首页 / 专利库 / 作物管理 / 地块 / 试验小区 / Logical synthesis method for semiconductor integrated circuit and chip for logical synthesis

Logical synthesis method for semiconductor integrated circuit and chip for logical synthesis

阅读:95发布:2021-01-08

专利汇可以提供Logical synthesis method for semiconductor integrated circuit and chip for logical synthesis专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且PROBLEM TO BE SOLVED: To prevent the requirement of a long period for the start of retral from a diffusion process at the time of redesigning the logic of a cell pace LSI and executing its retrial. SOLUTION: In a logical synthesis process, processing is executed by a process for discriminating a resigned HDL part 106, a process 108 for discriminating a network list part to be changed, a process 112 existing on a layout and prepared for extracting a cell allowed to be used for the redesign of a network list, a process 114 for synthesizing a required circuit by using only the cell, and a process 116 for combining the redesigned network list and an unchanged network list. Consequently required logic can be syntlaesized by using only cells constituting the circuit required to be redesigned and preparatory cells included within a fixed distance from the constitutional cells, so that when a wafer of which trial is interrupted before a wiring process is stored, its retrial can be completed only by the wiring process.,下面是Logical synthesis method for semiconductor integrated circuit and chip for logical synthesis专利的具体信息内容。

【特許請求の範囲】
  • 【請求項1】 回路を再設計する際、再設計を要する回路を構成していたセルと、未使用の予備セルとを初期設計配置情報をもとに選出し、 これらのセルを使用して所望の論理を合成することを特徴とする半導体集積回路の論理合成方法。
  • 【請求項2】 前記未使用の予備セルの選出しに、配線距離の制限を加え、タイミング制約を充足することを特徴とする請求項1に記載の半導体集積回路の論理合成方法。
  • 【請求項3】 論理記述比較処理過程と、ネットリスト切り出し処理過程と、セル情報抽出処理過程と、回路生成/最適化処理過程と、ネット結合処理過程とを有し、
    論理回路の再設計を行う半導体集積回路の論理合成方法であって、 論理記述比較処理過程は、初期設計のHDL記述と再設計されたHDL記述を比較し、再設計されたHDL記述を、変更のあったHDL記述部分と変更の無かったHD
    L記述部分とに分類する処理であり、 ネットリスト切り出し処理過程は、初期設計ゲートレベル・ネットリストから、変更のあったHDL記述部分と変更のなかったHDL記述部分とを使って、変更が不要なネットリストと変更がネットリストと予備セルを切り出す処理であり、 セル情報抽出処理過程は、変更が必要なネットリストと予備セルから、再論理合成で使えるセルを抽出する処理であり、 回路生成/最適化処理過程は、上述の使用可能セルだけを使って、論理記述比較処理過程の出力する変更されたHDL記述部分だけに対して、ネットリストを合成する処理であり、 ネット結合処理過程は、上述の再合成されたネットリストと、上述のネットリスト切り出し処理過程の出力である変更が不要なネットリストとを結合して、最終目的の再設計されたゲートレベル・ネットリストを出力する処理を行うものであることを特徴とする半導体集積回路の論理合成方法。
  • 【請求項4】 前記セル情報抽出処理過程は、初期設計配置情報をもとに使用可能なセルの抽出に制限を加えて抽出処理を行うものであることを特徴とする請求項3に記載の半導体集積回路の論理合成方法。
  • 【請求項5】 セルと、予備セルとを有し、回路設計用として使用する論理合成用チップであって、 前記セルは、設計する回路を構成するためのものであり、 前記予備セルは、初期設計係に行われる再設計時に論理回路を合成するために使用されるものであり、 これらのセルは、チップ上に混在して配置されるものであることを特徴とする論理合成用チップ。
  • 【請求項6】 前記予備セルは、配線用の隙間を利用して設けられるものであることを特徴とする請求項5に記載の論理合成用チップ。
  • 说明书全文

    【発明の詳細な説明】

    【0001】

    【発明の属する技術分野】本発明は、半導体集積回路の論理合成方法及び論理合成用チップに関し、特に、再設計/再試作の際に、拡散工程に後戻りすることのないように配線工程の変更だけで、論理上の変更を加えられるように回路を合成する再論理合成方法及び論理合成用チップに関する。

    【0002】

    【従来の技術】大規模半導体集積回路の設計では、設計期間を短縮するために、論理合成ツールによる回路設計と、配置配線ツールによるレイアウトを柱としたセルベース設計とが広く行われている。 集積回路が大規模化すればするほど、その論理は複雑となり、設計段階では見いだせなかった不具合が、試作後に見いだされることが多くなってきている。 また、製品サイクルが短くなりつつあるのを受け、試作開始後に仕様変更が生じ、試作完了後に再設計することもめずらしくはない。 このような状況から、再設計から再試作完了までをいかに早くするかが求められている。

    【0003】図6は、従来の論理合成手法を用いた回路設計工程における再設計のフローである。 従来の論理合成603において再設計されたHDL記述601は、回路生成/最適化処理過程604によって、セルライブラリ602に用意されたセルを用いて、最終目的である再設計されたゲートレベル・ネットリスト605に変換される。 ここで回路生成/最適化処理過程604は、セルライブラリ602に用意されているセルであって、かつ合成時に使用許可が与えられているセルであれば、それを個数的には無制限に使用して、HDL記述601を設計者の要求を満たすゲートレベルのネットリストに変換する。 すなわち、初期設計で使用したセル以外のセルも使用して合成が行われる。

    【0004】具体例を図7(a)、(b)を用いて説明する。 図7(a)に示すように、回路203、205がインバータ204で接続されている回路が初期設計で生成され、論理上の不具合を修正するために、インバータ204の入を、別の信号とNANDをとった後、D−
    FFで同期をとって回路205へ入力するように変更する場合を考える。

    【0005】従来の論理合成では、もっとも初期設計に近い形で合成されたとしても、図7(b)に示すように、新たに2入力NAND701とD−FF702が追加され、インバータ204が削除された回路が合成される。 つまり、初期設計で生成された回路には存在しなかった2入力NAND701とD−FF702が新たに回路に加わることになる。

    【0006】図8は従来の論理合成手法を用いた場合の、初期設計から試作、再設計、再試作を経て製品開発が完了するまでのフロー図である。

    【0007】まず、初期設計の完了したHDL記述80
    1を論理合成301でゲートレベルの回路に変換し、配置302、配線303で初期レイアウトした後、マスク作成304で試作に必要なレチクルを作成する。 その後、試作:拡散工程305と試作:配線工程306を経て、初期試作が完了してサンプルを入手する。 機能評価307で、機能的な不具合が見いだされたり、初期設計に対する仕様変更が生じた場合は、以下の再設計、再試作となる。

    【0008】再設計となると、HDL記述再設計308
    でHDL記述の不具合を修正し、あるいは仕様変更をH
    DL記述に反映させ、論理合成603で再設計されたH
    DL記述をゲートレベルの回路に変換する。 合成が完了すると、再配置802、再配線803で再レイアウトした後、マスク作成310で再試作に必要なレチクルを作成する。

    【0009】その後、再び、試作:拡散工程305と試作:配線工程306を経て、再試作が完了してサンプルを入手する。 機能評価307が完了した段階で仕様に変更がなく、機能的にも問題がなくなるまで、HDL記述再設計308から機能評価307のループを繰り返す。

    【0010】

    【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の手法では、再設計用に論理合成を実行する際に、セルライブラリに用意されているセルであって、かつ合成時に使用許可が与えられているセルであれば、それを個数的には無制限に使用して、HDL記述を設計者の要求を満たすゲートレベルのネットリストに変換してしまう。 つまり、使用できるセルの種類には制限を加えられても、
    使用できるセルの数には制限が加えられなかった。

    【0011】このため、合成された回路には、初期設計に使用したセル以外のセルも存在することになる。 したがって、初期設計のレイアウトを配線工程だけ修正してレイアウトを完成させることができず、レイアウトは拡散工程からやり直しとなる。 このため、再設計の完了から再試作が完了するまで約2、3ケ月という長期間が必要であった。

    【0012】本発明の目的は、セルベースLSIの論理を再設計して再試作する際に、拡散工程から再試作を始めるために再試作に長時間を要するのを防止した半導体集積回路の論理合成方法及びその装置を提供することにある。

    【0013】

    【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため、本発明に係る半導体集積回路の論理合成方法は、回路を再設計する際、再設計を要する回路を構成していたセルと、未使用の予備セルとを初期設計配置情報をもとに選出し、これらのセルを使用して所望の論理を合成するものである。

    【0014】また前記未使用の予備セルの選出しに、配線距離の制限を加え、タイミング制約を充足するものである。

    【0015】また、本発明に係る半導体集積回路の論理合成方法は、論理記述比較処理過程と、ネットリスト切り出し処理過程と、セル情報抽出処理過程と、回路生成/最適化処理過程と、ネット結合処理過程とを有し、論理回路の再設計を行う半導体集積回路の論理合成方法であって、論理記述比較処理過程は、初期設計のHDL記述と再設計されたHDL記述を比較し、再設計されたH
    DL記述を、変更のあったHDL記述部分と変更の無かったHDL記述部分とに分類する処理であり、ネットリスト切り出し処理過程は、初期設計ゲートレベル・ネットリストから、変更のあったHDL記述部分と変更のなかったHDL記述部分とを使って、変更が不要なネットリストと変更がネットリストと予備セルを切り出す処理であり、セル情報抽出処理過程は、変更が必要なネットリストと予備セルから、再論理合成で使えるセルを抽出する処理であり、回路生成/最適化処理過程は、上述の使用可能セルだけを使って、論理記述比較処理過程の出力する変更されたHDL記述部分だけに対して、ネットリストを合成する処理であり、ネット結合処理過程は、
    上述の再合成されたネットリストと、上述のネットリスト切り出し処理過程の出力である変更が不要なネットリストとを結合して、最終目的の再設計されたゲートレベル・ネットリストを出力する処理を行うものである。

    【0016】また前記セル情報抽出処理過程は、初期設計配置情報をもとに使用可能なセルの抽出に制限を加えて抽出処理を行うものである。

    【0017】また本発明に係る論理合成用チップは、セルと、予備セルとを有し、回路設計用として使用する論理合成用チップであって、前記セルは、設計する回路を構成するためのものであり、前記予備セルは、初期設計係に行われる再設計時に論理回路を合成するために使用されるものであり、これらのセルは、チップ上に混在して配置されるものである。

    【0018】また前記予備セルは、配線用の隙間を利用して設けられるものである。

    【0019】

    【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図により説明する。

    【0020】(実施形態1)図1は、本発明の実施形態1に係る回路設計工程における再設計のフローである。

    【0021】まず、初期設計の段階で他の回路とは接続しない予備のセル(以下、予備セルという)を、再設計用として初期設計HDL記述102に、ゲートレベルの記述で組み込み、レイアウト上無作為に配置しておく。
    配置配線ツールでは、セルを100%敷き詰めて配置すると配線が不可能になるため、やや隙間をあけてセルを配置する。 予備セルは、チップ面積を増やさぬように前記隙間を利用して設けるように配置する。

    【0022】論理回路を再設計するにあたり、HDL記述102と再設計されたHDL記述103を論理記述比較処理104にて比較し、再設計されたHDL記述10
    3を、変更のあったHDL記述部分105と変更のなかったHDL記述部分106とに分類する。

    【0023】次に、変更のあったHDL記述部分105
    と変更のなかったHDL記述部分106とをもとに、初期設計ゲートレベル・ネットリスト107から、ネットリスト切り出し処理108にて、変更が不要なネットリスト109と変更が必要なネットリスト110と予備セル111とに分類する。

    【0024】次に、変更が必要なネットリスト110を構成するセルと予備セル111とを、再使用可能なセルとして抽出する。 この再使用可能セルだけを使って、回路生成/最適化処理114にて、変更されたHDL記述部分106だけに対して、回路を合成し最適化をして、
    変更部分のネットリスト115を得る。

    【0025】最後に、この変更部分のネットリスト11
    5と、変更が不要なネットリスト109とを、ネット結合処理116で結合して、最終目的の再設計されたゲートレベル・ネットリストを得る。

    【0026】具体例を図2(a)、(b)を用いて説明する。 図2(a)に示すように、回路203、205がインバータ204で接続されている回路が初期設計で生成され、予備セルとして3入力NAND201とリセット付きD−FF202とが配置されているものとする。
    そして、論理上の不具合を修正するために、インバータ204の入力を、別の信号とNANDをとった後、D−
    FFで同期をとって回路205へ入力するように変更する場合を考える。

    【0027】本発明の論理合成101では、まず、HD
    L記述比較処理104とネットリスト切り出し処理10
    8とにより、回路203、204を変更が不要なネットリストと判断する。

    【0028】次に、セル情報抽出処理112にて、インバータ204と予備セルの3入力NAND201とリセット付きD−FF202とを再利用可能なセルと判断する。 さらに、この2つのセルを使って、回路生成/最適化処理114により、上述したような論理の修正を施した回路を合成する。

    【0029】その結果、図7(b)に示すように、新たに3入力NAND201を2入力NANDとして使用し、リセット付きD−FF202をリセットなしのD−
    FFとして利用し、インバータ204を切り離した回路が構成される。 つまり、初期設計で生成された回路に対して配線の変更のみにより所望の回路を実現する。

    【0030】図3は、本発明の論理合成手法を用いた場合の、初期設計から試作、再設計、再試作を経て製品開発が完了するまでのフロー図である。

    【0031】まず、初期設計の完了したHDL記述(予備セルを含む)102を論理合成301でゲートレベルの回路に変換し、セルの配置302を行う。 この際、予備セルを無作為に配置しておく。 配置後、配線303を行って初期レイアウトを完了した後、マスク作成304
    で試作に必要なレチクルを作成する。

    【0032】その後、試作:拡散工程305と試作:配線工程306を経て、初期試作が完了してサンプルを入手する。 機能評価307で、機能的な不具合が見いだされたり、初期設計に対する仕様変更が生じた場合は、以下の再設計、再試作となる。

    【0033】再設計となると、HDL記述再設計308
    でHDL記述の不具合を修正し、あるいは仕様変更をH
    DL記述に反映させ、論理合成101で再設計されたH
    DL記述103をゲートレベルの回路に変換する。 合成が完了すると、再配線309で再レイアウトした後、マスク作成310で再試作に必要なレチクルを作成する。

    【0034】その後、再び、試作:配線工程306を経て、再試作が完了してサンプルを入手する。 機能評価3
    07が完了した段階で仕様に変更がなく、機能的にも問題がなくなるまで、HDL記述再設計308から機能評価307のループを繰り返す。

    【0035】この図3に示すフローから明らかなように、本発明の論理合成法を用いれば、再設計後の再試作において、拡散工程まで戻る必要がなくなる。 初期試作の際に、配線工程前で試作を中断したウェハーを保存しておけば、配線工程だけで再試作を完了することができる。 このため、再試作に要する期間を従来の2、3ケ月から2週間程度の約1/4に短縮することが可能となる。

    【0036】(実施形態2)図4は、本発明の実施形態2に係る回路設計工程における再設計のフローである。
    実施形態2は、実施形態1と比べて、セル情報抽出処理402の実行時に、初期設計での配置情報をもとに、互いに近傍に配置されていることという条件で再利用可能なセルを抽出しているところが異なる。

    【0037】再設計を要する回路を構成していたセルは、初期配置の段階で互いに近い位置に配置されているが、予備セルはチップ全体に散在している。 無作為に選んだ予備セルと、再設計を要する回路を構成していたセルとで、回路を再構成した場合は、配線が長くなり、タイミング制約を満たせない可能性がある。

    【0038】そこで、再設計を要する回路を構成していたセルと、それらのセルから一定距離内にある予備セルを、初期設計配置情報をもとに選び出し、これらのセルだけを使って、所望の論理を合成するのである。

    【0039】図5は、本発明の実施形態2における初期設計から試作、再設計、再試作を経て製品開発が完了するまでのフロー図である。 基本的には実施形態1のフローと同じであるが、配置302後にセルの配置情報40
    1を抽出し、セル情報抽出処理402で、再設計を要する回路を構成していたセルと、それらのセルから一定距離内にある予備セルだけを、使用可能セルとして抽出している。

    【0040】本実施形態2によれば、互いに近傍に配置されたセルだけで論理合成することにより、タイミング制約を満たし、かつ、配線工程だけの再試作で所望の回路が実現できるという利点がある。

    【0041】

    【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、回路を再設計する際、再設計を要する回路を構成していたセルと、それらのセルから一定距離内にある予備セルとを、初期設計配置情報をもとに選び出し、これらのセルだけを使って、所望の論理を合成することにより、タイミング制約を満たしつつ、再設計後の再試作において、
    拡散工程まで戻る必要がなくなり、回路の設計作業の効率化を実現することができる。

    【0042】さらに初期試作の際に、配線工程前で試作を中断したウェハーを保存しておけば、配線工程だけで再試作を完了することができる。

    【0043】以上のように本発明によれば、再試作に要する期間を従来の2、3ケ月から2週間程度の約1/4
    に短縮することができる。

    【図面の簡単な説明】

    【図1】本発明の実施形態1に係る回路設計工程における再設計のフローを示す図である。

    【図2】(a)は、初期設計の回路の例を示す図、
    (b)は、本発明により再設計された回路の例を示す図である。

    【図3】本発明の実施形態1における製品開発全体のフローを示す図である。

    【図4】本発明の実施形態2に係る回路設計工程における再設計のフローを示す図である。

    【図5】本発明の実施形態2における製品開発全体のフローを示す図である。

    【図6】従来例による回路設計工程における再設計のフローを示す図である。

    【図7】(a)は、従来例における初期設計の回路の例を示す図、(b)は、従来例により再設計された回路の例を示す図である。

    【図8】従来例における製品開発全体のフローを示す図である。

    【符号の説明】 101 本発明の論理合成 102 初期設計によるHDL記述(ゲートレベルの予備セルを含む) 103,601 再設計されたHDL記述 104 HDL記述を比較処理する過程 105 変更のなかったHDL記述部分 106 変更のあったHDL記述部分 107 初期設計によるゲートレベルのネットリスト 108 ネットリストを切り出し処理する過程 109 変更が不要なゲートレベルのネットリスト 110 変更が必要なゲートレベルのネットリスト 111 予備セル 112,402 合成に使用可能なセル情報を抽出処理する過程 113,403 論理合成に使用可能なセル 114,604 回路生成と最適化処理の過程 115,404 合成された変更部分のゲートレベルのネットリスト 116 ゲートレベルのネットリストを結合処理する過程 117,405,605 再設計後のゲートレベルのネットリスト 201 3入力NAND 202 リセット付きD−FF 203,205 変更の必要のない回路 204 インバータ 301 初期設計での論理合成 302 初期設計でのセル配置 303 初期設計でのセル配線 304 初期設計でのマスク作成 305 試作の拡散工程 306 試作の配線工程 307 機能評価 308 HDL記述の再設計 309 再設計でのセル配線 310 再設計でのマスク作成 401 初期設計でのセル配置情報 602 論理合成用ライブラリ 603 従来の論理合成 701 2入力NAND 702 リセットなしのD−FF 801 初期設計によるHDL記述(ゲートレベルの予備セルを含まない) 802 再設計でのセル配置

    高效检索全球专利

    专利汇是专利免费检索,专利查询,专利分析-国家发明专利查询检索分析平台,是提供专利分析,专利查询,专利检索等数据服务功能的知识产权数据服务商。

    我们的产品包含105个国家的1.26亿组数据,免费查、免费专利分析。

    申请试用

    分析报告

    专利汇分析报告产品可以对行业情报数据进行梳理分析,涉及维度包括行业专利基本状况分析、地域分析、技术分析、发明人分析、申请人分析、专利权人分析、失效分析、核心专利分析、法律分析、研发重点分析、企业专利处境分析、技术处境分析、专利寿命分析、企业定位分析、引证分析等超过60个分析角度,系统通过AI智能系统对图表进行解读,只需1分钟,一键生成行业专利分析报告。

    申请试用

    QQ群二维码
    意见反馈