Production of compound semiconductor single crystal
专利汇可以提供Production of compound semiconductor single crystal专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且PURPOSE: To produce a single crystal having uniform impurity concentration with a relatively simple process using a liquid-encapsulated Czochralski process by remelting solidified liquid in the case of adding an impurity.
CONSTITUTION: A polycrystalline GaAs and In as an impurity are charged into a crucible 1 and melted by heating with a heater 2. The crucible 1 is lowered to effect the solidification of the liquid from under. Thereafter, exclusively the top part of the solidified crystal is remelted and the crystal growth is carried out under the same condition as conventional LEC process. A GaAs single crystal 6 having uniform In concentration throughout the whole length can be produced by this process.
COPYRIGHT: (C)1990,JPO&Japio，下面是Production of compound semiconductor single crystal专利的具体信息内容。
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