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一种常春藤的栽培方法

阅读:925发布:2020-05-11

专利汇可以提供一种常春藤的栽培方法专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且本 发明 公开了一种常春藤的栽培方法,涉及种植技术领域,包括以下步骤:选择土层深厚、疏松肥沃、通 风 向阳的砂质 地 块 作为育苗地,撒施生石灰,深耕翻土,杀菌消毒;每亩施 有机肥 800-1000kg,中耕翻土,起垄,挖种植穴,穴底依次铺设营养层和固根层;选取长度7-10cm、长势良好、根系发达的常春藤 幼苗 ,于晴天光照较弱 时移 栽至种植穴内,一个种植穴内种植2-3株常春藤幼苗;缓苗期间控制白天 温度 为22-26℃,夜间温度为15-18℃,缓苗后每隔4-6d浇一次 水 ,每次浇水量达到 土壤 饱和度 的60-70%,种植期间及时进行 病虫害防治 。本发明栽培的常春藤枝叶茂盛、叶色浓绿,品质好。,下面是一种常春藤的栽培方法专利的具体信息内容。

1.一种常春藤的栽培方法,其特征在于,包括以下步骤:
S1、选地:选择土层深厚、疏松肥沃、通向阳的砂质作为育苗地,撒施生石灰,深耕翻土,杀菌消毒;
S2、整地:每亩施有机肥800-1000kg,中耕翻土,起垄,挖种植穴,穴底依次铺设营养层和固根层;
S3、移栽:选取长度7-10cm、长势良好、根系发达的常春藤幼苗,于晴天光照较弱时移栽至种植穴内,一个种植穴内种植2-3株常春藤幼苗;
S4、日常管理:缓苗期间控制白天温度为22-26℃,夜间温度为15-18℃,缓苗后每隔4-
6d浇一次,每次浇水量达到土壤饱和度的60-70%,种植期间及时进行病虫害防治
2.根据权利要求1所述的常春藤的栽培方法,其特征在于,S2中,有机肥由以下重量份的原料建堆发酵制成:家禽粪70-80份、过磷酸2-4份、豆粕10-20份、玉米芯20-30份、秸秆
30-40份。
3.根据权利要求1或2所述的常春藤的栽培方法,其特征在于,S2中,穴深14-16cm,穴距
20-25cm,穴底依次铺设3-5cm厚的营养层和4-6cm厚的固根层,营养层和固根层的总高度为
9cm。
4.根据权利要求1-3任一项所述的常春藤的栽培方法,其特征在于,S2中,营养层是由施有机肥后的原土与营养肥按照4-6:2的质量比混合得到的;所述营养肥由以下重量份的原料组成:家禽粪60-70份、鸡蛋壳5-10份、酸钠0.5-2份、海泡石3-7份、竹叶粉2-5份、酸氢铵2-4份、磷酸二氢2-4份、砂0.5-2份、菜籽粕粉5-10份。
5.根据权利要求4所述的常春藤的栽培方法,其特征在于,所述海泡石为改性海泡石,其制备如下:将海泡石经微波处理后,置于pH值为4-5的氯化钠-盐酸溶液中,低速搅拌,过滤,洗涤,即得改性海泡石。
6.根据权利要求5所述的常春藤的栽培方法,其特征在于,所述微波处理的功率为
1000-1500W,微波时间为10-20min。
7.根据权利要求5所述的常春藤的栽培方法,其特征在于,所述氯化钠-盐酸溶液中氯化钠的含量为5-8%,在400-600rpm转速下低速搅拌1-2h。
8.根据权利要求1-7任一项所述的常春藤的栽培方法,其特征在于,S2中,固根层是由施有机肥后的原土与固根肥按照5-7:2的质量比混合得到的;所述固根肥由以下重量份的原料组成:家禽粪50-60份、砂石7-15份、泥炭20-30份、硅藻土10-20份、草木灰10-20份、秸秆粉20-30份。

说明书全文

一种常春藤的栽培方法

技术领域

[0001] 本发明涉及种植技术领域,尤其涉及一种常春藤的栽培方法。

背景技术

[0002] 常春藤,为五加科常春藤属常绿藤本植物,气生根。其形态优美规整,叶色浓绿,观赏价值高。由于具有常绿、攀援性、适应性强、耐荫、养护管理容易等诸多优点,近年来其园林应用越来越广泛,既可地栽作林下地被,固土护坡,又可攀援于墙面、假山、棚架之上。此外,常春藤对甲的耐受性强,吸收量大,采用盆栽、吊盆布置于室内或窗前、阳台,不但能美化家庭环境,还能吸收甲醛等有害气体。因此,近年来,常春藤作为优良的观叶植物得到了广泛的普及应用,苗木需求量很大。
[0003] 常春藤种植虽较为广泛,但规模化种植技术还不够成熟,存在不科学不合理的现状,导致品质良莠不齐。

发明内容

[0004] 基于背景技术存在的技术问题,本发明提出了一种常春藤的栽培方法,栽培的常春藤枝叶茂盛、叶色浓绿,品质好。
[0005] 本发明提出的一种常春藤的栽培方法,包括以下步骤:
[0006] S1、选地:选择土层深厚、疏松肥沃、通向阳的砂质作为育苗地,撒施生石灰,深耕翻土,杀菌消毒;
[0007] S2、整地:每亩施有机肥800-1000kg,中耕翻土,起垄,挖种植穴,穴底依次铺设营养层和固根层;
[0008] S3、移栽:选取长度7-10cm、长势良好、根系发达的常春藤幼苗,于晴天光照较弱时移栽至种植穴内,一个种植穴内种植2-3株常春藤幼苗;
[0009] S4、日常管理:缓苗期间控制白天温度为22-26℃,夜间温度为15-18℃,缓苗后每隔4-6d浇一次,每次浇水量达到土壤饱和度的60-70%,种植期间及时进行病虫害防治
[0010] 优选地,S2中,有机肥由以下重量份的原料建堆发酵制成:家禽粪70-80份、过磷酸2-4份、豆粕10-20份、玉米芯20-30份、秸秆30-40份。
[0011] 优选地,S2中,穴深14-16cm,穴距20-25cm,穴底依次铺设3-5cm厚的营养层和4-6cm厚的固根层,营养层和固根层的总高度为9cm。
[0012] 优选地,S2中,营养层是由施有机肥后的原土与营养肥按照4-6:2的质量比混合得到的;所述营养肥由以下重量份的原料组成:家禽粪60-70份、鸡蛋壳5-10份、酸钠0.5-2份、海泡石3-7份、竹叶粉2-5份、酸氢铵2-4份、磷酸二氢2-4份、砂0.5-2份、菜籽粕粉5-10份。
[0013] 优选地,所述海泡石为改性海泡石,其制备如下:将海泡石经微波处理后,置于pH值为4-5的氯化钠-盐酸溶液中,低速搅拌,过滤,洗涤,即得改性海泡石。
[0014] 优选地,所述微波处理的功率为1000-1500W,微波时间为10-20min。
[0015] 优选地,所述氯化钠-盐酸溶液中氯化钠的含量为5-8%,在400-600rpm转速下低速搅拌1-2h。
[0016] 优选地,S2中,固根层是由施有机肥后的原土与固根肥按照5-7:2的质量比混合得到的;所述固根肥由以下重量份的原料组成:家禽粪50-60份、砂石7-15份、泥炭20-30份、硅藻土10-20份、草木灰10-20份、秸秆粉20-30份。
[0017] 有益效果:本发明提出了一种常春藤的栽培方法,将种植地深耕后施有机肥,提高土壤肥;将施肥后的种植地开挖种植穴,并在穴底依次铺设营养层和固根层,其中固根层透气性和排水性好,能够促进常春藤幼苗根系生长并强壮根系,不易烂根,其成分中的砂石、泥炭等成分利于根系组织向下生长,能够达到固根促根的目的;随着常春藤幼苗的生长,穴底营养层中的无机有机肥料能够为其后期生长提供所需肥料,添加的海泡石经改性后具有良好的保水保肥性,满足常春藤对潮湿环境的需求,添加的竹叶粉有驱虫的功效;此外,合理控制常春藤生长温度和浇水次数,避免徒长或缺水。本发明优化了常春藤栽培方法,幼苗成活率高,且栽培的常春藤枝叶茂盛、叶色浓绿,品质好。

具体实施方式

[0018] 下面,通过具体实施例对本发明的技术方案进行详细说明。
[0019] 实施例1
[0020] 本发明提出的一种常春藤的栽培方法,包括以下步骤:
[0021] S1、选地:选择土层深厚、疏松肥沃、通风向阳的砂质地块作为育苗地,撒施生石灰,深耕翻土,杀菌消毒;
[0022] S2、整地:每亩施有机肥800kg,中耕翻土,起垄,挖种植穴,穴深14cm,穴距20cm,穴底依次铺设3cm厚的营养层和6cm厚的固根层;
[0023] 其中,有机肥由以下重量份的原料建堆发酵制成:家禽粪70份、过磷酸钙4份、豆粕20份、玉米芯20份、秸秆40份;
[0024] 营养层是由施有机肥后的原土与营养肥按照4:2的质量比混合得到的;所述营养肥由以下重量份的原料组成:家禽粪60份、鸡蛋壳5份、硅酸钠2份、海泡石3份、竹叶粉5份、碳酸氢铵4份、磷酸二氢钾4份、硼砂2份、菜籽粕粉10份;所述海泡石为改性海泡石,其制备如下:将海泡石采用微波处理,微波功率为1000W,微波时间为10min,然后置于pH值为4的氯化钠-盐酸溶液中,溶液中氯化钠的含量为5%,在400rpm转速下低速搅拌1h,过滤,洗涤,即得改性海泡石。
[0025] 固根层是由施有机肥后的原土与固根肥按照5:2的质量比混合得到的;所述固根肥由以下重量份的原料组成:家禽粪50份、砂石7份、泥炭30份、硅藻土10份、草木灰20份、秸秆粉30份;
[0026] S3、移栽:选取长度7-9cm、长势良好、根系发达的常春藤幼苗,于晴天光照较弱时移栽至种植穴内,一个种植穴内种植2-3株常春藤幼苗;
[0027] S4、日常管理:缓苗期间控制白天温度为22-24℃,夜间温度为15-16℃,缓苗后每隔4-6d浇一次水,每次浇水量达到土壤饱和度的60%,种植期间及时进行病虫害防治。
[0028] 实施例2
[0029] 本发明提出的一种常春藤的栽培方法,包括以下步骤:
[0030] S1、选地:选择土层深厚、疏松肥沃、通风向阳的砂质地块作为育苗地,撒施生石灰,深耕翻土,杀菌消毒;
[0031] S2、整地:每亩施有机肥1000kg,中耕翻土,起垄,挖种植穴,穴深16cm,穴距25cm,穴底依次铺设5cm厚的营养层和4cm厚的固根层;
[0032] 其中,有机肥由以下重量份的原料建堆发酵制成:家禽粪80份、过磷酸钙2份、豆粕10份、玉米芯30份、秸秆30份;
[0033] 营养层是由施有机肥后的原土与营养肥按照6:2的质量比混合得到的;所述营养肥由以下重量份的原料组成:家禽粪70份、鸡蛋壳10份、硅酸钠0.5份、海泡石7份、竹叶粉2份、碳酸氢铵2份、磷酸二氢钾2份、硼砂0.5份、菜籽粕粉5份;所述海泡石为改性海泡石,其制备如下:将海泡石采用微波处理,微波功率为1500W,微波时间为20min,然后置于pH值为5的氯化钠-盐酸溶液中,溶液中氯化钠的含量为8%,在600rpm转速下低速搅拌2h,过滤,洗涤,即得改性海泡石。
[0034] 固根层是由施有机肥后的原土与固根肥按照7:2的质量比混合得到的;所述固根肥由以下重量份的原料组成:家禽粪60份、砂石15份、泥炭20份、硅藻土20份、草木灰10份、秸秆粉20份;
[0035] S3、移栽:选取长度8-10cm、长势良好、根系发达的常春藤幼苗,于晴天光照较弱时移栽至种植穴内,一个种植穴内种植2-3株常春藤幼苗;
[0036] S4、日常管理:缓苗期间控制白天温度为24-26℃,夜间温度为17-18℃,缓苗后每隔4-6d浇一次水,每次浇水量达到土壤饱和度的70%,种植期间及时进行病虫害防治。
[0037] 实施例3
[0038] 本发明提出的一种常春藤的栽培方法,包括以下步骤:
[0039] S1、选地:选择土层深厚、疏松肥沃、通风向阳的砂质地块作为育苗地,撒施生石灰,深耕翻土,杀菌消毒;
[0040] S2、整地:每亩施有机肥900kg,中耕翻土,起垄,挖种植穴,穴深15cm,穴距22cm,穴底依次铺设4cm厚的营养层和5cm厚的固根层;
[0041] 其中,有机肥由以下重量份的原料建堆发酵制成:家禽粪74份、过磷酸钙2.5份、豆粕17份、玉米芯25份、秸秆38份;
[0042] 营养层是由施有机肥后的原土与营养肥按照5:2的质量比混合得到的;所述营养肥由以下重量份的原料组成:家禽粪64份、鸡蛋壳7份、硅酸钠1.5份、海泡石5份、竹叶粉4份、碳酸氢铵3份、磷酸二氢钾3份、硼砂1.5份、菜籽粕粉8份;所述海泡石为改性海泡石,其制备如下:将海泡石采用微波处理,微波功率为1200W,微波时间为15min,然后置于pH值为4的氯化钠-盐酸溶液中,溶液中氯化钠的含量为6%,在450rpm转速下低速搅拌1h,过滤,洗涤,即得改性海泡石。
[0043] 固根层是由施有机肥后的原土与固根肥按照5.5:2的质量比混合得到的;所述固根肥由以下重量份的原料组成:家禽粪55份、砂石10份、泥炭25份、硅藻土15份、草木灰15份、秸秆粉25份;
[0044] S3、移栽:选取长度8-9cm、长势良好、根系发达的常春藤幼苗,于晴天光照较弱时移栽至种植穴内,一个种植穴内种植2-3株常春藤幼苗;
[0045] S4、日常管理:缓苗期间控制白天温度为23-25℃,夜间温度为17-18℃,缓苗后每隔4-6d浇一次水,每次浇水量达到土壤饱和度的65%,种植期间及时进行病虫害防治。
[0046] 实施例4
[0047] 本发明提出的一种常春藤的栽培方法,包括以下步骤:
[0048] S1、选地:选择土层深厚、疏松肥沃、通风向阳的砂质地块作为育苗地,撒施生石灰,深耕翻土,杀菌消毒;
[0049] S2、整地:每亩施有机肥1000kg,中耕翻土,起垄,挖种植穴,穴深15cm,穴距23cm,穴底依次铺设4.5cm厚的营养层和4.5cm厚的固根层;
[0050] 其中,有机肥由以下重量份的原料建堆发酵制成:家禽粪77份、过磷酸钙3份、豆粕15份、玉米芯28份、秸秆35份;
[0051] 营养层是由施有机肥后的原土与营养肥按照6:2的质量比混合得到的;所述营养肥由以下重量份的原料组成:家禽粪68份、鸡蛋壳8份、硅酸钠1份、海泡石6份、竹叶粉3份、碳酸氢铵3.5份、磷酸二氢钾2.5份、硼砂1份、菜籽粕粉7份;所述海泡石为改性海泡石,其制备如下:将海泡石采用微波处理,微波功率为1500W,微波时间为15min,然后置于pH值为4.5的氯化钠-盐酸溶液中,溶液中氯化钠的含量为7%,在500rpm转速下低速搅拌1.5h,过滤,洗涤,即得改性海泡石。
[0052] 固根层是由施有机肥后的原土与固根肥按照6.5:2的质量比混合得到的;所述固根肥由以下重量份的原料组成:家禽粪58份、砂石12份、泥炭22份、硅藻土14份、草木灰17份、秸秆粉23份;
[0053] S3、移栽:选取长度7-10cm、长势良好、根系发达的常春藤幼苗,于晴天光照较弱时移栽至种植穴内,一个种植穴内种植2-3株常春藤幼苗;
[0054] S4、日常管理:缓苗期间控制白天温度为25-26℃,夜间温度为16-18℃,缓苗后每隔4-6d浇一次水,每次浇水量达到土壤饱和度的67%,种植期间及时进行病虫害防治。
[0055] 以上所述,仅为本发明较佳的具体实施方式,但本发明的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内,根据本发明的技术方案及其发明构思加以等同替换或改变,都应涵盖在本发明的保护范围之内。
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