专利汇可以提供Process for producing single crystal专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且PURPOSE: To control oxygen concentration in a crystal and obtain a single crystal having uniform oxygen concentration using Czochralski process by attaching a cylindrical barrier wall under a heat-radiation shielding member and adjusting the depth of the barrier wall immersed in molten liquid.
CONSTITUTION: A single crystal 7 is produced by an apparatus having a crucible 3 for melting raw materials, a means for pulling up a single crystal 7 from the molten materials, and a heat-radiation shielding member 8 placed around the pulling-up zone of the single crystal 7 above the crucible 3. In the above apparatus for Czochralski process, a cylindrical barrier wall 9 is placed under the shielding member 8 to divide the molten material into an inner region and an outer region while leaving the lower part of the molten liquid to be movable between the regions. The depth of the barrier wall 9 immersed in the molten liquid is made to be adjustable.
COPYRIGHT: (C)1991,JPO&Japio,下面是Process for producing single crystal专利的具体信息内容。
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