Production of silicon wafer
专利汇可以提供Production of silicon wafer专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且PURPOSE:To obtain a single crystal silicon wafer being high in pressure resistance of an oxide film by specifying magnetic field applying condition and pulling-up rate in a producing method of a silicon wafer by a Czochralski process which applies magnetic field. CONSTITUTION:When a silicon wafer is produced by a Czochralski process which applies magnetic field, magnetic field applying conditions are set so as to keep oxygen concentration of the silicon wafer immediately after pulling up to and, simultaneously, the silicon wafer is pulled up at a pulling-up rate of，下面是Production of silicon wafer专利的具体信息内容。
×１０ 18 ／ｃｍ 3以下となるように磁場印加条件を設定するとともに、 該シリコンウェーハを、１．２ｍｍ／分以下の引き上げ速度で引き上げたことを特徴とするシリコンウェーハの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はシリコンウェーハの製造方法、特にＭＣＺ法（磁場印加チョクラルスキー法）の改良に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、メガビットメモリの量産化に基づいてＤＲＡＭ、ＥＰＲＯＭ等の半導体素子の高集積化が要求されている。 そしてこれらのＥＰＲＯＭ等を形成するシリコンウェーハについてもより一層の高品質化、例えばゲート酸化膜の信頼性を高めることが要望されている。
【０００３】従来のシリコンウェーハの製造方法としては、ＣＺ法が知られていた。 このＣＺ法で成長させたシリコン単結晶は、導電形、抵抗率を決定するために添加されるドーパント以外にも、不純物として酸素を１０ 18
ｃｍ -3程度の濃度で含んでいた。 この酸素は、結晶成長時に多結晶シリコンを溶融する容器である石英るつぼから融液中に溶出し、成長した単結晶シリコンに含まれるものである。 ＣＺ法の結晶では酸素がデバイス製造プロセスで用いる通常の熱処理温度では過飽和となり、その熱処理中に析出し、結晶欠陥の原因となっている。
【０００４】このシリコン単結晶の酸素濃度を制御する方法として、坩堝内の融液に強磁界を印加するＭＣＺ法が知られている。 この方法によれば、結晶回転、誘導回転、坩堝回転を制御して結晶の酸素濃度を制御するものである。
【０００５】また、上記ＣＺ法にあって単結晶の引き上げ速度を遅くすることにより、酸化膜耐圧を高めることが知られている。 この場合、ＣＺウェーハにおける酸素濃度は上述のように高いものであった。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】このような従来のシリコンウェーハの製造方法にあっては、必ずしも高耐圧のシリコンウェーハを得ることができなかった。 これは引き上げ直後のシリコンウェーハ中に高濃度の酸素が存在し、デバイス熱処理により欠陥を引き起こし、耐圧を低下させるからである。
【０００７】
【発明の目的】本発明の目的は、例えば、ゲート酸化膜の耐圧が高く信頼性に富むフラッシュメモリを形成可能な高耐圧のシリコンウェーハを得ることができるシリコンウェーハの製造方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明は、磁場印加チョクラルスキ法によるシリコンウェーハの製造方法にあって、引き上げ直後の該シリコンウェーハの酸素濃度が１．２×１０ 18 ／ｃｍ 3以下となるように磁場印加条件を設定するとともに、該シリコンウェーハを、１．２ｍｍ／分以下の引き上げ速度で引き上げたシリコンウェーハの製造方法である。
【０００９】
【作用】請求項１に記載の発明によれば、低酸素濃度のシリコンウェーハを得ることができる。 したがって、以後このシリコンウェーハについてデバイス形成用の熱処理を施しても、この格子間酸素に起因する欠陥が増加することがない。 よって、酸化膜耐圧の高いシリコンウェーハを得ることができるものである。
【００１０】
【実施例】以下、本発明の実施例を説明する。 次表は直径５インチのＭＣＺシリコンウェーハにおける引き上げ速度と酸素濃度との関係を示している。 また、図１はその結晶引き上げ速度と酸化膜耐圧との関係を示している。
【００１１】
【表１】
【００１２】また、上記各引き上げ速度におけるシリコンウェーハの炭素濃度はいずれも１×１０ 16 ／ｃｍ 3以下となっている。 なお、酸素濃度の測定は旧ＡＳＴＭによるものである。 さらに、図１に明らかなように、引き上げ速度を遅くする程酸化膜耐圧値は高くなるものである。
【００１３】
【発明の効果】本発明によれば、酸化膜耐圧が高いシリコンウェーハを製造することができる。
【図１】本発明の実施例に係る結晶引き上げ速度と酸化膜耐圧との関係を示すグラフである。
| 标题 | 发布/更新时间 | 阅读量 |
|---|---|---|
| 单晶硅的制造方法、外延硅晶片、以及单晶硅基板 | 2020-05-12 | 181 |
| 一种冶炼烟气制硫磺的工艺 | 2020-05-12 | 918 |
| 硫磺尾气排放处理工艺及装置 | 2020-05-17 | 527 |
| 一种功能化离子液体吸收烟气中二氧化硫并用克劳斯反应低温再生的工艺方法 | 2020-05-15 | 989 |
| 一种超重力克劳斯尾气脱硫系统装置及应用 | 2020-05-16 | 476 |
| 一种酸性气处理的方法和装置 | 2020-05-08 | 626 |
| TiO2基催化剂前体材料、其制备及其用途 | 2020-05-17 | 996 |
| 克劳斯尾气处理方法及处理系统 | 2020-05-08 | 350 |
| 低浓度酸性气的硫磺回收工艺 | 2020-05-16 | 708 |
| 基于硫磺回收装置的克劳斯配风控制系统 | 2020-05-11 | 556 |
高效检索全球专利专利汇是专利免费检索,专利查询,专利分析-国家发明专利查询检索分析平台，是提供专利分析，专利查询，专利检索等数据服务功能的知识产权数据服务商。
我们的产品包含105个国家的1.26亿组数据，免费查、免费专利分析。
专利汇分析报告产品可以对行业情报数据进行梳理分析，涉及维度包括行业专利基本状况分析、地域分析、技术分析、发明人分析、申请人分析、专利权人分析、失效分析、核心专利分析、法律分析、研发重点分析、企业专利处境分析、技术处境分析、专利寿命分析、企业定位分析、引证分析等超过60个分析角度，系统通过AI智能系统对图表进行解读，只需1分钟，一键生成行业专利分析报告。
