Lithium tetraboride single crystal growth furnace
专利汇可以提供Lithium tetraboride single crystal growth furnace专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且PURPOSE: To reduce the cost by dividing the resistance heating means of a specified furnace into upper and lower heating means directly above the upper end of a crucible and providing a heat releasing distance between the upper and lower heating means.
CONSTITUTION: A heater 1 as a resistance heating means is divided into the upper and lower heaters directly above the upper end of a crucible 3, and the distance (b) and the inner diameter (a) are limited to conform to b=(0.05 to 0.25) a to fabricate a lithium tetraboride single crystal growth furnace by the Czochralski process. A molten material 2 is then placed in the crucible 3 and heated by the upper and lower heaters, the furnace temp. gradient close to the face of the melt 2 is controlled to 50 to 200°C/cm, and a lithium tetraboride single crystal is grown.
COPYRIGHT: (C)1994,JPO，下面是Lithium tetraboride single crystal growth furnace专利的具体信息内容。
２５）×ａとする。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、育成時に融液面近傍で大きな炉内温度勾配を必要とする四ホウ酸リチウム単結晶の育成に用いられる育成炉に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、四ホウ酸リチウム単結晶の育成には、融液面近傍で大きな炉内温度勾配を必要とするので、高周波加熱炉を使用し育成されていたが、高周波加熱炉はコストが高騰するという問題があった。 また抵抗加熱炉は運転コストおよび設備経費が安く量産に適すという利点はあるが、融液直上の炉内温度勾配を大きくすることが困難であった。 抵抗加熱炉で大きな温度勾配を得る場合には多段ヒータ構造が用いられるが、このような技術手段では高周波加熱炉に匹敵するような大きな温度勾配は得られないという問題があった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明は高価な高周波加熱炉を使用することなく、従来技術では不可能であった抵抗加熱炉を用いて、融液近傍で大きな温度勾配を実現する四ホウ酸リチウム単結晶の育成炉を提供することを課題とするものである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、上述の課題を解決するもので、抵抗加熱手段を用いた、チョクラスルキー法による四ホウ酸リチウム単結晶の育成炉に適用され、次の技術手段を採った。 すなわち、該抵抗加熱手段をルツボ上端直上で上下に分割すると共に、該上下加熱手段間に、抜熱用離間距離ｂを設けたことを特徴とする四ホウ酸リチウム単結晶の育成炉である。
【０００５】但し、ａを下炉の内径とした場合、ｂ＝
（０．０５〜０．２５）×ａとする。
【０００６】
【作用】従来行われている抵抗加熱炉による多段ヒータ方式は、それぞれのヒータの温度差によって温度勾配を得ていた。 しかし、この技術手段では高周波加熱炉で得られているような高い温度勾配は得られなかった。 本願は上述のように構成したので、上下のヒータ間の離間部分から抜熱することによって大きな炉内温度勾配を得ることを可能としたものである。
【０００７】
【実施例】本発明の実施例の構成を図１に示す。 図１は断面の説明図である。 １はヒータ、２はルツボ３中の融液である。 本発明では炉のヒータ１をルツボ３の上端直上で上下に分割し、その離間距離をｂ、下炉の内径をａ
とした場合、 ｂ＝（０．０５〜０．２５）×ａ に構成することにより、融液面近傍における炉内温度勾配を５０〜２００℃／ｃｍとすることができ、抵抗加熱炉を使用する四ホウ酸リチウム単結晶の育成が可能となった。
【０００８】図２は本願の一実施例と従来例の温度勾配を比較したグラフであり、従来例はｂ＝０であり、本実施例ではｂ＝０．１５ａとしたものである。 図２は、本願の方が従来例より融液面近傍における結晶の温度勾配を大きくすることができることを示している。
【０００９】
【発明の効果】本発明は、従来高周波加熱炉を使用しなければ育成できなかった四ホウ酸リチウム単結晶でも抵抗加熱炉により育成が可能となるので、四ホウ酸リチウム単結晶育成の低コスト化に優れた効果を奏する。
【図１】本発明の実施例の断面の説明図である。
【図２】本発明の作用効果を示す従来例との比較グラフである。
１ ヒータ ２ 融液 ３ ルツボ ａ 炉の内径 ｂ 離間距離
| 标题 | 发布/更新时间 | 阅读量 |
|---|---|---|
| 单晶硅的制造方法、外延硅晶片、以及单晶硅基板 | 2020-05-12 | 181 |
| 一种冶炼烟气制硫磺的工艺 | 2020-05-12 | 918 |
| 硫磺尾气排放处理工艺及装置 | 2020-05-17 | 527 |
| 一种功能化离子液体吸收烟气中二氧化硫并用克劳斯反应低温再生的工艺方法 | 2020-05-15 | 989 |
| 一种超重力克劳斯尾气脱硫系统装置及应用 | 2020-05-16 | 476 |
| 一种酸性气处理的方法和装置 | 2020-05-08 | 626 |
| TiO2基催化剂前体材料、其制备及其用途 | 2020-05-17 | 996 |
| 克劳斯尾气处理方法及处理系统 | 2020-05-08 | 350 |
| 低浓度酸性气的硫磺回收工艺 | 2020-05-16 | 708 |
| 基于硫磺回收装置的克劳斯配风控制系统 | 2020-05-11 | 556 |
高效检索全球专利专利汇是专利免费检索,专利查询,专利分析-国家发明专利查询检索分析平台，是提供专利分析，专利查询，专利检索等数据服务功能的知识产权数据服务商。
我们的产品包含105个国家的1.26亿组数据，免费查、免费专利分析。
专利汇分析报告产品可以对行业情报数据进行梳理分析，涉及维度包括行业专利基本状况分析、地域分析、技术分析、发明人分析、申请人分析、专利权人分析、失效分析、核心专利分析、法律分析、研发重点分析、企业专利处境分析、技术处境分析、专利寿命分析、企业定位分析、引证分析等超过60个分析角度，系统通过AI智能系统对图表进行解读，只需1分钟，一键生成行业专利分析报告。
