T7包括驱动晶体管T1、连接到第一扫描线151的开关晶体管(即，第二晶体管T2和第三晶体管T3)以及用于执行用于操作发光二极管LED的操作的其他晶体管(在下文中，补偿晶体管)。补偿晶体管T4、T5、T6和T7可以包括第四晶体管T4、第五晶体管T5、第六晶体管T6和第七晶体管T7。
[0063] 多条信号线127、151、152、153、158、171、172和741可以包括第一扫描线151、第二扫描线152、发射控制线153、旁路控制线158、数据线171、驱动电压线172、初始化电压线127和共电压线741。旁路控制线158可以是第二扫描线152的一部分或者可以电连接到第二扫描线152。
[0064] 第一扫描线151连接到栅极驱动器，以将扫描信号(或称为第一扫描信号)Sn传输到第二晶体管T2和第三晶体管T3。第二扫描线152连接到栅极驱动器，以将施加到设置在前向处的第一像素区域PX1的第二扫描信号Sn-1传输到第四晶体管T4。发射控制线153连接到发射控制器，以将用于控制发光二极管LED何时发光的发射控制信号EM传输到第五晶体管T5和第六晶体管T6。旁路控制线158将旁路信号GB传输到第七晶体管T7。
[0065] 数据线171传输由数据驱动器产生的数据电压Dm，并且由发光二极管LED(也被称为发光器件)发射的光的亮度根据数据电压Dm而变化。驱动电压线172施加驱动电压ELVDD。初始化电压线127传输用于使驱动晶体管T1初始化的初始化电压Vint。共电压线741施加共电压ELVSS。预定的电压可以施加到驱动电压线172、初始化电压线127和共电压线741。
[0066] 驱动晶体管T1根据施加的数据电压Dm来控制电流输出。输出的驱动电流Id施加到发光二极管LED，以根据数据电压Dm来控制发光二极管LED的亮度。为此目的，驱动晶体管T1的第一电极S1接收驱动电压ELVDD。第一电极S1通过第五晶体管T5连接到驱动电压线172。驱动晶体管T1的第一电极S1连接到第二晶体管T2的第二电极D2以接收数据电压Dm。驱动晶体管T1的第二电极D1(输出电极)朝向发光二极管LED输出电流。驱动晶体管T1的第二电极D1通过第六晶体管T6连接到发光二极管LED的阳极。驱动晶体管T1的栅电极G1连接到存储电容器Cst的一个电极(第二存储电极E2)。栅电极G1处的电压根据存储在存储电容器Cst中的电压而变化，并且由驱动晶体管T1输出的驱动电流Id变化。
[0067] 第二晶体管T2接收数据电压Dm。第二晶体管T2包括连接到第一扫描线151的栅电极G2、连接到数据线171的第一电极S2和连接到驱动晶体管T1的第一电极S1的第二电极D2。当第二晶体管T2根据通过第一扫描线151传输的扫描信号Sn导通时，通过数据线171传输的数据电压Dm被传输到驱动晶体管T1的第一电极S1。
[0068] 第三晶体管T3将当数据电压Dm经过驱动晶体管T1时产生的补偿电压(Dm+Vth的电压)传输到存储电容器Cst的第二存储电极E2。第三晶体管T3包括连接到第一扫描线151的栅电极G3、连接到驱动晶体管T1的第二电极D1的第一电极S3以及连接到存储电容器Cst的第二存储电极E2和驱动晶体管T1的栅电极G1的第二电极D3。第三晶体管T3根据通过第一扫描线151传输的扫描信号Sn而导通，以将驱动晶体管T1的栅电极G1和第二电极D1连接以及将驱动晶体管T1的第二电极D1和存储电容器Cst的第二存储电极E2连接。
[0069] 第四晶体管T4使驱动晶体管T1的栅电极G1和存储电容器Cst的第二存储电极E2初始化。第四晶体管T4包括连接到第二扫描线152的栅电极G4、连接到初始化电压线127的第一电极S4以及经过第三晶体管T3的第二电极D3并连接到存储电容器Cst的第二存储电极E2和驱动晶体管T1的栅电极G1的第二电极D4。第四晶体管T4根据通过第二扫描线152接收的第二扫描信号Sn-1而将初始化电压Vint传输到驱动晶体管T1的栅电极G1和存储电容器Cst的第二存储电极E2。因此，使存储电容器Cst和驱动晶体管T1的栅电极G1处的栅极电压初始化。初始化电压Vint具有低电压值以使驱动晶体管T1导通。
[0070] 第五晶体管T5将驱动电压ELVDD传输到驱动晶体管T1。第五晶体管T5包括连接到发射控制线153的栅电极G5、连接到驱动电压线172的第一电极S5以及连接到驱动晶体管T1的第一电极S1的第二电极D5。
[0071] 第六晶体管T6将由驱动晶体管T1输出的驱动电流Id传输到发光二极管LED。第六晶体管T6包括连接到发射控制线153的栅电极G6、连接到驱动晶体管T1的第二电极D1的第一电极S6以及连接到发光二极管LED的阳极的第二电极D6。
[0072] 第五晶体管T5和第六晶体管T6由通过发射控制线153接收的发射控制信号EM而导通。当驱动电压ELVDD通过第五晶体管T5施加到驱动晶体管T1的第一电极S1时，驱动晶体管T1根据驱动晶体管T1的栅电极G1处的电压(即，存储电容器Cst的第二存储电极E2处的电压)而输出驱动电流Id。输出的驱动电流Id通过第六晶体管T6传输到发光二极管LED。当电流Iled流到发光二极管LED时，发光二极管LED发光。
[0073] 第七晶体管T7使发光二极管LED)的阳极初始化。第七晶体管T7包括连接到旁路控制线158的栅电极G7、连接到发光二极管LED的阳极的第一电极S7以及连接到初始化电压线127的第二电极D7。旁路控制线158可以连接到第二扫描线152，并且具有与第二扫描信号Sn-1的时序相同的时序的信号被施加到旁路信号GB。旁路控制线158可以不连接到第二扫描线152，并且可以传输与第二扫描信号Sn-1不同的信号。当第七晶体管T7通过旁路信号GB导通时，初始化电压Vint被施加到将被初始化的发光二极管LED的阳极。
[0074] 存储电容器Cst包括存储电容器Cst的连接到驱动电压线172的第一存储电极E1以及连接到驱动晶体管T1的栅电极G1、第三晶体管T3的第二电极D3和第四晶体管T4的第二电极D4的第二存储电极E2。结果，第二存储电极E2确定驱动晶体管T1的栅电极G1处的电压，并且通过第三晶体管T3的第二电极D3接收补偿电压(Dm+Vth)或者通过第四晶体管T4的第二电极D4接收初始化电压Vint。
[0076] 在参照图3描述的示例性实施例中，第一像素区域PX1的电路包括七个晶体管T1至T7和一个电容器Cst。晶体管和电容器的数量和他们的连接是以各种方式可改变的。
[0077] 现在将参照图4描述第一像素区域PX1的详细的平面结构。参照图4，第一像素区域PX1包括沿第一方向D1延伸并传输第一扫描信号Sn的第一扫描线151、用于传输第二扫描信号Sn-1的第二扫描线152、用于传输发射控制信号EM的发射控制线153以及用于传输初始化电压Vint的初始化电压线127。旁路信号GB通过第二扫描线152传输。
[0078] 显示装置1000包括沿与第一方向D1交叉的第二方向D2延伸并传输数据电压Dm的数据线171以及用于传输驱动电压ELVDD的驱动电压线172。
[0079] 显示装置1000包括驱动晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4、第五晶体管T5、第六晶体管T6、第七晶体管T7、存储电容器Cst和发光二极管LED。
[0080] 驱动晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4、第五晶体管T5、第六晶体管T6和第七晶体管T7的相应的沟道设置在沿第一方向D1和第二方向D2延伸的半导体层130中。此外，多个晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6和T7的第一电极和第二电极中的至少一些位于半导体层130上。半导体层(130；如图4中的阴影部分所示)可以形成为以各种方式弯曲。半导体层130可以包括诸如多晶硅的多晶半导体或氧化物半导体。
[0081] 半导体层130包括掺杂有n型杂质或p型杂质的沟道以及设置在沟道的相应侧上并具有比沟道的掺杂浓度更大的掺杂浓度的第一掺杂区和第二掺杂区。第一掺杂区和第二掺杂区分别与多个晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6和T7的第一电极和第二电极对应。当第一掺杂区和第二掺杂区中的一个是源区时，另一个可以是漏区。此外，在半导体层130中可以对不同的晶体管的第一电极与第二电极之间的区域掺杂，使得两个晶体管可以彼此电连接。
[0082] 多个晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6和T7的相应的沟道与晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6和T7的栅电极叠置，并且设置在晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6和T7的第一电极与第二电极之间。多个晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6和T7可以具有基本相同的堆叠结构。将详细地描述驱动晶体管T1，并将简略地描述其他晶体管T2、T3、T4、T5、T6和T7。
[0083] 驱动晶体管T1包括沟道、第一栅电极155(图3中的G1)、第一电极S1和第二电极D1。驱动晶体管T1的沟道位于第一电极S1与第二电极D1之间，并且在平面图中与第一栅电极
155叠置。沟道弯曲使得沟道可以沿着其中沟道延伸所沿的主要的方向(例如，第一方向D1)在有限的区域中形成为长的。由于沟道变得更长，所以施加到驱动晶体管T1的第一栅电极
155的栅极电压(Vg)的驱动范围增大，并且驱动电流Id根据栅极电压(Vg)持续地增大。结果，可以通过改变栅极电压(Vg)的大小来精确地控制由发光二极管LED输出的光的灰度级，并且可以改善显示装置1000的显示质量。此外，沟道不沿一个方向延伸而是沿各个方向延伸，因此在制造工艺中抵消了由方向性造成的影响，并且作为优点降低了工艺分布影响。因此，可以防止当驱动晶体管T1的特性依据工艺分布而根据显示装置1000的区域变得不同时会产生的显示质量的劣化，诸如斑点(stain)的缺陷(例如，当施加相同的数据电压Dm时根据像素产生的亮度差)。除了示出的Ω形状之外，上述沟道形式可以具有各种形状。
155叠置。沟道弯曲使得沟道可以沿着其中沟道延伸所沿的主要的方向(例如，第一方向D1)在有限的区域中形成为长的。由于沟道变得更长，所以施加到驱动晶体管T1的第一栅电极
155的栅极电压(Vg)的驱动范围增大，并且驱动电流Id根据栅极电压(Vg)持续地增大。结果，可以通过改变栅极电压(Vg)的大小来精确地控制由发光二极管LED输出的光的灰度级，并且可以改善显示装置1000的显示质量。此外，沟道不沿一个方向延伸而是沿各个方向延伸，因此在制造工艺中抵消了由方向性造成的影响，并且作为优点降低了工艺分布影响。因此，可以防止当驱动晶体管T1的特性依据工艺分布而根据显示装置1000的区域变得不同时会产生的显示质量的劣化，诸如斑点(stain)的缺陷(例如，当施加相同的数据电压Dm时根据像素产生的亮度差)。除了示出的Ω形状之外，上述沟道形式可以具有各种形状。
[0084] 第一栅电极155在平面图中与沟道叠置。第一电极S1和第二电极D1位于沟道的相应侧上。存储线126的延伸部分与第一栅电极155绝缘并且设置在第一栅电极155上。存储线126的延伸部分在平面图中与第一栅电极155叠置，并且第二栅极绝缘层142(见图7)位于存储线126与第一栅电极155之间以形成存储电容器Cst。存储线126的延伸部分是存储电容器Cst的第一存储电极(图3的E1)，并且第一栅电极155形成第二存储电极(图3的E2)。开口56位于存储线126的延伸部分中，使得第一栅电极155可以连接到第一数据连接构件71。在开口56中，第一栅电极155的顶侧通过接触孔61电连接到第一数据连接构件71。第一数据连接构件71连接到第三晶体管T3的第二电极D3，以将驱动晶体管T1的第一栅电极155和第三晶体管T3的第二电极D3连接。
[0085] 第二晶体管T2的栅电极可以是第一扫描线151的一部分。第二晶体管T2的第一电极S2通过接触孔62连接到数据线171。第一电极S2和第二电极D2可以设置在半导体层130上。
[0086] 第三晶体管T3可以是双栅第三晶体管。第三晶体管T3的一部分沿着(例如，彼此垂直的)第一方向D1和第二方向D2延伸。第三晶体管T3的栅电极包括第一扫描线151的沿着第二方向D2突出的部分以及第一扫描线151的沿着第一方向D1延伸的一部分。上述提及的结构可以被称作双栅结构，并且可以阻断漏电流的流动。第三晶体管T3的第一电极S3连接到第六晶体管T6的第一电极S6和驱动晶体管T1的第二电极D1。第三晶体管T3的第二电极D3通过接触孔63连接到第一数据连接构件71。
[0087] 第四晶体管T4可以是其中第二扫描线152与半导体层130交叉的双栅第四晶体管T4。第四晶体管T4的栅电极可以是第二扫描线152的一部分。第四晶体管T4的第二电极D4连接到第三晶体管T3的第二电极D3。上述提及的结构将被称作双栅结构，并且阻断漏电流的流动。第二数据连接构件72通过接触孔65连接到第四晶体管T4的第一电极S4，第一数据连接构件71通过接触孔63连接到第四晶体管T4的第二电极D4。
[0088] 如上所述，第三晶体管T3和第四晶体管T4的双栅结构被使用，因此在截止状态下阻挡了沟道的电子移动路径，以有效地防止漏电流被产生。
[0089] 第五晶体管T5的栅电极可以是发射控制线153的一部分。第五晶体管T5的第一电极S5通过接触孔67连接到驱动电压线172。第二电极D5通过半导体层130连接到驱动晶体管T1的第一电极S1。
[0090] 第六晶体管T6的栅电极可以是发射控制线153的一部分。第六晶体管T6的第二电极D6通过接触孔69连接到第三数据连接构件73。第一电极S6通过半导体层130连接到驱动晶体管T1的第二电极D1。
[0091] 第七晶体管T7的栅电极可以是第二扫描线152的一部分。第七晶体管T7的第一电极S7连接到第六晶体管T6的第二电极D6。第二电极D7连接到第四晶体管T4的第一电极S4。
[0092] 存储电容器Cst包括彼此叠置的第一存储电极E1和第二存储电极E2，并且第二栅极绝缘层142(见图7)位于第一存储电极E1与第二存储电极E2之间。第二存储电极E2与驱动晶体管T1的第一栅电极155对应，并且第一存储电极E1可以是存储线126的延伸部分。这里，第二栅极绝缘层142是介电材料，并且电容由存储电容器Cst中存储的电荷以及第一存储电极E1与第二存储电极E2之间的电压确定。第一栅电极155被用作第二存储电极E2，因此在因占据像素中的大面积的驱动晶体管T1的沟道而变窄的空间中，可以获得用于形成存储电容器Cst的空间。
[0093] 驱动电压线172通过接触孔68连接到第一存储电极E1。因此，存储电容器Cst存储与通过驱动电压线172传输到第一存储电极E1的驱动电压ELVDD和第一栅电极155的栅极电压(Vg)之间的差对应的电荷。
[0094] 第二数据连接构件72通过接触孔64连接到初始化电压线127。像素电极通过接触孔81连接到第三数据连接构件73。
[0095] 寄生电容器控制图案79可以设置在第三晶体管T3的双栅电极之间。寄生电容器设置在像素中，并且当施加到寄生电容器的电压变化时，图像质量特性会变化。驱动电压线172通过接触孔66连接到寄生电容器控制图案79。这样，可以防止因将作为恒定DC电压的驱动电压ELVDD施加到寄生电容器而引起的图像质量特性的变化。寄生电容器控制图案79可以设置在与附图中示出的区域不同的区域中，并且可以施加不同于驱动电压ELVDD的电压。
[0096] 第一数据连接构件71的第一端通过接触孔61连接到第一栅电极155，第一数据连接构件71的第二端通过接触孔63连接到第三晶体管T3的第二电极D3和第四晶体管T4的第二电极D4。
[0097] 第二数据连接构件72的第一端通过接触孔65连接到第四晶体管T4的第一电极S4，第二数据连接构件72的第二端通过接触孔64连接到初始化电压线127。
[0098] 第三数据连接构件73通过接触孔69连接到第六晶体管T6的第二电极D6。
[0099] 现在将参照图5至图8描述根据示例性实施例的第二区域。图5至图7示出了第二区域的第二像素区域，图8示出了第二区域的透射区域。
[0100] 根据示例性实施例的第二像素区域PX2可以具有与第一像素区域PX1的像素布置相同的像素布置，但是包括第一层30。参照图3和图4提供的对于第一像素区域PX1的描述可以应用于第二像素区域PX2，因此将对其省略。
[0101] 图5示出了关于具有与第二像素区域PX2叠置的第一层30的第二像素区域PX2的电路图。参照图5和图6，第一层30可以设置在第二像素区域PX2的前向处，例如，位于感测模块500与第二像素区域PX2的晶体管之间。与第一像素区域PX1中一样，第二像素区域PX2包括七个晶体管T1至T7和一个电容器Cst。根据示例性实施例的第一层30可以与第二像素区域PX2完全叠置，例如，可以与七个晶体管T1至T7和一个电容器Cst叠置。
[0102] 第一层30是导电的，并且阻挡从感测模块500输出的光，例如，红外光。第一层30可以不接收另外的电压，可以具有施加到第一层30的预定电压，或者可以接地。施加预定电压可以防止当特定的电荷注入到第一层30时而产生的电势的变化。
[0103] 现在将参照图5、图6和图7描述第二像素区域PX2的堆叠结构。
[0104] 显示面板100包括第一基底110。第一基底110可以包括塑料层和阻挡层。塑料层和阻挡层可以交替地堆叠。
[0105] 塑料层可以包括聚醚砜(PES)、聚丙烯酸酯(PAR)、聚醚酰亚胺(PEI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚苯硫醚(PPS)、聚芳酯、聚酰亚胺(PI)、聚碳酸酯(PC)、聚(亚芳基醚砜)中的一种和他们的组合。阻挡层可以包括氧化硅、氮化硅和氧化铝中的至少一种，并且不限制于此，阻挡层可以包括无机材料中的任何一种。
[0106] 第一层30可以设置在第一基底110上。整个第二像素区域PX2可以与第一层30叠置。第一层30具有导电性，并且第一层30可以包括各种导电金属或者具有与各种导电金属对应的导电特性的半导体材料。第一层30也可以阻挡或者吸收从感测模块500输出的光，例如，红外光。
[0107] 透射区域TA可以设置在第二像素区域PX2的所有侧面(例如，如图1中所示，顶侧、底侧、右侧和左侧)上。第一层30可以与相应的第二像素区域PX2叠置。例如，第一层30的单个部分可以对应于单个第二像素区域PX2，例如，对应于另一第二像素区域PX2的第一层30的另一部分与第一层30的单个部分可以彼此分开。当多个第二像素区域PX2相邻(例如，共用边界)时，与相邻的第二像素区域PX2叠置的相邻的第一层30可以被连接。
[0108] 缓冲层112位于第一层30上。缓冲层112可以包括无机绝缘材料(例如氧化硅、氮化硅、氧化铝等)，或者可以包括有机绝缘材料(例如聚酰亚胺或亚克力等)。
[0109] 包括沟道的半导体层130以及多个晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6和T7的第一电极和第二电极设置在缓冲层112上。
[0110] 第一栅极绝缘层141可以覆盖半导体层130。包括第一栅电极155、第一扫描线151、第二扫描线152以及发射控制线153的第一栅极导体位于第一栅极绝缘层141上。
[0111] 第二栅极绝缘层142可以覆盖第一栅极导体。第一栅极绝缘层141和第二栅极绝缘层142可以包括例如氮化硅、氧化硅、氧化铝等的无机绝缘材料或者有机绝缘材料。
[0112] 包括存储线126、初始化电压线127以及寄生电容器控制图案79的第二栅极导体设置在第二栅极绝缘层142上。
[0113] 层间绝缘层160可以覆盖第二栅极导体。层间绝缘层160可以包括例如氮化硅、氧化硅、氧化铝等的无机绝缘材料或者有机绝缘材料。
[0114] 包括数据线171、驱动电压线172、第一数据连接构件71、第二数据连接构件72以及第三数据连接构件73的数据导体位于层间绝缘层160上。第一数据连接构件71可以通过接触孔61连接到第一栅电极155。
[0116] 第一电极191位于钝化层180上。第一电极191通过形成在钝化层180中的接触孔81(见图4)连接到第三数据连接构件73。
[0117] 像素限定层或分隔壁350设置在钝化层180和第一电极191上。分隔壁350包括与第一电极191叠置(例如，使第一电极191的大部分暴露)的开口351。发射层370设置在开口351中。第二电极270例如沿着开口351的侧壁和分隔壁350的上表面设置在发射层370和分隔壁350上。第一电极191、发射层370和第二电极270形成发光器件LED。第一电极191可以是像素电极，第二电极270可以是共电极。
[0118] 像素电极可以是作为空穴注入电极的阳极，并且共电极可以是作为电子注入电极的阴极。可选择地，像素电极可以是阴极，并且共电极可以是阳极。当空穴和电子从像素电极和共电极被注入到发射层时，由注入的空穴和电子的结合而产生的激子从激发态跃迁到基态以发射光。
[0119] 用于保护发光器件LED的封装层400可以位于第二电极270上。封装层400可以如所示出地接触第二电极270，或者可以与第二电极270分开。
[0121] 第二像素区域PX2可以与光学构件(具体地，如以上所述的感测模块500)叠置。由第二像素区域PX2包括的晶体管T1至T7的特性会通过由感测模块500输出的红外光而变化。根据示例性实施例，整个第二像素区域PX2可以与第一层30叠置。第一层30阻断并阻挡由感测模块500输出的光，以防止第二像素区域PX2中的晶体管的特性被从感测模块500输出的光(例如，红外光)改变。
[0122] 参照图8，透射区域TA可以不包括晶体管和发光器件。透射区域TA可以包括用于连接第二区域DA2中的相邻的第二像素区域PX2的布线。例如，如图8中所示，透射区域TA可以包括布线，例如，第一扫描线151、第二扫描线152、发射控制线153、存储线126、初始化电压线127、数据线171和/或驱动电压线172。透射区域TA可以以与第一像素区域PX1和第二像素区域PX2的工艺相同的工艺制造，并且可以不包括第二像素区域PX2中的元件中的一些元件(例如，半导体层)。
[0123] 由于透射区域TA不包括另外的半导体层，因此透射区域TA不包括晶体管。此外，透射区域TA不包括另外的发光器件，因此不能显示图像。根据示例性实施例，透射区域TA可以与共电极叠置，或者可以从透射区域TA去除共电极。
[0124] 根据上述示例性实施例，第一区域DA1中的第一像素区域PX1和第二区域DA2中的第二像素区域PX2可以基本包括以类似的方式布置的晶体管、电容器和发光器件。第二像素区域PX2还可以包括与多个晶体管和电容器叠置的第一层30。第一层30的与第二像素区域PX2叠置的面积可以不同于第一层30的与第一像素区域PX1叠置的面积。例如，第一像素区域PX1可以不与第一层30叠置，使得可以防止产生不必要的负载或产生耦合。
[0125] 从显示面板100的后侧从感测模块500输出的光(例如，红外光)会入射在第二像素区域PX2上，从而由第二像素区域PX2包括的晶体管的特性会受到影响。然而，当第二像素区域PX2包括第一层30以阻挡从感测模块500输出的光(例如，红外光)时，可以减少或防止由于从感测模块500输出的光(例如，红外光)而引起的晶体管的物理性质的变化。
[0126] 此外，第二区域DA2包括除了第二像素区域PX2之外的透射区域TA，因此光进出光学构件(例如感测模块500)的透射率可以高。因此，对将由光学构件识别的目标的识别率和感测精度可以增大。
[0127] 现在将参照图9至图12描述根据示例性实施例的设置在第一区域中的第一像素区域。根据示例性实施例的第二像素区域与参照图5至图7提供的描述对应，并且透射区域与参照图8提供的描述对应，将对其省略。
[0128] 图9示出了根据示例性实施例的第一像素区域的电路图，图10示出了图9的第一像素区域的俯视图。图11示出了根据示例性实施例的第一像素区域的电路图，图12示出了图11的第一像素区域的俯视图。
[0129] 参照图9和图10，第一像素区域PX1可以包括多个晶体管T1至T7和电容器Cst。第一像素区域PX1的一部分可以与第一层30叠置。第一层30具有导电性，并且可以包括各种导电金属或者具有与各种导电金属对应的导电特性的半导体材料。
[0130] 第一层30可以是用于阻挡从感测模块500输出的光(例如，红外光)的层。红外光和可见光两者可以入射在第一层30上。第一层30可以透射可见光并阻挡红外光。
[0131] 第一层30可以与驱动晶体管T1、第三晶体管T3和补偿晶体管T4叠置。第一层30可以与很大程度上受第一像素区域PX1中的漏电流的影响的驱动晶体管T1、第三晶体管T3和第四晶体管T4叠置。第一层30设置在部分区域中，因此可以防止由红外光的透射引起的晶体管的特性的变化，而基本不减小可见光的透射率。
[0132] 根据示例性实施例，与第一像素区域PX1叠置的第一层30可以连接到第一扫描线151、数据线171、发射控制线153和/或驱动电压线172。
[0133] 根据示例性实施例，当感测模块500设置在显示面板100的后侧上时，由感测模块500输出的光束会部分地输入到第一区域DA1以及第二区域DA2。晶体管的特性会被红外光改变，或者漏电流会由于红外光而产生。当第一像素区域PX1包括与晶体管部分叠置的第一层30时，可以减少漏电流，可以防止由漏电流引起的图像质量的劣化，并且可以使晶体管的物理性质的变化最小化。
[0134] 综上所述，第一像素区域PX1可以与第一层30叠置。具体地，第一层30可以与在第一像素区域PX1中的多个晶体管之中最可能由于红外光而具有改变的物理性质的一些晶体管叠置。
[0135] 在这种情况下，第二像素区域PX2可以包括与多个晶体管和电容器叠置的第一层30。关于第二像素区域PX2，红外光可以从显示面板100的后侧输出，并且晶体管的特性会受红外光的影响。然而，第二像素区域PX2包括第一层30，从而防止晶体管被红外光改变。
[0136] 此外，第二区域DA2包括透射区域TA以及第二像素区域PX2，因此从光学构件(具体地，感测模块500)输出以及由光学构件(具体地，感测模块500)接收的光束的透射率可以高。因此，对将由光学构件识别的目标的识别率或感测精度可以增大。
[0137] 参照图11和图12，第一像素区域PX1可以包括多个晶体管T1至T7和电容器Cst。第一像素区域PX1的一部分可以与第一层30叠置。第一层30具有导电性，并且第一层30可以包括各种导电金属或者具有与各种导电金属对应的导电特性的半导体材料。
[0138] 第一层30可以阻挡从感测模块500输出的光，例如，红外光。红外光和可见光两者可以入射在第一层30上。第一层30可以透射可见光并阻挡红外光。
[0139] 第一层30可以与驱动晶体管T1、第三晶体管T3、第四晶体管T4和第七晶体管T7叠置。第一层30可以与在很大程度上受第一像素区域PX1中的漏电流的影响的驱动晶体管T1、第三晶体管T3、第四晶体管T4和第七晶体管T7叠置。第一层30设置在第一像素区域PX1的部分区域中，因此可以防止由于红外光而引起的晶体管的特性的变化，而基本上不减小透射率。
[0140] 根据示例性实施例，当感测模块500设置在显示面板100的后侧上时，由感测模块500输出的光会部分地入射在第一区域DA1以及第二区域DA2上。晶体管的特性会由于红外光而改变，或者漏电流会由于红外光而产生。
[0141] 然而，第一像素区域PX1包括与晶体管部分地叠置的第一层30，从而减少漏电流，防止由漏电流引起的图像质量的劣化，并且使晶体管的物理性质的变化最小化。
[0142] 综上所述，第一像素区域PX1可以与第一层30叠置。具体地，第一层30可以与由第一像素区域PX1包括的多个晶体管之中最易受由红外光引起的物理性质变化影响的一些晶体管叠置。
[0143] 此外，第二像素区域PX2可以包括与多个晶体管和电容器叠置的第一层30。关于第二像素区域PX2，红外光可以从显示面板100的后侧输出，并且晶体管的特性会受红外光的影响。然而，第二像素区域PX2包括第一层30以防止晶体管的物理性质被红外光改变。
[0144] 此外，第二区域DA2包括透射区域TA以及第二像素区域PX2，因此从光学构件(具体地，感测模块500)输出的光束和入射在光学构件(具体地，感测模块500)上的光束的透射率可以高。因此，对将由光学构件识别的目标的识别率或感测精度可以增大。
[0145] 现在将参照图13至图16描述根据示例性实施例的第二像素区域。根据示例性实施例的第一像素区域与参照图3和图4提供的描述对应，透射区域与参照图8提供的描述对应，将不对其进行描述。
[0146] 图13示出了根据示例性实施例的第二像素区域的电路图，图14示出了图13的第二像素区域的俯视图。图15示出了根据示例性实施例的第二像素区域的电路图，图16示出了图15的第二像素区域的俯视图。
[0147] 参照图13和图14，根据示例性实施例的第二像素区域PX2可以包括多个晶体管T1至T7和电容器Cst。在这种情况下，第二像素区域PX2的一部分可以与第一层30叠置。第一层30是导电的，并且可以包括各种导电金属或者具有与各种导电金属对应的导电特性的半导体材料。
[0148] 第一层30阻挡从感测模块500输出的光，例如，红外光。红外光和可见光两者可以入射在第一层30上。第一层30可以透射可见光并阻挡红外光。
[0149] 第一层30可以与驱动晶体管T1、第三晶体管T3和补偿晶体管T4叠置。第一层30与很大程度上受第二像素区域PX2中的漏电流的影响的驱动晶体管T1、第三晶体管T3和第四晶体管T4叠置，从而防止由红外光的透射而引起的晶体管的特性的变化，而基本上不减小可见光的透射率。
[0150] 综上所述，根据示例性实施例的第二像素区域PX2的一部分可以与第一层30叠置。具体地，第一层30可以与由第二像素区域PX2包括的多个晶体管之中最易受由于红外光而引起的物理性质的变化影响的一些晶体管叠置。
[0151] 第一像素区域PX1具有与第二像素区域PX2的布置基本相同的布置，但是可以不与第一层30叠置。此外，第二区域DA2包括透射区域TA和第二像素区域PX2，因此从光学构件(具体地，感测模块500)输出的光束的透射率可以高。因此，对将由光学构件识别的目标的识别率或感测精度可以增大。
[0152] 参照图15和图16，第二像素区域PX2可以包括多个晶体管T1至T7和电容器Cst。
[0153] 在这种情况下，第二像素区域PX2的一部分可以与第一层30叠置。第一层30是导电的，并且可以包括各种导电金属或者具有与各种导电金属对应的导电特性的半导体材料。
[0154] 第一层30阻挡从感测模块500输出的光，例如，红外光。红外光和可见光两者可以入射在第一层30上。第一层30可以透射可见光并阻挡红外光。
[0155] 根据示例性实施例的与第二像素区域PX2叠置的第一层30可以与驱动晶体管T1、第三晶体管T3、第四晶体管T4和第七晶体管T7叠置。第一层30与在很大程度上受第二像素区域PX2中的漏电流的影响的驱动晶体管T1、第三晶体管T3、第四晶体管T4和第七晶体管T7叠置，从而防止由红外光的透射而引起的晶体管的特性的变化，而基本上不减小可见光的透射率。
[0156] 综上所述，第二像素区域PX2的一部分可以与第一层30叠置。具体地，第一层30可以与由第二像素区域PX2包括的多个晶体管之中最易受由于红外光而引起的物理性质的变化影响的一些晶体管叠置。
[0157] 第一像素区域PX1具有与第二像素区域PX2的布置基本相同的布置，但是可以不与第一层30叠置。此外，第二区域DA2包括第二像素区域PX2和透射区域TA，因此从光学构件(具体地，感测模块500)输出的光束的透射率可以高。因此，对将由光学构件识别的目标的识别率或感测精度可以增大。
[0158] 当根据示例性实施例包括第一层时，一个像素区域的负载会增大，或者会产生由第一层与其他信号布线之间的耦合引起的信号失真。然而，当根据示例性实施例第一层设置在与感测模块叠置的第二像素区域中并且第一层选择性地设置在第一像素区域中时，在第二像素区域中减小了由红外光引起的图像质量的变化，并且在第一像素区域中提供了预定的图像质量，从而提供具有优异的显示质量的显示装置。
[0159] 根据示例性实施例，显示装置包括设置在显示面板的后侧上的感测模块，从而提供前向的显示装置。此外，与感测模块叠置的像素区域包括阻挡由感测模块输出的光的第一层，从而使由感测模块输出的光引起的图像质量的变化最小化，并且提供质量改善的显示装置。
[0160] 一个或更多个实施例可以提供包括设置在显示面板的后侧上的感测模块的前向显示装置。一个或更多个实施例通过允许与感测模块叠置的像素区域包括阻挡从感测模块输出的光的第一层，可以防止由感测模块引起的图像质量的变化。
[0161] 这里已经公开了示例实施例，虽然采用了特定术语，但是仅以一般性和描述性的意义来使用和解释他们，而不是出于限制的目的。在一些情况下，对于截止至提交本申请之时的本领域普通技术人员将明显的是，除非另外明确表明，否则结合具体实施例描述的特征、特性和/或元件可以单独使用，或者可以与结合其他实施例描述的特征、特性和/或元件组合使用。因此，本领域技术人员将理解的是，在不脱离如权利要求阐述的本发明的精神和范围的情况下，可以做出形式上和细节上的各种改变。
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